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徐庶
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44
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河北工业大学
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一般工业技术
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耿翀
河北工业大学
张勇辉
河北工业大学
张紫辉
河北工业大学
王乐
河北工业大学
花中秋
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一种深紫外半导体发光二极管及其制备方法
本发明一种深紫外半导体发光二极管及其制备方法,涉及半导体器件,该发光二极管有同侧倒装和垂直倒装两种结构,都是通过光刻和刻蚀技术在其外延片的p型空穴传导层的表面一侧形成倾斜侧壁的微纳结构阵列,在倾斜侧壁的微纳结构阵列的顶部...
张勇辉
张紫辉
徐庶
耿翀
毕文刚
花中秋
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一种非质子化配体修饰的钙钛矿材料
本发明为一种非质子化配体修饰的钙钛矿材料,该钙钛矿材料由有机二价金属羧酸盐和有机磷化物高温下参与反应制备得到,其中有机二价金属羧酸盐反应后提供羧酸根配体结合在钙钛矿表面、有机磷化物参与反应后转化为有机磷氧化物吸附在表面,...
徐庶
刘懿萱
耿翀
具有电子能量调节层的发光二极管外延结构
本发明具有电子能量调节层的发光二极管外延结构,涉及至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件,从上至下顺序包括衬底、缓冲层、第一N型半导体材料、电子能量调节层、第二N型半导体材料层、多量子阱层、P型电...
张紫辉
张勇辉
毕文刚
徐庶
耿翀
文献传递
基于卤化物的全色荧光加密墨水及其应用方法
本发明为一种基于卤化物的全色荧光加密墨水及其应用方法。该墨水的红、绿和蓝三种基色墨水的配制,包括如下步骤:红色基色墨水:将含溴化合物、含碘化合物和聚乙烯吡咯烷酮加入到第一混合溶剂中;绿色基色墨水:将含溴化合物、含碘化合物...
孙春
毕文刚
苏思静
徐庶
耿翀
郜志媛
刘晗欣
王乐
一种薄膜腔体型图形衬底及其制备方法
本发明涉及一种薄膜腔体型图形衬底及其制备方法,其特征在于该图形衬底包括平面衬底,在平面衬底的表面分布由薄膜材料层组成的微纳米阵列的薄膜腔体结构,所述薄膜腔体结构的壁厚为1‑500nm,薄膜腔体结构具有空腔,且薄膜腔体结构...
张勇辉
张紫辉
毕文刚
徐庶
耿翀
功能化金属羧酸盐及应用其制备的纳米晶高分子复合材料
本发明涉及功能化金属羧酸盐及应用其制备的纳米晶高分子复合材料。所述功能化金属羧酸盐包括金属端和芳香环有机链段,所述金属端为主族金属或IIB副族金属,所述主族金属包括In、Al、Ga、Pb中的至少一种,所述IIB副族金属为...
耿翀
高菲
曹玉杰
徐庶
一种与封装硅胶高兼容核壳量子点材料及其制备方法
本发明为一种与封装硅胶高兼容核壳量子点材料及其制备方法。所述的材料包括三部分,由内而外依次为量子点核,量子点壳和量子点表面功能配体层;其中表面功能配体层由单一配体(阳离子封端的有机硅聚合物)组成,包括量子点表面连接壳端的...
徐庶
谢杨杨
耿翀
刘懿萱
邢玮烁
张新素
毕文刚
文献传递
一种LED的芯片结构及其制备方法
本发明一种LED的芯片结构及其制备方法,涉及至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件,从上至下顺序包括衬底、缓冲层、N型半导体材料、多量子阱层、P‑型半导体材料、绝缘层、电流扩展层、P型欧姆电极和N...
张紫辉
张勇辉
毕文刚
徐庶
耿翀
一种屏蔽量子阱区极化场效应的发光二极管外延结构
本发明一种屏蔽量子阱中极化场效应的发光二极管外延结构,涉及至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件,该结构由下到上依次排列包括:衬底、缓冲层、非掺杂半导体材料层、掺杂N型半导体材料层、多量子阱层、P...
张紫辉
张勇辉
毕文刚
徐庶
耿翀
文献传递
一种具备多重发光的单一量子点材料及其制备方法
本发明为一种具备多重发光的单一量子点材料及其制备方法。该材料由以量子垒为中心的对称超晶格结构组成,内部垒阱位置为:中心为中心量子垒,两侧均从内到外依次为:第一发光量子阱/第一量子垒/第二发光量子阱/第二量子垒/…/第N发...
毕文刚
徐庶
谢杨杨
邢玮烁
张新素
张紫辉
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