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张勇辉

作品数：91 被引量：6H指数：1
供职机构：河北工业大学更多>>
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相关领域：电子电信理学轻工技术与工程一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 85篇专利
  • 5篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 30篇电子电信
  • 3篇理学
  • 2篇轻工技术与工...
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 40篇二极管
  • 38篇发光
  • 33篇发光二极管
  • 23篇半导体
  • 18篇深紫外
  • 15篇多量子阱
  • 15篇势垒
  • 14篇重掺杂
  • 13篇量子效率
  • 12篇光提取效率
  • 12篇半导体材料
  • 12篇表面势
  • 12篇表面势垒
  • 11篇肖特基
  • 10篇电流扩展
  • 10篇探测器
  • 10篇内量子效率
  • 10篇晶格
  • 10篇空穴
  • 9篇纳米

机构

  • 91篇河北工业大学
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 91篇张勇辉
  • 87篇张紫辉
  • 27篇徐庶
  • 25篇耿翀
  • 5篇李路平
  • 2篇王浩然
  • 2篇花中秋
  • 1篇王志忠
  • 1篇高鹏
  • 1篇李文杰
  • 1篇闫亮
  • 1篇时强

传媒

  • 2篇红外与激光工...
  • 1篇物理学报
  • 1篇电源技术
  • 1篇发光学报

年份

  • 8篇2025
  • 5篇2024
  • 8篇2023
  • 11篇2022
  • 8篇2021
  • 5篇2020
  • 16篇2019
  • 10篇2018
  • 10篇2017
  • 10篇2016
共 91 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种深紫外LED杀菌隐形眼镜盒
本实用新型涉及眼镜盒技术领域，尤其为一种深紫外LED杀菌隐形眼镜盒，包括盒体，所述盒体的上部可拆卸安装有两个盒盖，两个所述盒盖的上端均设置有按钮和指示灯；所述盒体包括底座，所述底座的上端一体成型有两个容纳外壳，两个所述容...
张如玉张勇辉楚春双樊怡可王浩然雷宇翔
一种具有载流子传输层的Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>/GaN日盲紫外探测器及其制备方法
本发明为一种具有载流子传输层的Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>/GaN日盲紫外探测器及其制备方法。该探测器的结构为以下两种：第一种，由下至上依次包括衬底、缓冲层、传输层，传输层的中部为吸收层，两侧分...
张紫辉楚春双黄冠森张勇辉
文献传递
一种深紫外半导体发光二极管及其制备方法
本发明一种深紫外半导体发光二极管及其制备方法，涉及半导体器件,该发光二极管有同侧倒装和垂直倒装两种结构，都是通过光刻和刻蚀技术在其外延片的p型空穴传导层的表面一侧形成倾斜侧壁的微纳结构阵列，在倾斜侧壁的微纳结构阵列的顶部...
张勇辉张紫辉徐庶耿翀毕文刚花中秋
文献传递
一种具有光散射结构和ODR的发光二极管及其制备方法
本发明为一种具有光散射结构和ODR的发光二极管及其制备方法。该二极管通过在全反射镜和半导体中插入一层较厚的低折射率材料，从而使大角度的入射光通过全内反射而非金属反射，且通过散射结构的进一步散射后逃逸出LED。本发明可以减...
张勇辉张际张紫辉郑羽欣
具有电子能量调节层的发光二极管外延结构
本发明具有电子能量调节层的发光二极管外延结构，涉及至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件，从上至下顺序包括衬底、缓冲层、第一N型半导体材料、电子能量调节层、第二N型半导体材料层、多量子阱层、P型电...
张紫辉张勇辉毕文刚徐庶耿翀
文献传递
具有场板结构的发光二极管器件
本实用新型为一种具有场板结构的发光二极管器件。该器件主体为沿着外延生长方向依次包括衬底、缓冲层、N‑型半导体传输层、多量子阱层、P‑型电流阻挡层、P‑型半导体传输层、P‑型重掺杂半导体传输层、场板结构层、电流扩展层和P‑...
张紫辉车佳漭楚春双张勇辉田康凯
文献传递
具有超晶格隧穿结的发光二极管外延结构及其制备方法
本发明涉及具有超晶格隧穿结的发光二极管外延结构及其制备方法，其特征在于该外延结构沿着外延生长方向依次包括衬底、缓冲层、N‑型半导体材料层、多量子阱层、P‑型电子阻挡层、P‑型掺杂半导体材料传输层、P‑型重掺杂半导体材料传...
田康凯楚春双方梦倩李路平张勇辉张紫辉
文献传递
一种具有部分n<SUP>+</SUP>-GaN盖帽层的AlGaN/GaN异质结肖特基二极管结构
本发明为一种具有部分n<SUP>+</SUP>‑GaN盖帽层的AlGaN/GaN异质结肖特基二极管结构。二极管从下到上依次为：衬底、缓冲层、GaN沟道层；AlGaN势垒层位于GaN沟道层上中部，AlGaN势垒层上表面的右...
张紫辉王志忠张勇辉
具有双层微纳米阵列结构的LED图形化衬底的制作方法
本发明具有双层微纳米阵列结构的LED图形化衬底的制作方法，涉及半导体器件,步骤是：旋涂第一光刻胶层；制作具有微纳米点阵列的第一光刻胶层；第一次干法刻蚀；湿法去除具有微纳米点阵列的第一光刻胶层；旋涂第二光刻胶层；制作具有微...
张勇辉毕文刚张紫辉徐庶耿翀
一种薄膜腔体型图形衬底及其制备方法
本发明涉及一种薄膜腔体型图形衬底及其制备方法，其特征在于该图形衬底包括平面衬底，在平面衬底的表面分布由薄膜材料层组成的微纳米阵列的薄膜腔体结构，所述薄膜腔体结构的壁厚为1‑500nm，薄膜腔体结构具有空腔，且薄膜腔体结构...
张勇辉张紫辉毕文刚徐庶耿翀
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