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钟怡

作品数：33 被引量：4H指数：1
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
发文基金：国防科技技术预先研究基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信文化科学电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 23篇专利
  • 4篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 13篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇文化科学

主题

  • 13篇半导体
  • 9篇半导体器件
  • 7篇多晶
  • 6篇耐压
  • 5篇电路
  • 5篇深槽
  • 5篇绝缘
  • 5篇绝缘层
  • 4篇电阻
  • 4篇双极晶体管
  • 4篇晶体管
  • 4篇功率半导体
  • 4篇功率半导体器...
  • 3篇电容
  • 3篇电容器
  • 3篇多晶硅
  • 3篇异质结
  • 3篇异质结双极晶...
  • 3篇元胞
  • 3篇双极工艺

机构

  • 27篇中国电子科技...
  • 4篇中国电子科技...
  • 3篇重庆中科渝芯...
  • 1篇电子科技大学
  • 1篇重庆邮电大学
  • 1篇重庆大学

作者

  • 29篇钟怡
  • 15篇谭开洲
  • 14篇杨永晖
  • 9篇唐昭焕
  • 8篇胡刚毅
  • 7篇刘勇
  • 7篇黄磊
  • 6篇王健安
  • 6篇张静
  • 6篇王育新
  • 6篇刘玉奎
  • 4篇李荣强
  • 4篇何开全
  • 4篇王志宽
  • 4篇陈文锁
  • 4篇邱盛
  • 3篇蒋和全
  • 3篇陈光炳
  • 3篇许斌
  • 3篇徐青

传媒

  • 3篇微电子学
  • 1篇物理学报
  • 1篇2009第八...
  • 1篇第十五届全国...

年份

  • 1篇2025
  • 1篇2024
  • 2篇2023
  • 9篇2022
  • 1篇2021
  • 2篇2019
  • 1篇2017
  • 2篇2016
  • 2篇2013
  • 1篇2011
  • 1篇2010
  • 2篇2009
  • 2篇2008
  • 1篇2007
  • 1篇2006
共 33 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种N沟VDMOS电离辐射界面陷阱电流传导性研究被引量：2
2008年
利用X射线对一种N沟VDMOS在不同的负载功率下进行了辐射试验,采用电流-电压(I-V)测试方法发现这种H2-O2(氢氧合成)氧化栅介质VDMOS样品存在自退火效应时,新增界面陷阱特性与通常的理论不能够很好地一致.根据所测数据,明确提出了有自退火效应样品的新增界面陷阱除了电荷效应外还具有传导电流能力的观点,初步认为该电流是表面费米能级和陷阱能级相互作用导致的产生复合电流,该电流不能简单地从I-V曲线上定量分辨出来.
谭开洲胡刚毅杨谟华徐世六张正璠刘玉奎何开全钟怡
关键词：亚阈值电流X射线辐射电离辐射
在锗硅双极工艺中集成双层多晶硅自对准垂直型双极晶体管的方法及半导体器件
本发明提供了一种在锗硅双极工艺中集成双层多晶硅自对准垂直型双极晶体管的方法及半导体器件，在本发明中，基于工艺制程步骤的巧妙设计，在锗硅双极工艺中同时集成双层多晶硅自对准垂直型双极晶体管的工艺制程，在不显著增加工艺复杂度的...
钟怡冉明黄东王飞刘青张静裴颖李智囊
高压半导体介质耐压终端
本发明提供一种高压半导体介质耐压终端，包括高掺杂半导体材料层、形成于高掺杂半导体材料层上的外延层、外延层顶部部分区域处理后形成的有源器件区，在有源器件区的一侧开设有第一深槽，第一深槽垂直穿过外延层，进入到高掺杂半导体材料...
谭开洲付强唐昭焕胡刚毅许斌陈光炳王健安王育新张振宇杨永晖钟怡刘勇黄磊王志宽朱坤峰陈文锁邱盛
文献传递
精密多晶硅电容器非线性校准工艺设计与集成制造方法
本发明公开精密多晶硅电容器非线性校准工艺设计与集成制造方法，包括以下步骤：1)形成N型阱区，P型阱区；2)在N型阱区与P型阱区间采用场氧‑截止注入隔离或槽隔离；3)淀积P0埃米电容器下极多晶膜层；4)在电容器下极多晶膜层...
殷万军钟怡刘玉奎谭开洲
模拟BiCMOS工艺高应力边缘效应优化集成方法和高线性双多晶电容器
本发明公开模拟BiCMOS工艺高应力边缘效应优化集成方法和高线性双多晶电容器，步骤包括：1)在N型阱表面的场氧化层上方淀积P1埃米的多晶电容器下极板多晶膜层，并完成N型光刻注入掺杂；2)淀积d1埃米的双多晶电容器第一层介...
殷万军钟怡刘玉奎刘青杨永晖龚榜华朱坤峰张静谭开洲
成套硅基抗辐射高压CMOS器件集成结构及其制造方法
本发明公开一种成套硅基抗辐射高压CMOS器件集成结构及制造方法，器件集成结构包含：对称/非对称nLDMOS、对称/非对称pLDMOS、多晶高阻、MOS电容等器件。制造方法是在P型衬底上先形成N型埋层，生长外延层，在外延层...
朱坤峰张广胜杨永晖徐青钟怡钱呈张培健杨法明裴颖黄磊
一种半导体元胞结构和功率半导体器件
本发明提供一种半导体元胞结构和功率半导体器件，其中，该半导体元胞结构包括有高掺杂半导体材料区，外延层，介质绝缘层，半绝缘材料，有源器件区，在所述外延层上还刻蚀有一深槽，所述深槽垂直进入到高掺杂半导体材料区里，于所述深槽内...
谭开洲胡刚毅唐昭焕王健安杨永晖钟怡曹阳刘勇朱坤峰
文献传递
功率半导体器件及其制造方法
本发明提供了一种功率半导体器件及其制造方法，在外延层的终端区中设置多个沿第一方向贯穿外延层延伸至衬底中的第二电阻场板结构，且多个第二电阻场板结构在第一平面内呈放射状设置，从靠近元胞区的一侧延伸至远离元胞区的一侧，多个紧耦...
谭开洲肖添张嘉浩杨永晖蒋和全李儒章张培健钟怡王鹏王育新付晓君唐昭焕
文献传递
一种金属薄膜体电阻
本发明公开了一种金属薄膜体电阻。本发明的技术方案在于：夹在金属布线之间的多条并联的金属薄膜电阻，其一端从表面引出，另一端通过与单晶硅衬底相连的接触孔，从单晶硅衬底的底部引出，形成金属薄膜体电阻的三维结构。由于金属薄膜体电...
钟怡何开全刘玉奎
文献传递
半导体改进结构及功率半导体器件
本发明提供了一种半导体改进结构及功率半导体器件，在现有半导体元胞结构的基础上，于漂移区旁增设一个由高介电常数介质形成的类金属场板，通过该类金属场板调制导通态漂移区电导和截止态高压阻断电场分布，能获得更高的击穿电压；同时，...
谭开洲蒋和全张培健肖添钟怡王健安王育新杨永晖崔伟张霞黄东
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