李沛林
- 作品数：4 被引量：6H指数：2
- 供职机构：兰州大学更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- PECVD淀积Si_3N_4作为光刻掩膜版的保护膜被引量：2
- 2009年
- 采用等离子增强化学汽相淀积(PECVD)方法淀积Si3N4薄膜作为光刻掩膜版的保护膜,可以降低掩膜版受损程度,延长使用寿命。分析了Si3N4膜厚的选取要求,给出了PECVD淀积Si3N4膜的工艺条件。实际制作了带有Si3N4保护的光刻掩膜版,并与不带Si3N4保护的掩膜版的使用情况做了对比。结果表明,带有Si3N4保护的光刻掩膜版的使用寿命可明显延长2倍以上。
- 张晓情李沛林王敬松杨建红
- 关键词：氮化硅光刻版保护膜
- 基于CPLD控制的ESD信号发生器
- 人体在日常生活中通过接触、感应、吸附而带电。当带电的人手碰触电子元器件或者集成电路(IC)时，人体的静电得以释放，其产生的高压脉冲信号可造成电子系统的永久性失效。特别是在集成电路(IC)领域，由于器件的特征尺寸的持续减小...
- 李沛林
- 关键词：静电放电电压发生器高压开关信号发生器
- 文献传递
- 一种高精度BiCMOS电流模带隙基准源被引量：2
- 2010年
- 采用Xfab0.35μmBiCMOS工艺设计了一种高电源抑制比(PSRR)、低温漂、输出0.5V的带隙基准源电路。该设计中,电路采用新型电流模带隙基准,解决了传统电流模带隙基准的第三简并态的问题,且实现了较低的基准电压;增加了修调电路,实现了基准电压的微调。利用Cadence软件对其进行仿真验证,其结果显示,当温度在-40～+120℃范围内变化时,输出基准电压的温度系数为15ppm/℃;电源电压在2～4V范围内变化时,基准电压摆动小于0.06mV;低频下具有-102.6dB的PSRR,40kHz前电源抑制比仍小于-100dB。
- 李沛林杨建红
- 关键词：电源电压抑制比温度系数
- 一种新型ESD电压发生器的设计与调试被引量：2
- 2008年
- 针对静电放电(Electro-static Discharge,简称ESD)对芯片造成损伤的现象,研究了静电放电发生的过程及产生的原因。首先阐述了几种常见的模拟静电放电过程的模型,然后利用彩色电视机的一体式行回扫变压器作为直流高压源、串联SCR作为高压开关,设计并制作出符合IEEE Std C62,38-1994标准的ESD人体模型实验发生仪器,并对ESD人体放电模型中的body/finger模型进行了实验模拟。最后给出放电电压为4kV时测量的ESD电流脉冲波形,并与理想放电波形进行对比,其结果验证了该方案的可行性和易操作性。
- 林中瑀李沛林王星辉杨建红
- 关键词：发生器
