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仇光寅

作品数：4 被引量：3H指数：1
供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
发文基金：上海市自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇文化科学
  • 1篇理学

主题

  • 4篇碲镉汞
  • 2篇电学
  • 2篇电学参数
  • 2篇电学性质
  • 2篇液相外延
  • 2篇碲锌镉
  • 2篇碲镉汞材料
  • 2篇界面层
  • 1篇液相外延生长
  • 1篇外延片
  • 1篇母液
  • 1篇碲
  • 1篇材料特性
  • 1篇衬底

机构

  • 4篇中国科学院

作者

  • 4篇魏彦锋
  • 4篇仇光寅
  • 3篇陈倩男
  • 3篇孙权志
  • 2篇杨建荣
  • 2篇孙瑞赟
  • 1篇徐庆庆
  • 1篇孙瑞贇
  • 1篇张传杰
  • 1篇陈晓静

传媒

  • 1篇红外与毫米波...

年份

  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 2篇2012
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
一种碲镉汞垂直液相外延样品架
本发明公开了一种碲镉汞垂直液相外延样品架。它是在样品架平面上，存在顶端和左右两侧三条闭合的覆盖压条，以及底端固定夹具。三条覆盖压条和夹具都有与样品架平面成45度的斜面，与衬底边缘接触。夹具通过紧固螺丝固定在样品架平面上。...
孙权志魏彦锋杨建荣孙瑞贇仇光寅陈倩男
文献传递
一种去除碲镉汞界面层的霍尔样品制备方法
本发明公开了一种去除碲镉汞界面层的霍尔样品制备方法。其方法是：使用特定腐蚀剂，对碲镉汞外延层下方的碲锌镉衬底进行腐蚀，过程中不损伤碲镉汞外延层材料，然后对去除碲锌镉衬底的碲镉汞材料进行腐蚀，以消除可能的界面层。通过此样品...
仇光寅魏彦锋陈倩男孙权志孙瑞赟
As掺杂碲镉汞富碲液相外延材料特性的研究被引量：3
2012年
对富碲液相外延As掺杂碲镉汞(HgCdTe)材料的研究发现,其电学性能存在着不稳定性,材料霍尔参数的实验数据与均匀材料的理论计算结果也不能很好的吻合.通过采用剥层变温霍尔测量和二次离子质谱(SIMS)测试对材料纵向均匀性进行检测的结果显示,外延材料中的As在高温富汞激活退火过程中具有向材料表面扩散的效应,导致在表面形成了高于主体层浓度1～2个量级的高浓度表面层,并导致了AsTe受主的浓度在HgCdTe薄膜中呈非均匀分布.考虑这一效应并采用双层模型的霍尔参数计算方法后,As掺杂HgCdTe液相外延材料的电学行为得到了较好的解释,并较为准确地获得了退火后材料表面层与主体层的受主浓度及受主能级等电学参数.
仇光寅张传杰魏彦锋陈晓静徐庆庆杨建荣
关键词：碲镉汞
一种去除碲镉汞界面层的霍尔样品制备方法
本发明公开了一种去除碲镉汞界面层的霍尔样品制备方法。其方法是：使用特定腐蚀剂，对碲镉汞外延层下方的碲锌镉衬底进行腐蚀，过程中不损伤碲镉汞外延层材料，然后对去除碲锌镉衬底的碲镉汞材料进行腐蚀，以消除可能的界面层。通过此样品...
仇光寅魏彦锋陈倩男孙权志孙瑞赟
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