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薛南屏

作品数：7 被引量：4H指数：1
供职机构：昆明物理研究所更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 4篇载流子
  • 4篇载流子寿命
  • 3篇探测器
  • 3篇碲镉汞
  • 2篇少数载流子
  • 2篇少数载流子寿...
  • 2篇工艺过程
  • 2篇红外
  • 2篇红外探测
  • 2篇红外探测器
  • 2篇N型
  • 1篇碲镉汞材料
  • 1篇线列
  • 1篇芯片
  • 1篇光伏
  • 1篇高温超导
  • 1篇SPRITE...
  • 1篇汞
  • 1篇碲
  • 1篇镉

机构

  • 6篇昆明物理研究...

作者

  • 6篇薛南屏
  • 2篇姚立斌
  • 2篇邵式平
  • 1篇雷胜琼
  • 1篇黄承彩
  • 1篇李卫
  • 1篇肖绍泽
  • 1篇张星灿
  • 1篇田正伦
  • 1篇黄宗坦
  • 1篇苏培超
  • 1篇郭云成
  • 1篇庄维莎

传媒

  • 4篇红外技术
  • 1篇第十三届全国...
  • 1篇第十三届全国...

年份

  • 1篇1999
  • 2篇1998
  • 1篇1995
  • 1篇1991
  • 1篇1989
共 7 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
长波红外材料n型Hg_(1-x)Cd_xTe载流子寿命被引量：1
1999年
测量了３种不同生长方法（加速坩埚旋转布里奇曼法、固态再结晶法和改进的布里奇曼生长大直径晶体法）制备的长波红外蹄镉汞晶体（块晶）载流子寿命的温度变化关系，与窄禁带半导体载流子复合机构的理论计算结果比较表明，优质晶体中是以带间碰撞复合为主。
邵式平薛南屏肖绍泽郭云成庄维莎邵康
关键词：载流子寿命碲镉汞材料SPRITE探测器
n型HgCdTe晶片少子寿命分布的小光点测量
1995年
用聚焦的激光光点（宽度约为０．１ｍｍ）测量了ｎ型Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ（ｘ＝０．２）长条状薄片样品的少数载流子寿命沿样品长条方向的分布，结果表明分布是不均匀的。讨论了引起这种不均匀的可能原因。
邵式平薛南屏李汉宾
关键词：少数载流子寿命汞镉碲
碲镉汞寿命测量样品制备工艺过程的优化
试图从减小样品表面复合速度入手来优化样品制备工艺过程。实验结果表明，适当选取的工艺过程可以大大减小表面复合对测量结果的影响。
薛南屏姚立斌
关键词：少数载流子寿命碲镉汞
132元InSb光伏线列的研究
1991年
报道了我们研制出的132元InSb光伏线列的制备工艺及其性能。线列是采用流行的Cd扩散工艺和光刻剥离技术制成的,每个线列装于封离的检测杜瓦瓶中,77K,线列典型检测元的探测率D~*(500,1000,1)为(0.8～1.5)×10^(10)cm·Hz^(1/2)/W。
张星灿雷胜琼黄承彩薛南屏李卫田正伦
关键词：INSB光伏红外探测器
碲镉汞寿命测量样品制备工艺过程的优化
该文试图从减小样品表面复合速度入手来优化样品制备工艺过程。实验结果表明，适当选取的工艺过程可以大大减小表面复合对测量结果的影响。
姚立斌薛南屏
关键词：碲镉汞载流子寿命
高温超导Bolometer的原理性实验被引量：3
1989年
简要介绍了用固态反应法制备出高温超导体材料。材料经切磨减薄并压焊引线后制成超导测辐射热计(Bolometer)实验芯片,芯片安装在带窗口的低温恒温器中,在材料中点转变温度128K附近观测到了明显的辐照热敏效应,直流灵敏度约1V/W。
黄宗坦苏培超曾光丽薛南屏
关键词：超导BOLOMETER芯片红外探测器
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