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张辉

作品数:2 被引量:4H指数:1
供职机构:上海航天技术研究院更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇电场
  • 1篇阻值
  • 1篇闩锁
  • 1篇闩锁效应
  • 1篇微光
  • 1篇可控硅
  • 1篇击穿
  • 1篇激光
  • 1篇激光诱导
  • 1篇SCR

机构

  • 2篇上海航天技术...

作者

  • 2篇张辉
  • 1篇祝伟明
  • 1篇刘大鹏
  • 1篇刘楠

传媒

  • 1篇半导体技术

年份

  • 1篇2018
  • 1篇2015
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
一种过电应力导致的双极型功率晶体管失效分析
本文针对一种双极型功率晶体管的失效问题进行了分析.通过Ⅳ特性测试,双极型晶体管的基极与发射极接近短路,基极与集电极呈电阻特性,导致了应用电路的输出电压发生跳变,从而引发系统失效.针对失效双极型晶体管开展了一系列的试验,从...
孔泽斌廉鹏飞张辉刘相全罗宇华
由栅氧损伤引起闩锁效应的失效分析被引量:4
2015年
随着MOS器件特征尺寸的缩小和栅氧化层厚度的减薄,栅氧损伤成为MOS集成电路在实际应用中的主要失效模式之一。闩锁是CMOS集成电路结构所固有的寄生效应,寄生的可控硅结构一旦被特定条件触发,会在电源与地之间形成大电流通路,导致整个器件失效。对一例由栅氧损伤引起器件闩锁效应的失效进行分析。通过微光显微镜(EMMI)技术和激光诱导阻值变化(OBIRCH)技术进行失效定位,在电路板级通信状态下进行闩锁效应复现及验证。最后通过分析损伤所在的电路功能和器件结构,阐述闩锁效应形成的机理。
刘楠刘大鹏张辉祝伟明
关键词:闩锁效应
共1页<1>
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