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稀土元素掺杂AgSnO2触头材料的计算与研究: 绿色无毒、性能优越的AgSnO2触头材料最有潜力替代有毒的AgCdO触头材料。Ag的导电性和SnO2的热稳定性，造就了AgSnO2触头材料优越的耐电弧侵蚀性、耐磨损性和耐熔焊性。但是，AgSnO2触头材料中的第二相SnO...; 蔡亚楠; 关键词：AGSNO2触头材料第一性原理计算溶胶-凝胶法; 文献传递

稀土元素掺杂AgSnO_2触头材料的第一性原理理论研究（英文）被引量：3: 2017年; AgSnO_2触头材料中Ag具有良好的导电性,SnO_2具有较高的热稳定性。但是,SnO_2是一种宽禁带半导体,近乎绝缘,使得AgSnO_2触头材料的电阻较大。通过对SnO_2进行掺杂,使SnO_2由绝缘改性为导电,能有效改善AgSnO_2的电性能。采用第一性原理研究了稀土元素La、Ce、Nd掺杂后的电子结构,对纯SnO_2和掺杂SnO_2的晶体结构、能带结构、态密度进行了分析对比。晶格数据表明,稀土元素掺杂SnO_2引起的晶格畸变与掺杂原子的共价半径大小有关。能带结构表明,稀土掺杂可使Sn O_2的导带向低能端移动,带隙变窄,即导电性提高,且La掺杂时的带隙最小。电子态密度表明,稀土元素特有的f态电子对费米能级处的导带贡献很大,即稀土元素掺杂能提高AgSnO_2触头材料的导电性,且La掺时的费米能级处的态密度值最大。; 蔡亚楠王景芹赵彩甜; 关键词：触头材料导电性第一性原理稀土掺杂 SNO2

基于统计分析的继电器贮存寿命神经网络预测被引量：5: 2016年; 航天继电器长期处于贮存环境,为保证其各阶段始终保持在备用激活状态,必须对继电器的贮存寿命进行预测。本文将因子分析法和回归分析法引入到表征触点电接触可靠性的重要参数——接触电阻的转换中,将25台继电器样品的200对触点在125℃下的接触压降和释放电压双参数数据交叉分为4组进行处理,分析两者与接触电阻的关系,建立函数链神经网络,对接触电阻进行动态预测,进而得到继电器的贮存寿命。分析神经网络预测的整体误差,用92℃的数据对该方法进行检验,得出神经网络的预测误差低于3.5%,证实了统计方法和函数链神经网络的适用性。; 李文华周露露王立国蔡亚楠; 关键词：航天继电器统计分析神经网络预测接触电阻

La掺杂AgSnO_2触头材料的电性能（英文）被引量：1: 2018年; 由于Cd有毒性,AgSnO_2触头材料逐渐取代了AgCdO成为新型触头材料,但由于AgSnO_2触头材料中的SnO_2近乎绝缘,使得触头材料的接触电阻增大,故改善SnO_2的导电性是急需解决的重大难题。本文提出了一种简单的、低成本的La掺杂AgSnO_2触头材料的设计方法。采用模拟计算的方法,利用第一性原理的密度泛函理论平面波超软赝势法,建立了SnO_2以及不同比例La掺杂的SnO_2超晶胞模型,在对其进行几何优化之后分别研究了La掺杂比为50%、25%、16.67%、12.5%、8.34%的SnO_2材料的电子结构,并研究了其晶格参数、能带结构和态密度等。结果表明,掺杂后材料晶胞体积变大。La的5d轨道进入导带,使得导带底向低能端移动,禁带宽度变小。最终得出La掺杂比为16.67%时导电性最佳。最后进行了不同掺杂比下触头材料的电接触性能试验,得到了接触电阻和燃弧能量等电接触性能参数并验证了模拟结果。因此,本文的研究为触头材料的发展和应用提供了理论依据。; 赵彩甜王景芹王海涛蔡亚楠; 关键词：第一性原理电子结构电学性质

La、Ce、Nd掺杂AgSnO2触头材料的理论研究: 在被普遍运用的触头材料AgSnO2中,SnO2是一种宽禁带半导体,导电性极差,因而AgSnO2触头材料的电阻较大.本文运用第一性原理方法研究了稀土元素La、Ce、Nd掺杂AgSnO2触头材料中SnO2后的电子结构,对纯S...; 蔡亚楠王景芹赵彩甜周露露; 关键词：触头材料二氧化锡镧掺杂铈掺杂

确定AgSnO2触头材料中掺杂的稀土元素及其配比的方法: 本发明确定AgSnO2触头材料中掺杂的稀土元素及其配比的方法，涉及包含氧化物的贵金属作为基底材料的触点，利用计算机，通过第一性原理计算，确定AgSnO2触头材料中，使得SnO<...; 王景芹赵彩甜蔡亚楠李若寒关家祥; 文献传递

确定AgSnO2触头材料中掺杂的稀土元素及其配比的方法: 本发明确定AgSnO2触头材料中掺杂的稀土元素及其配比的方法，涉及包含氧化物的贵金属作为基底材料的触点，利用计算机，通过第一性原理计算，确定AgSnO2触头材料中，使得SnO<...; 王景芹赵彩甜蔡亚楠李若寒关家祥

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蔡亚楠