苏培超
- 作品数：8 被引量：10H指数：2
- 供职机构：昆明物理研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 双色红外探测器研究被引量：2
- 1991年
- 为适应遥感、遥测及精确制导技术的发展,我们已研制出一定性能的CdS/HgCdTe(0.3～0.5μm/3～5μm)、Si/InSb(0.3～1.05μm/3～5μm)、Si/HgCdTe(0.3～1.05μm/3～5μm)、HgCdTe/LiTaO_3(3～5μm/8～14μm)、HgCdTe/HgCdTe(3～5μm/8～14μm)等多种双色红外探测器。其中HgCdTe/HgCdTe(3～5μm/8～14μm)光导双色探测器的峰值探测率D~*(5.1,980,1)=2.1×10^(10)cmHz^(1/2)/W,D~*(9.8,980,1)=8.1×10~9cmHz^(1/2)/W, 峰值响应率R(5.1,980,1)=1.3×10~4V/W,R(9.8,980,1)=373V/W。文中介绍了双色探测器的设计、结构、制备及器件的性能水平。
- 苏培超余旭彬马晖曾光丽张星灿
- 关键词：红外探测器夹层结构
- Zn、Cd在InSb中的扩散
- 1994年
- 研究了Ｚｎ、Ｃｄ源量对ＩｎＳｂ扩散结深的影响。在相同的扩散条件下，扩散源Ｚｎ、Ｃｄ的量少于一定值时，结深将随源量减少而急剧减少，此一定值随扩散温度的升高而增大，但当扩散源量大于该定值后，结深则与源量无关。
- 苏培超
- 关键词：P-N结铬INSB
- 双色红外探测器被引量：2
- 1989年
- 本文综述了双色(多色)红外探测器的研究发展状况。介绍了器件的研制结构形式以及目前达到的性能水平。简述了双色红外探测器在军事、工农业等方面的应用。
- 苏培超张星灿
- 关键词：红外探测器探测器
- 碲镉汞光导探测器的变温测试被引量：1
- 1997年
- 报道了ＨｇＣｄＴｅ光导探测器光电参数随温度变化的关系，重点描述了光谱响应变温测试，给出ＨｇＣｄＴｅ器件从液氮到室温之间若干个不同温度点测试的光谱响应曲线及器件变温测试的性能参数对照表，并与经验公式计算结果进行对比。
- 程开芳苏培超
- 关键词：红外探测器碲镉汞
- 室温长波MCT探测器研究
- 1995年
- 介绍了昆明物理所对室温长波Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ光导探测器研究的进展情况。采用ＭＣＴ体晶材料已制备出室温８～１４μｍ光导探测器，其λｃ＝１１．６μｍ，Ｄ＊＝１．１６×１０７ｃｍＨｚ１／２／Ｗ。
- 苏培超雷胜琼程开芳
- 关键词：碲镉汞探测器
- 阳极氧化显示InSb P-N结的结剖面
- InSb晶片阳极氧化时的氧化速率依赖于晶片的载流子浓度这一特性，成功地显示出InSb扩散结的结剖面及其形貌，并由此测出了在不同条件下，ZnCd在InSb中扩散的P-N结深度。（本刊录）
- 苏培超
- 关键词：阳极氧化载流子(半导体)半导体工艺锑化铟P-N结
- 探测器波段响应率及其测试定标法被引量：3
- 1996年
- 描述了蹄镉汞红外探测器相对光谱分布Ｇ（λ）和波段响应率的测试计算方法，以及其在１０５Ｋ温度下工作时，其中的一些定标问题。给出了１０５Ｋ温度下工作、空间应用的碲镉汞光导红外探测器有关测试方法、设备及测试结果，并给出了相应的测试误差。
- 程开芳扬雄超赵健权程进苏培超
- 关键词：光谱响应红外探测器
- 高温超导Bolometer的原理性实验被引量：3
- 1989年
- 简要介绍了用固态反应法制备出高温超导体材料。材料经切磨减薄并压焊引线后制成超导测辐射热计(Bolometer)实验芯片,芯片安装在带窗口的低温恒温器中,在材料中点转变温度128K附近观测到了明显的辐照热敏效应,直流灵敏度约1V/W。
- 黄宗坦苏培超曾光丽薛南屏
- 关键词：超导BOLOMETER芯片红外探测器
