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张艺

作品数：18 被引量：6H指数：1
供职机构：东南大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金江苏省普通高校研究生科研创新计划项目更多>>
相关领域：电子电信建筑科学语言文字政治法律更多>>

合作作者

文献类型

  • 10篇专利
  • 3篇期刊文章
  • 3篇学位论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 2篇建筑科学
  • 1篇化学工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇语言文字

主题

  • 5篇氧化层
  • 4篇氧化物半导体
  • 4篇金属
  • 4篇晶体管
  • 4篇半导体
  • 3篇栅氧化
  • 3篇栅氧化层
  • 3篇微生物
  • 2篇电路
  • 2篇电容
  • 2篇电压
  • 2篇电压特性
  • 2篇电阻
  • 2篇氧化物
  • 2篇载流子
  • 2篇热载流子
  • 2篇热载流子效应
  • 2篇金属氧化物半...
  • 2篇金属氧化物半...
  • 2篇静电释放

机构

  • 16篇东南大学

作者

  • 16篇张艺
  • 8篇孙伟锋
  • 8篇张春伟
  • 8篇刘斯扬
  • 6篇时龙兴
  • 6篇陆生礼
  • 4篇周雷雷
  • 3篇钱春香
  • 2篇张旋
  • 1篇叶智锐
  • 1篇张耀明
  • 1篇何文文
  • 1篇王佳丽
  • 1篇詹其伟
  • 1篇施晓蒙

传媒

  • 3篇东南大学学报...

年份

  • 1篇2025
  • 1篇2022
  • 1篇2021
  • 3篇2020
  • 1篇2019
  • 2篇2017
  • 3篇2016
  • 3篇2015
  • 1篇2014
共 18 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种栅接地金属氧化物半导体晶体管静电防护结构
一种栅接地金属氧化物半导体晶体管静电防护结构，包括P型半导体衬底，其上设有P型接触区、源区及漏区，源区及漏区位于P型接触区内且源区和漏区以叉指结构交替分布在P型半导体衬底的表面，在源区和漏区之间区域的正上方设有多晶硅栅极...
孙伟锋张春伟周雷雷张艺刘斯扬陆生礼时龙兴
文献传递
一种N型射频横向双扩散金属氧化物半导体器件
一种N型射频横向双扩散金属氧化物半导体器件，包括：P型衬底、P型外延层，在P型外延层中形成有N型轻掺杂漏区和P阱，P阱的一侧和所述N型轻掺杂漏区的一侧相接触；在所述N型轻掺杂漏区中形成有N型重掺杂漏区；在所述P阱中形成有...
孙伟锋马荣晶周雷雷张艺张春伟刘斯扬陆生礼时龙兴
文献传递
550V厚膜SOI-LIGBT热载流子退化机理及寿命模型研究
厚膜绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管(Silicon On Insulator-Lateral Insulated Gate BipolarTransistor，SOI-LIGBT)具有耐压高、输出能力强和易于集成等优点...
张艺
关键词：双极型晶体管热载流子效应
一种基于车载视频识别的营运车辆驾驶员画像分类方法
本发明公开了一种基于车载视频识别的营运车辆驾驶员画像分类方法，包括：采集数据，生成主动安全预警信息详细数据表；生成超时疲劳驾驶记录表；提取每一位驾驶员对应的预警记录，生成预警次数记录表；提取预警视频记录数据中的关键数据，...
邵宜昌叶智锐张艺张宇涵施晓蒙
一种栅接地金属氧化物半导体晶体管静电防护结构
一种栅接地金属氧化物半导体晶体管静电防护结构，包括P型半导体衬底，其上设有P型接触区、源区及漏区，源区及漏区位于P型接触区内且源区和漏区以叉指结构交替分布在P型半导体衬底的表面，在源区和漏区之间区域的正上方设有多晶硅栅极...
孙伟锋张春伟周雷雷张艺刘斯扬陆生礼时龙兴
文献传递
功率LIGBT热载流子退化机理及环境温度影响
2016年
研究了横向绝缘栅双极型晶体管(LIGBT)的热载流子退化机理及环境温度对其热载流子退化的影响.结果表明,器件的主导退化机制是鸟嘴处大量界面态的产生,从而导致饱和区阳极电流Iasat和线性区阳极电流Ialin存在较大的退化的主要原因,同时,由于Ialin的分布比Iasat的分布更靠近器件表面,故Ialin的退化比Iasat的退化更严重;而器件沟道区的碰撞电离和热载流子损伤很小,使得阈值电压Vth在应力前后没有明显的退化.在此基础上,进一步研究了环境温度对LIGBT器件的热载流子退化的影响.结果表明,LIGBT呈现正温度系数,且高温下LIGBT的阈值电压会降低,使得相同应力下其电流增大,导致器件碰撞电离的增大,增强了器件的热载流子损伤.
张艺张春伟刘斯扬周雷雷孙伟锋
关键词：环境温度热载流子效应
一种高可靠性N型碳化硅纵向金属氧化物半导体管
一种高可靠性N型碳化硅纵向金属氧化物半导体管，所述高可靠性N型碳化硅纵向金属氧化物半导体管为轴对称结构，包括：N型衬底，在N型衬底的一侧连接有漏极金属，在N型衬底的另一侧设有N型漂移区，在N型漂移区中对称设置一对P型基区...
孙伟锋王佳丽顾春德张艺张春伟刘斯扬陆生礼时龙兴
文献传递
场效应管电容-电压特性测试电路的串联电阻测定方法
本发明公开了一种场效应晶体管电容-电压特性测试电路中的串联电阻的计算测定方法，首先对金属氧化物半导体场效应晶体管进行不同频率下的电容-电压特性测试；然后基于针对串联电阻效应的金属氧化物半导体场效应晶体管电容-电压特性的修...
刘斯扬张艺魏家行张春伟孙伟锋陆生礼时龙兴
《2020世界能源问题监测》英译汉翻译实践报告
能源，作为人类生存的根基是世界瞩目的焦点。世界能源理事会作为一个总部位于伦敦的综合性的国际能源民间学术组织，为促进领域内研究发展，加强国际交流合作，每年都会发布有关能源的最新研究报告。我国的相关企业为掌握世界能源的趋势，...
张艺
关键词：英汉翻译功能对等科技文本翻译技巧
文献传递
pMOSFET的NBTI退化机理及内在影响因素被引量：1
2015年
研究了P型MOSFET的NBTI效应退化机理,以及栅氧化层电场和沟道载流子浓度对NBTI效应的影响.首先,通过电荷泵实验对NBTI应力带来的p M OSFET的界面损伤进行了测试,并利用TCAD仿真软件对测试结果进行分析,结果表明该器件的NBTI退化主要由其沟道区的界面态产生引起,而电荷注入的影响相对可以忽略.然后,通过施加衬底偏置电压的方法实现了增加器件栅氧化层电场但保持沟道载流子浓度不变的效果,进而研究了栅氧化层电场和沟道载流子浓度2个内在因素分别对NBTI退化的影响.最后,通过对比不同栅极电压和不同衬底偏置电压条件下器件的2个内在影响因素变化与NBTI退化的关系,证明了p MOSFET的NBTI效应主要由器件的栅氧化层电场决定,沟道载流子浓度对器件NBTI效应的影响可以忽略.
张春伟刘斯扬张艺孙伟锋苏巍张爱军刘玉伟胡久利何骁伟
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