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单五桥

作品数：1 被引量：7H指数：1
供职机构：东北大学更多>>
发文基金：辽宁省自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇导体
  • 1篇镀膜
  • 1篇溅射
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体薄膜
  • 1篇TIO
  • 1篇沉积速率
  • 1篇充氧
  • 1篇磁控
  • 1篇磁控溅射

机构

  • 1篇东北大学

作者

  • 1篇信觉俗
  • 1篇单五桥

传媒

  • 1篇表面技术

年份

  • 1篇1999
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
间断充氧提高TiO_2膜沉积速率的研究被引量：7
1999年
用直流反应磁控溅射法,进行了连续充氧和不同周期间断充氧方式在玻璃基片上沉积TuO_2膜的实验。用得到的最佳间断充氧条件,TiO_2膜沉积速率是连续充氧条件的1.8倍。TiO_2膜组分、深度分布及理化性能与连续充氧无明显区别。
信觉俗单五桥
关键词：磁控溅射沉积速率镀膜半导体薄膜
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共1页<1>
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