李娟
- 作品数：3 被引量：1H指数：1
- 供职机构：上海航天技术研究院更多>>
- 相关领域：电气工程航空宇航科学技术电子电信更多>>
- 多层瓷介电容器绝缘特性RC的研究被引量：1
- 2015年
- 采用N-沟道MOS场效应晶体管搭建电路,测得了多层瓷介电容器通过本身绝缘电阻放电的时间常数τ,对比了Ni和Pd/Ag内电极多层瓷介电容器的绝缘特性RC(绝缘电阻乘以电容量)指标,分析了Ni内电极绝缘特性较差的原因和潜在风险。结果表明:RC反映了介质材料的本身属性,代表电容器通过本身绝缘电阻放电的时间常数τ;Ni内电极的RC考核指标相对于Pd/Ag内电极从1 000 s降至100 s;Ni内电极多层瓷介电容器在高可靠长寿命电路使用时应提高其绝缘特性RC的考核指标。
- 李娟张超
- 关键词：多层瓷介电容器时间常数氧空位
- 一种功率运算放大器失效机理的研究
- 2020年
- 对一种功率运算放大器的失效问题进行了研究并分析了失效机理。功率运算放大器在测试时发生失效,同时,-20 V供电电源电压在加电过程中存在波动。通过内部目检发现失效芯片内部驱动晶体管及相连的金属均存在过流烧毁形貌。对失效功率运算放大器和良好功率运算放大器进行红外热成像分析,失效器件的温升总体比台温高10℃。通过失效分析,供电电源发生快速突跳导致了功率运算放大器内的晶体管在导通和关断之间快速切换形成热量累积效应,从而导致器件烧毁,造成功率运算放大器过流失效。对电源输出波形异常原因进行分析,电源限流过小导致电源电压降低,从而造成加电时快速突跳。最后,搭建测试电路对功率运算放大器进行复现实验,进一步证明了器件的失效机理。
- 廉鹏飞孔泽斌陈倩杨洋李娟祝伟明楼建设王昆黍
- 关键词：功率运算放大器电源过流限流
- 片式钽电容器二氧化锰层固有批次性质量缺陷失效分析
- 2020年
- 对一起由于片式钽电容器二氧化锰层固有质量缺陷引起的批次性质量问题进行深入分析,结果显示钽芯周围阴极二氧化锰层质量结构上存在规律性分布不均,会导致产品加电、断电过程中冲击电流向钽芯底面顶点位置集中而引发失效,该案例反映出目前片式钽电容器业内在阴极二氧化锰层控制上还存在盲区,结合已有的剖面数据和目前行业制造水平对二氧化锰层控制要求进行了初步给定,但由于尚缺乏系统二氧化锰层可靠性研究数据,故业内厂家仍需进一步优化工艺参数,累积可靠性数据,完备工艺控制和质量控制方法。
- 李娟李春朱敏蔚孔泽斌祝伟明
- 关键词：片式钽电容器
