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李东阳

作品数：38 被引量：3H指数：1
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术文化科学交通运输工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 29篇专利
  • 3篇学位论文
  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇交通运输工程
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇文化科学

主题

  • 24篇突触
  • 15篇神经突触
  • 14篇电极
  • 12篇SUB
  • 8篇金属
  • 7篇衍射
  • 7篇衍射极限
  • 7篇A-SI
  • 6篇等离子体共振
  • 6篇三层结构
  • 6篇抛光硅片
  • 6篇离子
  • 6篇纳米
  • 6篇金属纳米
  • 6篇金属纳米颗粒
  • 6篇溅射
  • 6篇硅片
  • 6篇SPR
  • 6篇表面等离子体...
  • 6篇磁控

机构

  • 34篇电子科技大学

作者

  • 34篇李东阳
  • 29篇李伟
  • 11篇蒋亚东
  • 11篇蒋向东
  • 7篇钟豪
  • 6篇赵昕
  • 5篇陈鹏宇
  • 5篇田伟
  • 5篇孟文林
  • 5篇侯伟
  • 4篇顾德恩
  • 3篇李春梅
  • 2篇唐小宏
  • 2篇郭安然
  • 2篇刘勇
  • 2篇郭国辉

传媒

  • 1篇微波学报

年份

  • 2篇2022
  • 2篇2021
  • 8篇2020
  • 10篇2019
  • 10篇2018
  • 1篇2016
  • 1篇2012
共 38 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
基于SiO<Sub>x</Sub>的光读取神经突触器件结构及其制备方法
本发明提供一种基于SiO<Sub>x</Sub>的光读取神经突触器件结构及其制备方法，包括“金属/SiO<Sub>x</Sub>/金属”表面等离子波导和嵌入其中的“上电极/双阻变层/下电极”忆阻器；表面等离子波导从上至下...
李伟苟*豪侯伟孟文林陈奕丞李东阳钟豪蒋亚东
基于SiO<Sub>x</Sub>N<Sub>y</Sub>的光读取神经突触器件及其制备方法
本发明提供一种基于SiO<Sub>x</Sub>N<Sub>y</Sub>的光读取神经突触器件及其制备方法，包括表面等离子波导和忆阻器；表面等离子波导具有从上至下依次设置的第二金属层/SiN<Sub>x</Sub>介质层...
李伟陈奕丞李东阳钟豪顾德恩蒋亚东
一种基于a-TSC:O陶瓷薄膜的神经突触器件及其制备方法
一种基于a‑TSC:O陶瓷薄膜的神经突触器件及其制备方法，属于光电器件技术领域。本发明在传统忆阻开关器件结构的基础上，创新提出“高氧化的a‑TSC:O薄膜/低氧化的a‑TSC:O薄膜”的介质层结构，拓宽了神经突触器件介质...
宋宇浩次会聚陈奕丞袁余涵李东阳李伟
基于a-Si忆阻效应的SPR神经突触器件及其制备方法
基于a‑Si忆阻效应的SPR神经突触器件及其制备方法，属于仿生器件技术领域。本发明将晶体硅棱镜与“顶电极/a‑Si∶金属纳米颗粒双阻变层/底电极”忆阻器结构耦合，使得电调制下光信号经晶体硅棱镜射入至双阻变层，并运用表面等...
李伟陈奕丞次会聚董湘刘诚李东阳蒋向东
文献传递
一种基于a-TSC:O陶瓷薄膜的神经突触器件及其制备方法
一种基于a‑TSC:O陶瓷薄膜的神经突触器件及其制备方法，属于光电器件技术领域。本发明在传统忆阻开关器件结构的基础上，创新提出“高氧化的a‑TSC:O薄膜/低氧化的a‑TSC:O薄膜”的介质层结构，拓宽了神经突触器件介质...
宋宇浩次会聚陈奕丞袁余涵李东阳李伟
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一种基于柔性基底的偏铝酸铜忆阻器及制备方法
本发明提供一种基于柔性基底的偏铝酸铜忆阻器，忆阻器自上而下依次具有上电极、阻变层、下电极、柔性基底的垂直四层结构；忆阻器的上电极为铜薄膜或银薄膜；忆阻器件的阻变层为偏铝酸铜薄膜；下电极为氧化铟锡透明导电薄膜；柔性基底为聚...
李伟伊海田伟陈鹏宇李东阳李春梅蒋向东
一种W波段雷达收发前端的研制
本文展示了一种W波段雷达收发前端的设计与实现,远距离工作(大于300米)使用脉冲调制波反射式测量,近距离工作(小于10m)使用连续波传输式测量。接收链路使用超外差体制,系统采用收发双天线一体结构。测试结果表明,该收发前端...
李东阳方建刘勇唐小宏
关键词：W波段收发前端隔离度
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基于a-SiN<Sub>x</Sub>忆阻效应的SPR神经突触器件及其制备方法
基于a‑SiN<Sub>x</Sub>忆阻效应的SPR神经突触器件及其制备方法，属于仿生器件技术领域。本发明将晶体硅棱镜与“顶电极/a‑SiN<Sub>x</Sub>∶金属纳米颗粒双阻变层/底电极”忆阻器结构耦合，使得电...
李东阳次会聚宋宇浩陈奕丞袁余涵李伟蒋向东
一种基于非晶硅忆阻效应的硅基波导光开关及其制造方法
本发明属于光开关技术领域，具体的说涉及一种基于非晶硅忆阻效应的硅基波导光开关及其制造方法。本发明的主要方案为，本发明的光开关包括硅基波导、非晶硅层、银电极和金属电极；所述硅基波导为中部具有脊形凸起结构的平板硅基波导，所述...
李伟郭安然宋钦剑郭国辉李东阳蒋亚东
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基于a-Si的光读取神经突触器件结构及其制备方法
本发明提供一种基于a‑Si的光读取神经突触器件结构及其制备方法，包括“金属/a‑Si/金属”表面等离子波导和嵌入其中的“上电极/双阻变层/下电极”忆阻器；表面等离子波导从上至下具有“第二金属层/介质层/第一金属层”垂直三...
李伟侯伟李东阳苟*豪孟文林陈奕丞钟豪蒋亚东
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