您的位置： 专家智库 > >

邹文兵

作品数：1 被引量：3H指数：1
供职机构：中南大学机电工程学院更多>>
发文基金：湖南省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 1篇阵列
  • 1篇凸起
  • 1篇面粗糙度
  • 1篇化学机械抛光
  • 1篇机械抛光
  • 1篇光纤
  • 1篇光纤组件
  • 1篇表面粗糙度
  • 1篇粗糙度

机构

  • 1篇中南大学

作者

  • 1篇刘德福
  • 1篇邹文兵
  • 1篇陈广林
  • 1篇胡庆

传媒

  • 1篇表面技术

年份

  • 1篇2015
共 1 条 记 录，以下是 1-1
全选 清除 导出
排序方式：
阵列光纤组件端面的化学机械抛光试验研究被引量：3
2015年
目的设计合理的抛光工艺方案,获得平整的阵列光纤组件端面。方法采用单因素实验法研究抛光工艺参数对阵列光纤表面粗糙度与光纤凸起量的影响,利用光学表面轮廓仪与扫描电镜进行分析与观察。结果在抛光液磨粒质量分数为2%,抛光液流量为15 m L/min,抛光压力为50 k Pa,抛光盘转速为30 r/min的条件下,可以获得平整的阵列光纤组件端面。结论应用化学机械抛光技术加工阵列光纤组件,并设计合理工艺方案,可获得平整的阵列光纤组件端面,其表面粗糙度可低至42.6 nm,光纤凸起值可低至0.14μm。
邹文兵刘德福胡庆陈广林
关键词：化学机械抛光表面粗糙度
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0