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吴云

作品数：39 被引量：1H指数：1
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信化学工程一般工业技术自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 38篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 16篇电子电信
  • 4篇化学工程
  • 2篇自动化与计算...
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇文化科学

主题

  • 20篇石墨
  • 20篇石墨烯
  • 13篇晶体管
  • 11篇电极
  • 11篇场效应
  • 11篇场效应晶体管
  • 10篇自对准
  • 6篇栅介质
  • 6篇自对准工艺
  • 6篇波导
  • 5篇信号
  • 5篇探测器
  • 5篇金刚石
  • 5篇金属
  • 5篇混频
  • 5篇刚石
  • 5篇衬底
  • 4篇信号处理
  • 4篇芯片
  • 4篇纳米

机构

  • 39篇中国电子科技...

作者

  • 39篇吴云
  • 15篇李忠辉
  • 11篇郁鑫鑫
  • 11篇顾晓文
  • 7篇周建军
  • 6篇孔月婵
  • 6篇霍帅
  • 2篇赵志飞
  • 2篇陈堂胜
  • 2篇李赟
  • 2篇牛斌
  • 2篇孙梦龙

传媒

  • 1篇光电子技术

年份

  • 3篇2025
  • 2篇2024
  • 8篇2023
  • 5篇2022
  • 6篇2021
  • 4篇2020
  • 2篇2019
  • 3篇2018
  • 1篇2017
  • 4篇2016
  • 1篇2014
共 39 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种基于电极超结构的硅波导石墨烯光电探测器芯片及其制备方法
本发明公开了一种基于电极超结构的硅波导石墨烯光电探测器芯片及其制备方法，包括：垂直耦合光栅，位于衬底上方；硅波导，位于衬底上方，并连接到所述垂直耦合光栅；石墨烯薄膜，位于所述硅波导的上方；漏电极和源电极，覆盖在所述石墨烯...
张广琦吴云曹正义陶然顾晓文李忠辉
一种采用介质牺牲层工艺制备石墨烯场效应晶体管的方法
本发明公开了一种采用介质牺牲层工艺制备石墨烯场效应晶体管的方法，包括步骤如下：(1)石墨烯转移；(2)隔离区工艺；(3)介质牺牲层生长；(4)源/漏电极制备；(5)自对准工艺；(6)栅电极制备；完成石墨烯场效应晶体管制备...
曹正义吴云顾晓文魏仲夏
文献传递
一种基于离子束诱导的金刚石选区相变方法及其应用
本发明公开了一种基于离子束诱导的金刚石选区相变方法及其应用，属于半导体技术领域。上述方法步骤为：(1)在金刚石表面制备具有选区图形的离子束阻挡层，接着置于温度为400‑1000℃的高温环境中，通过离子束辐照处理，使未被离...
陶然郁鑫鑫吴云曹正义张广琦谯兵李忠辉
CVD石墨烯温度传感器、传感系统及温度传感器制备方法
本发明公开了一种CVD石墨烯温度传感器、传感系统及温度传感器制备方法，其中的温度传感器为层状结构，自下而上依次包括刚性导热衬底层、石墨烯层、三氧化二铝缓冲层和三氧化二铝保护层。本发明的温度传感器与现有技术相比，其有益效果...
孙梦龙吴云霍帅
文献传递
一种用于低维材料无水湿法转移的无水液体及其应用
本发明公开了一种用于低维材料无水湿法转移的无水液体及其应用，无水液体包括按质量百分比计60％‑100％组分A和0‑40％组分B，组分A包括三溴甲烷、甲酰胺、苯酚、丙三醇、甲基吡咯烷酮、喹啉中一种或多种，组分B包括丙酮、乙...
陶然吴云曹正义古宸溢郁鑫鑫张广琦李忠辉
一种石墨烯背栅电极的太赫兹波调制器及其制造方法
本申请公开了一种石墨烯背栅电极的太赫兹波调制器制造方法，包括以下步骤：生长和转移第一层石墨烯；光刻石墨烯背栅图形；光刻背栅电极图形并制备背栅电极；生长介质层；生长和转移第二层石墨烯；光刻石墨烯条带图形并制备石墨烯条带；光...
曹正义魏仲夏吴云李忠辉陶然古宸溢
一种金刚石结型场效应晶体管及其制备方法
本发明公开了一种金刚石结型场效应晶体管及其制备方法，晶体管包括本征金刚石衬底；p型金刚石外延层，位于所述本征金刚石衬底的上表面；p型重掺区，位于所述p型金刚石外延层内部的两端；欧姆接触金属，位于所述p型重掺区的上表面；n...
郁鑫鑫周建军陶然吴云李忠辉
采用二维石墨烯薄膜提高电子束纳米栅刻写中衬底导电性的方法
本发明公开一种采用二维石墨烯薄膜提高电子束纳米栅刻写中衬底导电性的方法，包括如下步骤：CVD法制备石墨烯于Cu片、旋涂PMMA或MMA转移载体，并湿法去除Cu片、转移至衬底，并去除PMMA或MMA、旋涂电子束抗蚀剂，并电...
郁鑫鑫吴云周建军
文献传递
一种采用介质牺牲层工艺制备石墨烯场效应晶体管的方法
本发明公开了一种采用介质牺牲层工艺制备石墨烯场效应晶体管的方法，包括步骤如下：(1)石墨烯转移；(2)隔离区工艺；(3)介质牺牲层生长；(4)源/漏电极制备；(5)自对准工艺；(6)栅电极制备；完成石墨烯场效应晶体管制备...
曹正义吴云顾晓文魏仲夏
一种自适应双背栅高速宽带石墨烯光探测器及制备方法
本发明公开了一种自适应双背栅高速宽带石墨烯光探测器，从下到上依次包括：衬底、第一背栅和第二背栅、介质层、第一互联金属电极和第二互联金属电极、石墨烯光探测层，还包括设于石墨烯光探测层上的源极和漏极；其中，第一互联金属电极直...
曹正义吴云李忠辉陶然
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