郑庆平
- 作品数：4 被引量：2H指数：1
- 供职机构：复旦大学材料科学系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 快速氧化生长超薄硅氧化层的变入射角椭圆偏振研究被引量：2
- 1994年
- 采用多角度椭圆偏振光谱测量，并结合一定的数值计算方法，首次同时精确测出了多种工艺条件下由快速热氧化法生长的超薄氧化层厚度与折射率，对该方法生长的氧化层厚度与氧化时间平方根的关系进行了研究并计算了氧化生长速率的温度激活能，同时也对薄氧化层折射率与氧化层厚度的关系进行了探讨．
- 冯星伟苏毅戴自怡陈良尧钱佑华方景松郑庆平
- 关键词：硅椭圆偏振氧化膜
- 多层W-Si薄膜及其与GaAs衬底间的界面特性
- 1992年
- 本文详细叙述了多层W-Si薄膜的制备技术、生长速率、热退火对薄膜性能的影响,薄膜与GaAs衬底间的界面行为等。
- 邵丙铣郑庆平戎瑞芬陈祥君钱向阳
- 关键词：场效应器件GAAS衬底
- 轻掺杂漏LDD MOSFET的工艺及特性
- 1991年
- 对LDD MOSFET的两种形成技术——侧向刻蚀和边墙技术进行了分析和比较,证明了边墙技术对控制轻掺杂区域长度具有更高的精确性;同时,利用边墙技术和全离子注入工艺,在硅栅NMOS工艺基础上,成功地制得了1μm沟道长度的LDD MOSFET.测试结果表明,LDD MOSFET击穿电压高于常规MOSFET 3V以上,同时阈值电压的短沟效应明显减小.这些优点意味着LDD MOSFET结构在VLSI中有着广泛的应用前景.
- 郑庆平章倩苓阮刚陈晓
- 关键词：MOSFETLDD短沟道效应
- 轻掺杂漏(LDD)MOSFET的数值模拟
- 1989年
- 轻掺杂漏(LDD)MOSFET是一种已用在VLSI中的新型MOSFET结构.为了有效地进行LDD MOSFEI的优化设计,我们在二维数值模拟器MINIMOS的基础上,修改了边界条件及输入输出格式,考虑了轻掺杂区的杂质分布,研制成功了一种既适用于常规以MOSFET,又适用于LDD MOSFET的二维数值模拟程序FD-MINIMOS.应用该程序对LDD MOSFET的一系列直流特性模拟的结果表明,不同的轻掺杂浓度对于抑制沟道电场及热电子效应具有不同的效果,为轻掺杂区优化设计提供了重要信息.
- 郑庆平章倩苓阮刚
- 关键词：掺杂MOSFET数值模拟
