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朱正勇

作品数：45 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 44篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 19篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 18篇沟道
  • 16篇电子设备
  • 16篇晶体管
  • 15篇半导体
  • 12篇半导体器件
  • 11篇衬底
  • 10篇负电
  • 8篇堆叠
  • 8篇负电容
  • 7篇介质层
  • 6篇隧穿
  • 6篇刻蚀
  • 6篇多栅
  • 6篇背栅
  • 6篇场效应
  • 6篇场效应晶体管
  • 6篇FINFET
  • 5篇电容
  • 5篇掺杂
  • 4篇性能参数

机构

  • 45篇中国科学院微...
  • 1篇北京航空航天...

作者

  • 45篇朱正勇
  • 37篇朱慧珑
  • 8篇许淼
  • 7篇骆志炯
  • 3篇陈率
  • 2篇殷华湘
  • 2篇王桂磊
  • 2篇尹海洲
  • 2篇许杰
  • 2篇赵恒亮
  • 2篇张严波
  • 2篇毛淑娟
  • 1篇朱开贵
  • 1篇苟成玲
  • 1篇钟汇才
  • 1篇于涛
  • 1篇刘毅

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2023
  • 1篇2022
  • 1篇2021
  • 7篇2020
  • 7篇2019
  • 8篇2018
  • 5篇2017
  • 7篇2016
  • 4篇2015
  • 1篇2014
  • 3篇2013
共 45 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
背栅连接有负电容的半导体器件及其制造方法及电子设备
公开了一种背栅连接有负电容的半导体器件及其制造方法及包括该半导体器件的电子设备。根据实施例，半导体器件可以包括：晶体管，包括控制栅和背栅；以及与背栅串联连接的负电容器。
朱慧珑朱正勇
连接有负电容的多栅FinFET及其制造方法及电子设备
公开了一种多栅FinFET及其制造方法及包括该FinFET的电子设备，其中所述多栅FinFET的栅极之一与负电容连接。根据实施例，FinFET可以包括：在衬底上沿第一方向延伸的鳍；在衬底上鳍的第一侧沿与第一方向相交的第二...
朱慧珑朱正勇
文献传递
MOSFET及其制造方法
本发明公开了一种MOSFET及其制造方法，其中该MOSFET包括：半导体衬底；在半导体衬底中形成的源/漏区；在半导体衬底中形成并且夹在源/漏区之间的沟道区；位于沟道区上方和源/漏区的一部分上方的栅极电介质；以及位于栅极电...
朱正勇骆志炯陈率
文献传递
遂穿场效应晶体管及其制造方法
本发明提供了一种遂穿场效应晶体管，包括：半导体层；第一栅介质层和第二栅介质层，分别位于半导体层的相对的两个表面上；源极区和漏极区，具有不同的掺杂类型，分别位于半导体层的两侧且与半导体层相接触；第一栅极和第二栅极，分别位于...
朱正勇朱慧珑许淼
文献传递
半导体存储器件及其访问方法
本申请公开了一种半导体存储器件及其访问方法，其中半导体存储器件包括氧化物异质结晶体管，所述氧化物异质结晶体管包括氧化物衬底；位于氧化物衬底上的氧化物薄膜，其中氧化物衬底和氧化物薄膜之间的界面层表现出二维电子气的特性；位于...
朱正勇骆志炯
文献传递
垂直堆叠的环栅纳米线隧穿场效应晶体管及其制备方法
本发明提供了一种垂直堆叠的环栅纳米线隧穿场效应晶体管及其制备方法。该制备方法包括：形成纳米线阵列以及环绕纳米线阵列的栅堆叠结构，栅堆叠结构两端具有对应的第一凹口和第二凹口，然后分别在第一凹口和第二凹口中形成高‑k介质侧墙...
朱正勇朱慧珑
集成电路单元及包括该集成电路单元的电子设备
公开了一种集成电路单元及包括该集成电路单元的电子设备。根据实施例，集成电路单元可以包括：依次叠置在衬底上的用于第一器件的第一源/漏层、沟道层和第二源/漏层以及用于第二器件的第一源/漏层、沟道层和第二源/漏层，其中，在第一...
朱慧珑朱正勇
具有多栅FinFET的半导体器件及其制造方法及电子设备
公开了一种半导体器件及其制造方法及包括该半导体器件的电子设备，其中该半导体器件包括第一FinFET和负电容，第一FinFET包括：在衬底上形成的第一鳍；在衬底上第一鳍的第一侧形成的与第一鳍相交的第一栅；和在衬底上第一鳍的...
朱慧珑朱正勇
文献传递
垂直堆叠的环栅纳米线晶体管及其制备方法
本发明提供了一种垂直堆叠的环栅纳米线晶体管及其制备方法。该方法中先提供表面设置有沟道层和牺牲层的衬底，牺牲层与沟道层沿远离衬底的方向交替层叠设置，最外层的牺牲层上形成掩膜层，然后从各牺牲层的裸露表面开始向内进行刻蚀，使牺...
朱正勇朱慧珑
半导体器件及其制造方法及包括该器件的电子设备
公开了一种半导体器件及其制造方法及包括该器件的电子设备。根据实施例，半导体器件可以包括：衬底；依次叠置在衬底上的第一源/漏层、沟道层和第二源/漏层，其中，沟道层包括与Si材料相比具有增大开态电流和/或减小关态电流的半导体...
朱慧珑王桂磊亨利·H·阿达姆松张严波朱正勇
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