- 一种具有常关沟道的高压多异质结器件
- 本发明涉及电力电子技术的新型增强机理的异质结器件，特别涉及一种具有常关沟道的高压多异质结器件，本发明的多异质结型常关沟道器件，主要通过第三半导体层、第四半导体层、第五半导体层、第六半导体层形成多异质结，在栅极下方具有非平...
- 汪志刚陈协助孙江
- 一种功率半导体器件
- 本发明主要涉及功率半导体器件领域，提出了一种功率半导体器件结构。本结构包括功率半导体器件有源区和结终端区；通过在有源区内部填充HK材料降低有源区导通电阻，达到降低功率器件功耗的目的，同时HK材料耐压能力优于硅，可以减小有...
- 汪志刚杨大力王亚南王冰
- 文献传递
- 一种具有电荷补偿层的高压器件
- 本发明涉及半导体技术，特别涉及一种具有电荷补偿层的耐压结构异质结晶体管。本发明主要采用在异质结半导体上方介质层中引入电荷形成电荷补偿层，以实现电荷层中电荷与势垒层下方电荷相互补偿，从而达到漂移区的有效电通量密度接近于最佳...
- 汪志刚陈协助
- 一种超结双向开关
- 本发明公开了一种超结双向开关，其包括至少一个双向开关结构，每个双向开关结构均包括自上而下设置的栅控区、耐压区和集电区，本发明可实现正向导通反向阻断与正向阻断反向导通，有效地避免了传统双向绝缘栅双极性晶体管开关需要双栅控制...
- 汪志刚杨翀
- 文献传递
- 一种绝缘栅双极型晶体管
- 本发明属于半导体技术领域，具体的说涉及一种绝缘栅双极型晶体管。本发明在传统纵向IGBT器件结构的基础上，设置IGBT分流区以及在第三电极处设置第三电极延伸结构和第三电极区高掺杂接收区域，一方面可以实现不同载流子的分流，并...
- 汪志刚王冰
- 一种电场调制载流子存储槽栅双极型晶体管被引量：1
- 2017年
- 提出了一种性能优良的电场调制载流子存储槽栅双极型晶体管(CSTBT)。结合电场调制原理,在器件的载流子存储(CS)层引入P掺杂条,改善器件栅极下方氧化硅拐角处的电场分布,防止器件提前发生雪崩击穿,提高了器件的击穿电压。器件处于关断状态时,内部大量的空穴载流子通过CS层中未完全耗尽的P掺杂条到达发射极,抑制了CS层阻挡空穴的作用,有效提高了器件的关断速度。与传统CSTBT器件相比,改进器件的击穿电压值提高了379V,关断时间缩短了19.1%,器件性能大幅提高。
- 杨大力汪志刚樊冬冬
- 关键词：电场分布击穿电压关断时间
- 一种具有常关沟道的高压多异质结器件
- 本发明涉及电力电子技术的新型增强机理的异质结器件，特别涉及一种具有常关沟道的高压多异质结器件，本发明的多异质结型常关沟道器件，主要通过第三半导体层、第四半导体层、第五半导体层、第六半导体层形成多异质结，在栅极下方具有非平...
- 汪志刚陈协助孙江
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- 一种高性能快速关断型槽栅MOS器件被引量：1
- 2017年
- 提出了一种高性能快速关断型槽栅MOS器件.与常规型器件相比,这种新型器件在氧化槽内引入了两个垂直场板,这不仅使得器件在漂移区内引入了两个新的电场峰值,增大了器件的击穿电压BV,而且使得器件垂直漏场板周围形成了一层浓度更大的积累层,降低了导通电阻.故提高了器件的巴利加优值FOM.由于这种新型器件纵向栅、漏场板之间存在的垂直场板使得影响器件开关速度的栅漏电容值部分转化为器件的栅源电容以及漏源电容.结果分析表明:氧化槽宽度为1.7μm、漂移区浓度为2.3×1015cm-3时这个新型器件巴利加优值FOM提升了84.8%,栅漏电荷Q_(GD)提升了26.8%.
- 樊冬冬汪志刚
- 关键词：氧化槽
- 一种具有集成二极管的异质结器件
- 本发明涉及电力电子技术的集成器件的新技术，特别涉及一种具有集成二极管的异质结器件。该本发明主要采用在异质结晶体管的漂移区上方，引入具有表面钳位的异质结型二极管，以实现反向快速恢复二极管的功能，具有高的电流承载能力、高的工...
- 汪志刚陈协助
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- 一种横向FINFET器件
- 本发明涉及半导体技术，特别涉及一种横向FINFET器件。该本发明主要技术方案为所述横向超结FINFET结构，包括自下而上的衬底、顶层结构；其中顶层结构的栅电极中间部分嵌入到沟道区中部形成围栅结构；顶层结构漂移区是由依次交...
- 汪志刚王冰
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