向飞
- 作品数：6 被引量：2H指数：1
- 供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
- 发文基金：模拟集成电路重点实验室基金更多>>
- 相关领域：电子电信核科学技术环境科学与工程更多>>
- 背漏极MOSFET晶圆动态参数测试结构及方法
- 本发明涉及一种背漏极MOSFET晶圆动态参数测试结构及方法，包括晶圆托盘和漏极测试板，所述漏极测试板的背面紧密贴合在晶圆托盘的侧面上，所述漏极测试板的背面设置有D极连接部；所述漏极测试板的正面设置有测试线连接部和电源线连...
- 岑政向飞蔡建荣罗寻罗俊杨晓强韩星吴兆希王祖正
- 抗辐射加固场效应管
- 付晓君唐昭焕许斌刘伦才刘凡杨丰王斌向飞王建安任芳孟华群许沄胡波黄炜向凡
- 抗辐射加固设计技术，抗辐射加固技术指标：抗总剂量：≥300Krad(Si)；抗单粒子≥75MeV/mg/cm<'2>；抗中子≥1E14n/cm<'2>；抗瞬态剂量率≥1E11 rad(Si)/s；产品电参数指标：P沟道场...
- 关键词：
- 一种无需基准电压的过温保护电路被引量：1
- 2023年
- 本文介绍了一种无需基准电压的过温保护电路,将具有正温度系数的不同面积三极管BE结电压差放大后再与具有负温度系数的三极管BE结电压进行比较,产生过温保护控制信号。采用对电源电压不敏感的电流偏置结构,保证了过温保护点和过温恢复点的电压稳定性。基于4μm双极工艺设计和流片,测试结果表明:过温保护点在160℃~165℃,过温恢复点在145℃~155℃,与设计值基本吻合。
- 向飞夏俊苟超
- 关键词：过温保护电路双极工艺
- 一种基于SiGe工艺的ECL环形振荡器被引量：1
- 2011年
- 介绍了一种基于SiGe平面集成电路工艺制作的ECL环形振荡器,采用15级反相器闭环结构,能够产生280 MHz高频振荡信号,振荡周期为3.58 ns,平均每级反相器延迟为119 ps。该电路结构简单、易集成、成本低,可广泛移植于各类片上系统,用作时钟信号源等。
- 何峥嵘向飞谭开洲肖伟
- 关键词：SIGEECL环形振荡器反相器
- 一种抗辐射加固带隙基准的设计方法
- 2023年
- 介绍了一种双极型抗总剂量辐射带隙基准的设计方法。该方法基于带隙基准结构,通过引入负反馈采样电路,来补偿总剂量辐照后晶体管性能退化引起的基准电压漂移,动态维持基准电压的初始精度,减小总剂量辐照的影响。同时,给出了实验结果,展示了抗总剂量辐照带隙基准取得的有益效果。该抗总剂量辐射带隙基准的设计方法是在电路结构设计上开展的加固优化设计,结合工艺加固措施,可一定程度上提升基准电路的抗总剂量能力,通过线路扩展可形成一个完整的抗辐射带隙基准单元。
- 梁盛铭向飞王菡苟超钟英俊
- 关键词：总剂量辐照带隙基准电流增益
