牛猛
- 作品数：2 被引量：1H指数：1
- 供职机构：河北大学更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- Cl掺杂Cu_2O的第一性原理计算被引量：1
- 2017年
- 为了探究Cl杂质对Cu_2O体系的影响机理,采用基于密度泛函理论的第一性原理,通过Cl原子代替O原子建立同等条件下不同浓度的Cu_2O1-xClx模型,并对Cu_2O的晶体结构进行优化,计算并分析体系的几何结构、能带结构、态密度和光学特性。计算结果表明:Cl掺杂导致Cu_2O的晶格常数变大,并在Cu_2O禁带中形成了一条主要由Cl 3p轨道组成的浅施主杂质能级。该能级跨越费米面,使电子可以经过杂质能级跃迁至导带,减少了电子跃迁所需要的能量,使Cu_2O呈现半金属性;随着掺杂浓度的增大,禁带宽度依次减小为0.444,0.424,0.221 eV,从而出现吸收带边的红移;不同浓度Cl掺杂下,Cu_2O对可见光的吸收能力得到极大改善。
- 彭健任荣康李健宁张明举牛猛马蕾闫小兵郑树凯
- 关键词：第一性原理态密度
- GaN掺杂第一性原理研究
- 近年来，因为宽带隙半导体材料在短波发光二极管、高频器件、激光器和紫外线探测器等方面的潜在的应用价值引起了人们的广泛关注。其中，氮化镓（GaN）发光材料具有禁带宽度大、电子漂移速度快、抗腐蚀性强和耐高温等优点，在紫光与蓝光...
- 牛猛
- 关键词：第一性原理氮化镓密度泛函光学性质宽带隙半导体材料
