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董晶

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：浙江师范大学数理与信息工程学院更多>>
发文基金：国家重点实验室开放基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇电导
  • 1篇电导率
  • 1篇氢化非晶硅
  • 1篇稀释度
  • 1篇硅薄膜
  • 1篇非晶
  • 1篇非晶硅
  • 1篇非晶硅薄膜
  • 1篇PECVD
  • 1篇PECVD法
  • 1篇PECVD法...

机构

  • 1篇浙江师范大学

作者

  • 1篇刘剑
  • 1篇黄仕华
  • 1篇董晶

传媒

  • 1篇浙江师范大学...

年份

  • 1篇2014
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
PECVD法制备氢化非晶硅薄膜材料被引量：1
2014年
采用等离子增强化学气象沉积(plasma enhanced chemical vapor deposition,PECVD)法在普通玻璃上沉积非晶硅薄膜材料.通过控制变量分别研究了p,n层的掺杂浓度、氢稀释度及i层的反应气压对薄膜材料性能的影响.结果表明:p层材料在掺杂浓度为6.67%、氢稀释度为10.6时有较高的暗电导率和较低的沉积速率;n层材料在掺杂浓度为3.33%、氢稀释度为8.3时有较高的暗电导率和较低的沉积速率;i层材料在反应气压为95 Pa、氢稀释度为15时有较高的光暗电导率之比.
黄仕华董晶沈佳露刘剑
关键词：PECVD非晶硅薄膜电导率
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共1页<1>
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