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李涛

作品数：5 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇中文专利

主题

  • 5篇存储器
  • 3篇惰性电极
  • 2篇低阻
  • 2篇电极
  • 2篇叠层
  • 2篇读取方法
  • 2篇料层
  • 2篇均一性
  • 2篇互补型
  • 2篇本征
  • 2篇衬底
  • 1篇氧空位
  • 1篇氧离子
  • 1篇退火
  • 1篇退火处理
  • 1篇离子
  • 1篇界面层

机构

  • 5篇中国科学院

作者

  • 5篇张宝顺
  • 5篇曾中明
  • 5篇王超
  • 5篇杜刚
  • 5篇李涛

年份

  • 2篇2019
  • 3篇2017
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
互补型阻变存储器及其非破坏性读取方法
本发明公开了一种互补型阻变存储器，包括两个结构相同的反串联连接的电化学金属化存储单元；电化学金属化存储单元包括依次叠层设置的活性电极层、阻变材料层和惰性电极层；其中，当电化学金属化存储单元处于高阻态时，向活性电极层施加“...
杜刚李涛王超曾中明张宝顺
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低形成电压的阻变存储器及其制备方法
本发明公开了一种低形成电压的阻变存储器，包括依次叠层设置在衬底上的惰性电极层、电阻转变层和活性电极层；还包括设置在电阻转变层和活性电极层之间的一含有缺陷的界面层。本发明还公开了上述低形成电压的阻变存储器的制备方法，包括步...
杜刚王超李涛曾中明张宝顺
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互补型阻变存储器及其非破坏性读取方法
本发明公开了一种互补型阻变存储器，包括两个结构相同的反串联连接的电化学金属化存储单元；电化学金属化存储单元包括依次叠层设置的活性电极层、阻变材料层和惰性电极层；其中，当电化学金属化存储单元处于高阻态时，向活性电极层施加“...
杜刚李涛王超曾中明张宝顺
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阻变存储器及其制备方法
本发明公开了一种阻变存储器，包括依次叠层设置于衬底上的第一电极、阻变材料层、第二电极，还包括间隔形成于第一电极与阻变材料层界面处或/和第二电极与阻变材料层界面处的导电凸起阵列。该阻变存储器通过在第一电极或/和第二电极与阻...
杜刚王超李涛曾中明张宝顺
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阻变存储器及其制备方法
本发明公开了一种阻变存储器，包括依次叠层设置于衬底上的第一电极、阻变材料层、第二电极，还包括间隔形成于第一电极与阻变材料层界面处或/和第二电极与阻变材料层界面处的导电凸起阵列。该阻变存储器通过在第一电极或/和第二电极与阻...
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