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文献类型

  • 7篇中文专利

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇文化科学

主题

  • 7篇碲镉汞
  • 4篇碲镉汞材料
  • 3篇液相外延
  • 3篇衬底
  • 2篇电学
  • 2篇电学参数
  • 2篇电学性质
  • 2篇液相
  • 2篇抛光
  • 2篇去除方法
  • 2篇碲锌镉
  • 2篇界面层
  • 2篇精确控制
  • 2篇化学腐蚀
  • 2篇化学清洗
  • 2篇机械抛光
  • 2篇残液
  • 1篇液相外延生长
  • 1篇外延片
  • 1篇母液

机构

  • 7篇中国科学院

作者

  • 7篇魏彦锋
  • 7篇陈倩男
  • 7篇孙权志
  • 4篇张娟
  • 4篇孙瑞赟
  • 3篇杨建荣
  • 3篇孙瑞贇
  • 3篇仇光寅
  • 2篇张传杰

年份

  • 3篇2014
  • 2篇2013
  • 2篇2012
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
一种去除碲镉汞界面层的霍尔样品制备方法
本发明公开了一种去除碲镉汞界面层的霍尔样品制备方法。其方法是:使用特定腐蚀剂,对碲镉汞外延层下方的碲锌镉衬底进行腐蚀,过程中不损伤碲镉汞外延层材料,然后对去除碲锌镉衬底的碲镉汞材料进行腐蚀,以消除可能的界面层。通过此样品...
仇光寅魏彦锋陈倩男孙权志孙瑞赟
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一种碲镉汞垂直液相外延样品架
本发明公开了一种碲镉汞垂直液相外延样品架。它是在样品架平面上,存在顶端和左右两侧三条闭合的覆盖压条,以及底端固定夹具。三条覆盖压条和夹具都有与样品架平面成45度的斜面,与衬底边缘接触。夹具通过紧固螺丝固定在样品架平面上。...
孙权志魏彦锋杨建荣孙瑞贇仇光寅陈倩男
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一种去除碲镉汞界面层的霍尔样品制备方法
本发明公开了一种去除碲镉汞界面层的霍尔样品制备方法。其方法是:使用特定腐蚀剂,对碲镉汞外延层下方的碲锌镉衬底进行腐蚀,过程中不损伤碲镉汞外延层材料,然后对去除碲锌镉衬底的碲镉汞材料进行腐蚀,以消除可能的界面层。通过此样品...
仇光寅魏彦锋陈倩男孙权志孙瑞赟
碲镉汞液相外延薄膜背面残液的去除方法
本发明公开了一种碲镉汞液相外延薄膜背面残液的去除方法,其特征步骤如下:使原本背面残液不可使用的碲镉汞材料通过化学腐蚀和机械抛光的办法,在不影响材料质量的情况下得以正常使用。该装置和方法的优点是:整个过程中清洗干净的碲镉汞...
孙瑞贇杨建荣魏彦锋张传杰孙权志陈倩男张娟陈晓静
碲镉汞液相外延薄膜背面残液的去除方法
本发明公开了一种碲镉汞液相外延薄膜背面残液的去除方法,其特征步骤如下:使原本背面残液不可使用的碲镉汞材料通过化学腐蚀和机械抛光的办法,在不影响材料质量的情况下得以正常使用。该装置和方法的优点是:整个过程中清洗干净的碲镉汞...
孙瑞贇杨建荣魏彦锋张传杰孙权志陈倩男张娟陈晓静
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一种液相外延衬底化学抛光系统
本实用新型公开一种液相外延衬底化学抛光系统。系统采用衬底真空吸附系统来避免粘蜡工序所引起的表面平整度差、易碎及繁琐的化学清洗问题。在真空吸附系统中的样品盘上刻一深度和工艺所需衬底厚度相同的槽,并设置警铃提醒,当衬底厚度达...
张娟魏彦锋孙权志孙瑞赟陈倩男
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液相外延衬底化学抛光系统
本发明公开一种液相外延衬底化学抛光系统。系统采用衬底真空吸附系统来避免粘蜡工序所引起的表面平整度差、易碎及繁琐的化学清洗问题。在真空吸附系统中的样品盘上刻一深度和工艺所需衬底厚度相同的槽,并设置警铃提醒,当衬底厚度达到预...
张娟魏彦锋孙权志孙瑞赟陈倩男
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共1页<1>
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