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苏文虎

作品数：25 被引量：2H指数：1
供职机构：中国工程物理研究院激光聚变研究中心更多>>
相关领域：金属学及工艺一般工业技术理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 24篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 3篇金属学及工艺
  • 3篇一般工业技术
  • 1篇化学工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 6篇晶体
  • 5篇涂膜
  • 5篇激光
  • 5篇光学
  • 4篇夹具
  • 4篇KDP晶体
  • 3篇底座
  • 3篇钝角
  • 3篇压杆
  • 3篇元件
  • 3篇锐角
  • 3篇进给
  • 3篇进给量
  • 3篇均匀性
  • 3篇工装
  • 3篇光学加工
  • 3篇侧棱
  • 3篇大口径
  • 2篇低聚
  • 2篇低聚物

机构

  • 25篇中国工程物理...

作者

  • 25篇苏文虎
  • 24篇张剑锋
  • 24篇张帅
  • 23篇张利平
  • 23篇雷向阳
  • 15篇张清华
  • 15篇惠浩浩
  • 12篇杨伟
  • 9篇许乔
  • 9篇王健
  • 3篇袁志刚
  • 2篇王伟
  • 1篇潘峰
  • 1篇侯晶
  • 1篇王震

传媒

  • 1篇机械工程师

年份

  • 2篇2025
  • 1篇2024
  • 3篇2022
  • 3篇2021
  • 6篇2020
  • 1篇2019
  • 8篇2018
  • 1篇2016
共 25 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
侧棱/侧边切削工装
本申请涉及机械加工和光学加工领域，具体而言，涉及一种侧棱/侧边切削工装，包括底座、支撑件及紧固组件。支撑件固定在底座顶面，支撑件的至少两侧分别具有第一安装面和第二安装面，第一安装面与顶面的夹角为直角，第二安装面与顶面的夹...
张利平张剑锋苏文虎张帅高锐雷向阳王健张清华刘明才杨欢
文献传递
一种折射率可调的紫外固化薄膜及其制备方法
本发明提供了一种折射率可调的紫外固化薄膜及其制备方法，制备方法包括：将原硅酸乙酯、去离子水和有机溶剂混合，在8‑12℃反应12‑24h制得低聚物，接着在45‑55℃陈化48‑72h，通过低聚物自组装团簇制得SiO<Sub...
邓雪然雷向阳杨伟张清华惠浩浩马红菊张剑锋王梓龙张帅苏文虎张利平王健许乔
光学元件疵病的抑制设备及方法
本申请提供一种光学元件疵病的抑制设备及方法，该光学元件疵病的抑制设备包括：吹扫装置、吸附装置、第一吸盘和洁净容器，吸附装置、吹扫装置与第一吸盘均安装在洁净容器中；吹扫装置的出风口对向光学元件的待吹扫面；第一吸盘设置于洁净...
张剑锋张帅雷向阳安晨辉汪圣飞高锐苏文虎张利平王健许乔
文献传递
KDP晶体的清洗方法
本发明提供了一种KDP晶体的清洗方法，包括以下步骤：惰性气体保护下，将KDP晶体浸入清洗液中静置1.5‑2.5h，然后依次采用频率为35‑45kHz、90‑110kHz和170‑190kHz的超声波对其进行清洗，清洗时间...
邓雪然杨伟雷向阳张清华惠浩浩马红菊张剑锋王梓龙张帅苏文虎张利平王健许乔
文献传递
侧棱/侧边切削工装
本申请涉及机械加工和光学加工领域，具体而言，涉及一种侧棱/侧边切削工装，包括底座、支撑件及紧固组件。支撑件固定在底座顶面，支撑件的至少两侧分别具有第一安装面和第二安装面，第一安装面与顶面的夹角为直角，第二安装面与顶面的夹...
张利平张剑锋苏文虎张帅高锐雷向阳王健张清华刘明才杨欢
KDP晶体的清洗方法
本发明提供了一种KDP晶体的清洗方法，包括以下步骤：惰性气体保护下，将KDP晶体浸入清洗液中静置1.5‑2.5h，然后依次采用频率为35‑45kHz、90‑110kHz和170‑190kHz的超声波对其进行清洗，清洗时间...
邓雪然杨伟雷向阳张清华惠浩浩马红菊张剑锋王梓龙张帅苏文虎张利平王健许乔
一种在真空系统中双面镀膜的翻转装置和镀膜方法
本发明提供了一种在真空系统中双面镀膜的翻转装置和镀膜方法，属于半导体晶圆镀膜技术领域。包括箱体、闸门、轨道组件以及夹持组件；箱体具有相互连通的镀膜腔体和翻转腔体，镀膜腔体用于安装镀膜器件；闸门安装于箱体以分隔镀膜腔体和翻...
金波佳苏文虎张剑锋马红菊侯晶张帅潘峰朱玉洁王震
提拉涂膜夹具、提拉涂膜设备及提拉涂膜方法
本申请提供了提拉涂膜夹具、提拉涂膜设备及提拉涂膜方法，涉及化学膜制备技术领域。一种提拉涂膜夹具，包括主体、密封圈和两个压杆。主体具有凹槽和围设于凹槽四周的平台，平台用于放置待涂膜元件。密封圈围设于凹槽的四周且与平台密封连...
惠浩浩雷向阳杨伟邓雪然王天宇袁志刚张帅马红菊张剑锋苏文虎高睿张利平朱玉洁张清华
晶体涂膜元件及其制备方法、晶体膜系
本申请涉及激光材料领域，具体而言，涉及一种晶体涂膜元件及其制备方法、晶体膜系。晶体涂膜元件包括：晶体基底；覆盖于所述晶体基底的匹配膜，所述匹配膜的材料为聚甲基硅氧烷与SiO<Sub>2</Sub>的混合物；以及覆盖于所述...
惠浩浩雷向阳杨伟邓雪然王天宇张帅苏文虎马红菊张剑锋张利平张清华
文献传递
KDP晶体切削温度的测量方法
本发明提供一种飞切加工KDP晶体过程中测量晶体切削区域温度的方法，包括以下步骤：1)获取KDP晶体材料的参数；2)为仿真软件设置切削速度、切削深度和进给量；3)使用有限元仿真软件仿真KDP晶体切削过程；4)调制变色材料；...
安晨辉冯可许乔雷向阳张剑锋张帅苏文虎张利平王伟
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