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郭燕玲: 作品数：14 被引量：5H指数：1; 供职机构：北京工业大学更多>>; 发文基金：北京市自然科学基金国家自然科学基金中国博士后科学基金更多>>; 相关领域：电子电信电气工程更多>>

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具有高特征频率-击穿电压优值的SOI SiGe异质结双极晶体管: 本发明公开了一种具有高特征频率‑击穿电压优值的SOI SiGe异质结双极晶体管。所述晶体管采用薄的N+埋层结构来显著提高N‑集电区内靠近埋氧层一侧的电子浓度，从而通过减小器件的...; 金冬月王利凡张万荣陈蕊郭燕玲郭斌陈虎; 文献传递

高热稳定性超结应变Si/SiGe异质结双极晶体管: 本发明公开了一种具有高热稳定性的超结应变Si/SiGe异质结双极晶体管。所述晶体管采用SiGe虚拟衬底结构，其上分别外延生长弛豫Si1‑yGey次集电区、弛豫Si1‑...; 金冬月赵馨仪张万荣郭燕玲陈蕊王利凡; 文献传递

独立可寻址液晶调谐垂直腔面发射激光器阵列及制备方法: 本发明公开了独立可寻址液晶调谐垂直腔面发射激光器阵列及制备方法，其由垂直腔面发射激光器half‑VCSEL、液晶层和上DBR组成。器件结构自下而上依次为：激光器阵列背面电极(1)、GaAs衬底(2)、下DBR(3)、有源...; 关宝璐李鹏涛赵永东刘储李保志杨嘉炜刘振扬郭燕玲梁津胡丕丽; 文献传递

低功耗三频带低噪声放大器: 本发明提供了一种低功耗三频带低噪声放大器，包括：带有源极电感和栅极电感的共源‑共栅拓扑结构的输入级，能够进行三频带信号放大的电路模块和采用三重电流复用技术的放大输出级，分别实现本发明低噪声放大器的输入阻抗匹配和低的噪声，...; 张万荣温晓伟谢红云金冬月陈鹏辉黄鑫陈吉添刘亚泽吕晓强王娜杨坤孙丹郭燕玲; 文献传递

一种高Q值、电感值可粗调细调的宽频带有源电感: 一种高Q值、电感值可粗调细调的宽频带有源电感，包括：第一跨导单元(1)，调制单元(2)，第二跨导单元(3)，第三跨导单元(4)，第四跨导单元(5)，第一可调偏置电路(6)，第二可调偏置电路(7)，第三可调偏置电路(8)，...; 张万荣杨坤谢红云金冬月吕晓强王娜温晓伟郭燕玲孙丹陈吉添黄鑫; 文献传递

具有高频高压大电流优值的超结集电区SiGe HBT被引量：1: 2016年; 为了在兼顾特征频率(fT)和电流增益(β)的情况下有效提高器件的击穿电压(BVCBO/BVCEO),利用SILVACO TCAD建立了npn型超结集电区Si Ge异质结双极晶体管(heterojunction bipolar transistor,HBT)的器件模型.研究表明:通过在集电结空间电荷区(collector-base space charge region,CB SCR)内引入p型超结层可有效降低"死区"内的电场强度,使较高的电场强度转移至"死区"外较深的CB SCR内,进而在几乎不增加CB SCR宽度的情况下抑制碰撞电离,达到提高击穿电压、改善fT和β的目的.随着p型超结层厚度(dp)的增加,击穿电压BVCBO和BVCEO的改善也越明显.但dp值需优化,较大的dp值将引发Kirk效应,大幅降低器件的fT和β.进一步通过优化p型超结层的dp值,设计出一款dp为0.2μm且具有高频高压大电流优值(fT×BVCEO×β)的新型超结集电区Si Ge HBT.结果表明:与传统Si Ge HBT相比,新器件的fT×BVCEO×β优值改善高达35.5%,有效拓展了功率Si Ge HBT的高压大电流工作范围.; 金冬月王肖张万荣高光渤赵馨仪郭燕玲付强

采用调制晶体管和双反馈回路的有源电感被引量：1: 2017年; 在共源共栅-共漏有源电感的基础上,联合采用调制晶体管和双反馈回路,提出了一种可在不同频率下获得高的品质因子(Q)峰值,且分别可在大、小范围内粗调和细调电感值的新型宽频带可调谐有源电感。基于TSMC 0.18μm CMOS工艺,利用ADS设计软件进行验证。结果表明,该有源电感在0~8.15GHz的工作频率范围内,调节主回路的偏置电压,在频率为4.0,4.85,5.95GHz时,分别获得1 154,666和1 293的高Q峰值。当Q值大于20时,其频率带宽均大于1.5GHz,可以在43~132nH之间粗调电感值的峰值。调节从回路的偏置电压,在5.95GHz固定频率下,获得418~3 517的高Q峰值,且可以在10%比例范围内细调电感值的峰值。; 杨坤张万荣金冬月谢红云吕晓强王娜温晓伟郭燕玲孙丹杜成孝; 关键词：有源电感

一种双回转器有源电感被引量：3: 2017年; 针对基于共源-共栅负跨导器的传统单回转器有源电感(TSAI-CS-CG)的不足,联合采用双回转器结构、负阻网络和负反馈网络,提出了一款兼有大电感值、高Q值、高线性度、宽频带、可调谐特性的双回转器有源电感(DGAI)。基于TSMC0.13μm RF CMOS工艺,利用是德科技公司的射频高级设计系统(ADS)进行验证。结果表明:电感工作频率范围为0~22.5GHz;Q峰值可达6 883;电感的-1 d B压缩点高达-17 dBm;调节外部偏置,在频率为15 GHz下,电感值可从19.59 nH到73.41nH之间进行大范围调节。; 王娜张万荣谢红云金冬月陈吉添吕晓强杨坤温晓伟郭燕玲孙丹董小乔杜成孝; 关键词：有源电感

独立可寻址液晶调谐垂直腔面发射激光器阵列及制备方法: 本发明公开了独立可寻址液晶调谐垂直腔面发射激光器阵列及制备方法，其由垂直腔面发射激光器half‑VCSEL、液晶层和上DBR组成。器件结构自下而上依次为：激光器阵列背面电极(1)、GaAs衬底(2)、下DBR(3)、有源...; 关宝璐李鹏涛赵永东刘储李保志杨嘉炜刘振扬郭燕玲梁津胡丕丽

低功耗三频带低噪声放大器: 本发明提供了一种低功耗三频带低噪声放大器，包括：带有源极电感和栅极电感的共源‑共栅拓扑结构的输入级，能够进行三频带信号放大的电路模块和采用三重电流复用技术的放大输出级，分别实现本发明低噪声放大器的输入阻抗匹配和低的噪声，...; 张万荣温晓伟谢红云金冬月陈鹏辉黄鑫陈吉添刘亚泽吕晓强王娜杨坤孙丹郭燕玲