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张潼

作品数:2 被引量:4H指数:1
供职机构:西安理工大学自动化与信息工程学院更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金陕西省教育厅科研计划项目更多>>
相关领域:理学更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇理学

主题

  • 2篇单晶
  • 1篇单晶炉
  • 1篇单晶生长
  • 1篇低阶模型
  • 1篇电阻
  • 1篇预测控制
  • 1篇直拉法
  • 1篇熔体
  • 1篇坩埚
  • 1篇网络
  • 1篇网络建模
  • 1篇模型预测控制
  • 1篇晶体
  • 1篇硅单晶
  • 1篇硅单晶生长
  • 1篇硅晶
  • 1篇硅晶体
  • 1篇MPC
  • 1篇测控
  • 1篇FLUENT

机构

  • 2篇西安理工大学

作者

  • 2篇弋英民
  • 2篇张潼
  • 1篇刘丹

传媒

  • 2篇西安理工大学...

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2014
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
直拉法硅晶体生长中单晶炉坩埚内熔体的数值模拟被引量:4
2014年
硅晶体生长过程的模拟主要采用专用仿真软件或通用编程软件。目前针对专用仿真软件授权费用高、通用编程软件编程难度大且需要较高的编程技巧和理论水平这一缺陷,本文研究使用通用流体仿真软件Fluent模拟了单晶炉坩埚内熔体的流场和热场,并用Wheeler标准问题检验仿真结果。仿真结果表明,Fluent所得结果通过了Wheeler标准问题的验证,说明采用Fluent作为单晶炉模拟软件,对大尺寸硅单晶炉晶体生长过程中坩埚内硅熔体的多场问题进行数值仿真,为实际硅单晶生长热场设计及优化提供了依据。
弋英民张潼刘丹
关键词:单晶炉FLUENT
CZ法硅单晶生长电阻网络建模及MPC仿真分析
2016年
CZ法硅单晶生长系统具有强非线性及大滞后的特点。本文就该系统建立了传热传质的低阶模型,计算了该模型在初始条件下的稳态解,并进行线性化处理及分析,根据系统的可控性及稳定性确定控制策略,并设计控制器。结果表明:在低阶模型中,采用Gevelber提出的简化辐射角系数能较好的反映工业中晶体生长过程特性;系统线性化后的性能分析表明,仅将加热器功率作为输入时,系统是不可控不稳定的,故采用模型预测控制算法作为控制策略,设计了无干扰无延迟的无约束模型预测控制器和无干扰有延迟的无约束模型预测控制器,仿真结果验证了所设计的方法的有效性。
弋英民张潼
关键词:低阶模型模型预测控制
共1页<1>
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