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桑飞

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：北京大学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇会议论文
  • 1篇专利

主题

  • 2篇电子迁移率
  • 2篇增强型
  • 2篇迁移率
  • 1篇氮化镓
  • 1篇电力
  • 1篇电力电子
  • 1篇电力电子器件
  • 1篇电子器件
  • 1篇异质结
  • 1篇异质结材料
  • 1篇晶体管
  • 1篇绝缘栅
  • 1篇刻蚀
  • 1篇高电子迁移率
  • 1篇高电子迁移率...
  • 1篇饱和电流
  • 1篇GAN
  • 1篇高性能

机构

  • 2篇北京大学
  • 1篇苏州晶湛半导...

作者

  • 2篇桑飞
  • 1篇王茂俊
  • 1篇郝一龙
  • 1篇陶明

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2015
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
基于栅刻蚀的高性能增强型GaN MOSHEMT
型工作的实现仍然是氮化镓电力电子器件制备的难点,常规栅刻蚀工艺在沟道区域引入的损伤使得载流子的迁移率急剧降低,严重影响器件的导通电阻1,2.通过材料结构设计和器件工艺的配合,在硅基GaN异质结结构上实现了一种自停止、无损...
王茂傻林书勋桑飞陶明文正郝一龙沈波程凯
关键词：高电子迁移率晶体管氮化镓
一种提高增强型GaN MOS沟道迁移率的器件结构及实现方法
一种提高增强型GaN MOS沟道迁移率的器件结构及实现方法，本发明属于微电子技术领域，涉及GaN基电力电子器件制作。所述结构包括衬底、GaN或AlN缓冲层、InGaN层、GaN层、AlGaN层、掩膜介质层，绝缘栅介质层和...
王茂俊桑飞陶明郝一龙
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