董国栋
- 作品数：2 被引量：2H指数：1
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- 沟道长度对碳纳米管薄膜晶体管阈值电压的调控作用
- 2017年
- 根据碳纳米管薄膜晶体管特有的渗流输运机制,通过改变器件的沟道长度实现了对器件阈值电压的调控。与通常的晶体管阈值电压调控方法相比,该方法具有工艺简单且阈值电压调控范围大的优势。这种阈值调控方法不仅是对常规晶体管阈值调控方法的有益补充,同时也对碳纳米管薄膜晶体管的实际应用进程具有重要的促进作用。
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- 关键词：碳纳米管薄膜晶体管阈值电压沟道长度
- 碳纳米管薄膜晶体管中的接触电阻效应被引量：2
- 2016年
- 利用不同功函数的金属作为接触电极,研究了网络状碳纳米管薄膜晶体管(CNT-TFT)的接触电阻效应。研究表明金属Pd与碳纳米管薄膜形成良好的欧姆接触,Au则形成近欧姆接触,这两种接触的器件的开态电流和迁移率较高。Ti和Al都与碳纳米管薄膜形成肖特基接触,且Al接触比Ti接触的势垒更高,接触电阻也更大,相应器件的开态电流和迁移率都较低。该结果表明对于CNT-TFT仍然可以通过接触来调控器件的性能,这对CNT-TFT的实用化进程具有重要的促进作用。
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- 关键词：碳纳米管薄膜晶体管接触电阻欧姆接触肖特基势垒
