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王志权

作品数：10 被引量：0H指数：0
供职机构：杭州电子科技大学更多>>
相关领域：一般工业技术电气工程电子电信化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 9篇中文专利

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 6篇纳米
  • 5篇可控硅
  • 4篇纳米线
  • 4篇硅纳米线
  • 3篇电磁
  • 3篇电极
  • 3篇上口
  • 3篇石墨
  • 3篇石墨电极
  • 3篇漆包线
  • 3篇衔铁
  • 2篇电磁耦合
  • 2篇镀银
  • 2篇片架
  • 2篇器皿
  • 2篇晶向
  • 2篇刻蚀
  • 2篇光电
  • 2篇光电子
  • 2篇硅表面

机构

  • 9篇杭州电子科技...

作者

  • 9篇王志权
  • 7篇巢炎
  • 4篇吴立群
  • 4篇席俊华

年份

  • 1篇2023
  • 3篇2019
  • 5篇2017
共 10 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
控制硅纳米线走向的装置
本发明公开了一种控制硅纳米线走向的装置，包括反应釜体、可调电源、控制单元、盛放蚀刻溶液器皿和泵，反应釜体的中部设有硅片架，反应釜体由硅片架及硅片平分为左右两个腔室，盛放蚀刻溶液器皿通过管道分别连接至两个腔室，泵设于管道的...
巢炎刘先欢王志权姚安琦吴立群席俊华
文献传递
制造可控走向的硅纳米线的方法
本发明公开了一种制造可控走向的硅纳米线的方法，包括如下步骤：(一)对硅片进行清洗；(二)对硅片进行表面处理，在硅片表面镀一层贵金属涂层；(三)在电场方向可调的反应釜内采用刻蚀溶液对镀银后的硅片进行刻蚀；(四)去除硅片表面...
巢炎王志权刘先欢姚安琦吴立群席俊华
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制备可控硅表面纳米结构的电磁耦合装置
本实用新型属于硅表面加工技术领域，具体涉及一种制备可控硅表面纳米结构的电磁耦合装置。本实用新型电磁耦合装置包括：反应釜、电源；反应釜包括筒状的衔铁，衔铁的上口、下口分别由顶盖、底盖封住，衔铁的内壁安装有对称的两石墨电极，...
巢炎刘先欢姚安琦王志权
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一种在电磁耦合场作用下制备硅纳米结构的方法
本发明属于硅表面加工技术领域，具体涉及一种硅表面纳米结构的可控性加工方法，其包括如下步骤：步骤一，对硅片进行贵金属涂；步骤二，制备硅纳米结构：一反应釜中盛入蚀刻溶液，反应釜设置电场发生装置以及磁场发生装置；步骤一的硅片置...
巣炎 刘先欢 姚安琦王志权
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一种制备可控硅表面纳米结构的电磁耦合装置
本发明属于硅表面加工技术领域，具体涉及一种制备可控硅表面纳米结构的电磁耦合装置。本发明电磁耦合装置包括：反应釜、电源；反应釜包括筒状的衔铁，衔铁的上口、下口分别由顶盖、底盖封住，衔铁的内壁安装有对称的两石墨电极，两侧石墨...
巢炎刘先欢姚安琦王志权
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控制硅纳米线走向的装置
本发明公开了一种控制硅纳米线走向的装置，包括反应釜体、可调电源、控制单元、盛放蚀刻溶液器皿和泵，反应釜体的中部设有硅片架，反应釜体由硅片架及硅片平分为左右两个腔室，盛放蚀刻溶液器皿通过管道分别连接至两个腔室，泵设于管道的...
巢炎刘先欢王志权姚安琦吴立群席俊华
制造可控走向的硅纳米线的方法
本发明公开了一种制造可控走向的硅纳米线的方法，包括如下步骤：(一)对硅片进行清洗；(二)对硅片进行表面处理，在硅片表面镀一层贵金属涂层；(三)在电场方向可调的反应釜内采用刻蚀溶液对镀银后的硅片进行刻蚀；(四)去除硅片表面...
巢炎王志权刘先欢姚安琦吴立群席俊华
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一种在电磁耦合场作用下制备硅纳米结构的方法
本发明属于硅表面加工技术领域，具体涉及一种硅表面纳米结构的可控性加工方法，其包括如下步骤：步骤一，对硅片进行贵金属涂；步骤二，制备硅纳米结构：一反应釜中盛入蚀刻溶液，反应釜设置电场发生装置以及磁场发生装置；步骤一的硅片置...
巣炎 刘先欢 姚安琦王志权
一种制备可控硅表面纳米结构的电磁耦合装置
本发明属于硅表面加工技术领域，具体涉及一种制备可控硅表面纳米结构的电磁耦合装置。本发明电磁耦合装置包括：反应釜、电源；反应釜包括筒状的衔铁，衔铁的上口、下口分别由顶盖、底盖封住，衔铁的内壁安装有对称的两石墨电极，两侧石墨...
巢炎刘先欢姚安琦王志权
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