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张紫辉

作品数：96 被引量：6H指数：1
供职机构：河北工业大学更多>>
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相关领域：电子电信理学环境科学与工程一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 90篇专利
  • 4篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 32篇电子电信
  • 3篇理学
  • 1篇化学工程
  • 1篇环境科学与工...
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 44篇二极管
  • 38篇发光
  • 33篇发光二极管
  • 24篇半导体
  • 18篇多量子阱
  • 18篇深紫外
  • 15篇势垒
  • 15篇重掺杂
  • 15篇量子效率
  • 13篇电流扩展
  • 13篇肖特基
  • 13篇半导体材料
  • 12篇空穴
  • 12篇光提取效率
  • 12篇表面势
  • 12篇表面势垒
  • 11篇探测器
  • 10篇内量子效率
  • 10篇晶格
  • 9篇紫外探测

机构

  • 96篇河北工业大学
  • 5篇东旭集团有限...
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 96篇张紫辉
  • 87篇张勇辉
  • 27篇徐庶
  • 25篇耿翀
  • 5篇李路平
  • 2篇花中秋
  • 1篇王志忠
  • 1篇刘伟
  • 1篇李文杰
  • 1篇闫亮
  • 1篇时强

传媒

  • 2篇红外与激光工...
  • 1篇物理学报
  • 1篇发光学报

年份

  • 8篇2025
  • 3篇2024
  • 7篇2023
  • 12篇2022
  • 12篇2021
  • 6篇2020
  • 17篇2019
  • 11篇2018
  • 10篇2017
  • 10篇2016
共 96 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
具有场板结构的发光二极管器件及其制备方法
本发明为一种具有场板结构的发光二极管器件及其制备方法，该器件主体为沿着外延生长方向依次包括衬底、缓冲层、N‑型半导体传输层、多量子阱层、P‑型电流阻挡层、P‑型半导体传输层、P‑型重掺杂半导体传输层、场板结构层、电流扩展...
张紫辉 车佳漭 楚春双张勇辉 田康凯
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一种具备多重发光的单一量子点材料及其制备方法
本发明为一种具备多重发光的单一量子点材料及其制备方法。该材料由以量子垒为中心的对称超晶格结构组成，内部垒阱位置为：中心为中心量子垒，两侧均从内到外依次为：第一发光量子阱/第一量子垒/第二发光量子阱/第二量子垒/…/第N发...
毕文刚徐庶谢杨杨邢玮烁张新素张紫辉张勇辉
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具有金属栅结构的Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>/AlGaN/GaN日盲紫外探测器及其制备方法
本发明为一种具有金属栅结构的Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>/AlGaN/GaN日盲紫外探测器及其制备方法。所述的探测器结构为以下两种：第一种，由下至上依次包括衬底、缓冲层、沟道层、势垒层；势垒层中...
张紫辉刘祖品楚春双张勇辉
具有湿法刻蚀P电极的发光二极管的制备方法
本发明为具有湿法刻蚀P电极的发光二极管的制备方法。该方法在倒装结构DUV LEDs制备方法上，采用湿法刻蚀技术对已经形成良好欧姆接触的Ni/Au进行处理，即生长Ni后再生长Au，得到Ni/Au后，将其进行退火处理，然后再...
张勇辉王林浩张紫辉
一种具有载流子传输层的Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>/GaN日盲紫外探测器及其制备方法
本发明为一种具有载流子传输层的Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>/GaN日盲紫外探测器及其制备方法。该探测器的结构为以下两种：第一种，由下至上依次包括衬底、缓冲层、传输层，传输层的中部为吸收层，两侧分...
张紫辉楚春双黄冠森张勇辉
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一种深紫外半导体发光二极管及其制备方法
本发明一种深紫外半导体发光二极管及其制备方法，涉及半导体器件,该发光二极管有同侧倒装和垂直倒装两种结构，都是通过光刻和刻蚀技术在其外延片的p型空穴传导层的表面一侧形成倾斜侧壁的微纳结构阵列，在倾斜侧壁的微纳结构阵列的顶部...
张勇辉张紫辉徐庶耿翀毕文刚花中秋
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一种具有光散射结构和ODR的发光二极管及其制备方法
本发明为一种具有光散射结构和ODR的发光二极管及其制备方法。该二极管通过在全反射镜和半导体中插入一层较厚的低折射率材料，从而使大角度的入射光通过全内反射而非金属反射，且通过散射结构的进一步散射后逃逸出LED。本发明可以减...
张勇辉张际张紫辉郑羽欣
具有电子能量调节层的发光二极管外延结构
本发明具有电子能量调节层的发光二极管外延结构，涉及至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件，从上至下顺序包括衬底、缓冲层、第一N型半导体材料、电子能量调节层、第二N型半导体材料层、多量子阱层、P型电...
张紫辉张勇辉毕文刚徐庶耿翀
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具有空穴能量调节层的发光二极管外延结构
本发明具有空穴能量调节层的发光二极管外延结构，涉及至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件，该结构在LED外延结构的P型半导体材料传输层中插入一层低势垒的P型半导体材料空穴能量调节层，其材质为Al<...
张紫辉张勇辉毕文刚徐庶耿翀
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一种边缘无pGaN的深紫外半导体发光二极管及其制备方法
本发明为一种边缘无pGaN的深紫外半导体发光二极管及其制备方法。该器件有以下两种结构，第一种，由从下至上依次为衬底、成核层、非掺杂氮化铝层、n型铝镓氮层；部分n型铝镓氮层上依次为有源层、电子阻挡层、p型铝镓氮层、p型氮化...
张勇辉常乐张紫辉
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