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胡际璜

作品数：22 被引量：11H指数：2
供职机构：复旦大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术理学机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 14篇期刊文章
  • 7篇专利

领域

  • 10篇电子电信
  • 2篇一般工业技术
  • 2篇理学
  • 1篇机械工程

主题

  • 10篇探测器
  • 9篇红外
  • 9篇红外探测
  • 9篇红外探测器
  • 5篇阵列
  • 5篇致冷
  • 5篇致冷剂
  • 5篇平面阵
  • 5篇平面阵列
  • 5篇面阵
  • 5篇冷剂
  • 5篇工作波段
  • 5篇波段
  • 4篇分子束
  • 4篇分子束外延
  • 3篇性能价格比
  • 3篇硅
  • 3篇X
  • 2篇电子态
  • 2篇异质结

机构

  • 20篇复旦大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 21篇胡际璜
  • 14篇张翔九
  • 5篇王迅
  • 4篇蒋最敏
  • 3篇卢学坤
  • 3篇王向东
  • 2篇周红
  • 2篇叶令
  • 2篇毛明春
  • 2篇龚大卫
  • 2篇盛篪
  • 2篇卫星
  • 2篇朱海军
  • 1篇亓文杰
  • 1篇叶红娟
  • 1篇黄维宁
  • 1篇陈岳瑞
  • 1篇徐阿妹
  • 1篇李炳宗
  • 1篇杨小平

传媒

  • 4篇Journa...
  • 2篇仪器仪表学报
  • 2篇物理学报
  • 2篇真空科学与技...
  • 1篇物理实验
  • 1篇物理
  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇自然科学进展...

年份

  • 1篇2004
  • 3篇2003
  • 2篇2002
  • 2篇2001
  • 1篇1998
  • 1篇1997
  • 1篇1996
  • 2篇1995
  • 3篇1994
  • 1篇1992
  • 1篇1990
  • 2篇1989
  • 1篇1986
共 22 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
分子束外延生长SiGe合金中位错密度的研究
2003年
Schimmel腐蚀液腐蚀结合高倍光学显微镜观察发现 ,不同尺寸的掩膜窗内生长的 Si Ge外延层中的位错密度在整个外延层中从 Si Ge/Si界面到 Si Ge外延层表面由少到多 ,再由多到少明显地分成 3个区 .无掩膜窗限制的大面积区内的 Si Ge层则只呈现 2个区 .掩膜材料与掩膜窗尺寸不同 ,这 3个区的位错密度也不同 .掩膜形成过程中产生的应力对衬底晶格的影响 ,以及掩膜边界对衬底与外延层的影响是造成这种不同的根本原因 .
林俊陈岳瑞胡际璜张翔九
关键词：分子束外延生长SIGE合金应变弛豫位错密度掩膜
Co、Ti／Si_（1－x）Ge_x薄膜快速退火固相反应结构和组分研究
1994年
本文首次研究金属Ｃｏ与分子束外延Ｓｉ１－ｘＧｅｘ单晶薄膜快速热退火（ＲＴＡ）固相反应，并对比了ＣＯ、Ｔｉ与ＳｉＧｅ固相反应时不同的反应规律实验采用ＲＢＳ、ＡＥＳ、ＸＲＤ、ＳＥＭ等分析和测试手段对样品的组分和结构等薄膜特性进行检测．实验发现，Ｃｏ／Ｓｉ０．８Ｇｅ０，２在６５０℃热退火后形成组分为Ｃｏ（Ｓｉ０，９Ｇｅ０．１）的立方晶系结构，薄膜具有强烈择优取向；９００℃处理温度，有ＣｏＳｉ２形成，同时Ｇｅ明显地向表面分凝．ＴｉＮ／Ｔｉ／Ｓｉ０．８Ｇｅ０．２固相反应时，８５０℃处理可以形成Ｔｉ（Ｓｉ１－ｙＧｅｙ）；三元结构，并以（００４）晶面为择优取向。薄膜均匀平整，电阻率达到ＴＩＳｉ２最低值范围，高温处理未发生组分分凝．从生成物的晶体结构和形成热差异上对实验结果进行了分析．
亓文杰李炳宗黄维宁顾志光张翔九盛篪胡际璜吕宏强卫星沈孝良
关键词：分子束外延退火固相反应钴
Si_(1-x)Ce_x/Si量子阱发光材料制备及特性研究被引量：5
1995年
在si(100)衬底上用分子束外延成功生长了Si_(1-x)Ge_x/si量子阱发光材料,发现在生长过程中背景杂质含量直接影响材料的发光特性,用光致发光(PL)和卢瑟福背散射(RBS)对样品质量进行标定。在PL测量中观察到合金量子阱带边激子分辨峰,并对发光峰能和峰宽作了讨论。
杨宇卢学坤黄大鸣蒋最敏杨敏章怡龚大卫陈祥君胡际璜张翔九赵国庆
关键词：硅锗合金发光材料分子束外延
硅红外探测器
本发明是一种硅红外探测器，它为以硅片为衬底，用δ-掺杂方法制备其能带呈锯齿形调制的超晶格，选择适当的掺杂浓度和掺杂周期，以控制调制深度，使有效带隙调节到需要的数值附近，如0.1ev、0.3ev、0.8ev等，获得相应波长...
王迅叶令胡际璜
文献传递
反光电子谱的自动化测量及数据处理
1990年
首次建成了国产反光电子谱仪的自动化数据采集及处理系统。整个测量装置由Apple Ⅱ微机、计数器、PIO 和A/D、D/A 卡等电路组成。
葛毓青李喆深胡际璜戴道宣
关键词：自动化测量数据处理
Si(001)上MBE异质生长Ge中表面活化剂Sb的作用的研究
1997年
本文利用RHEED、X射线双晶衍射及TEM等技术，研究了在Si（001）衬底上，用晶化了的无定形Ge层做缓冲层MBE生长Ge时，引入表面活化剂Sb所产生的影响．研究表明，Sb的引入将会使Si（001）衬底上无定形Ge膜的晶化温度显著提高，并在一定的生长条件下，破坏Ge外延层的结晶性．
徐阿妹朱海军毛明春蒋最敏卢学坤胡际璜张翔九
关键词：半导体砷化镓硅
一种新型结构的硅太阳能电池
本实用新型为一种新型结构的硅太阳能电池，由硅衬底、n型材料和金属电极引线构成，其中，n<Sup>+</Sup>区与p<Sup>+</Sup>区设计成梳状交叉的结构形式，使P区被n<Sup>+</Sup>区部分覆盖。此结构...
张翔九胡际璜
文献传递
一种红外探测器用的硅锗/硅异质结材料
本发明属于红外探测器技术领域,具体为一种红外探测器的SiGe/Si异质结材料,其中SiGe的组份为:Si<Sub>1－x</Sub>Ge<Sub>x</Sub>,0.45≤x≤0.55。该材料的工作波段为3－5μm,工作...
张翔九胡际璜
文献传递
总电流谱仪的研制
1989年
用经过改进的LEED装置和本校自制的WF-1型功函数测试仪研制成总电流谱仪。得到了Si(111)7×7再构表面的总电流谱,结果与有关文献报道相近。
王向东周红胡际璜戴道宣
关键词：LEED功函数抛光片真空室补偿电压
9μmp^＋—GexSi1—x／p—Si异质结内光电红外探测器被引量：1
1994年
用分子束外延方法生长了ｐ＋－ＧｅｘＳｉ１－ｘ／ｐ－Ｓｉ异质结，并用平面工艺制成了内光电红外探测器，器件截止响应波长达９μｍ，在５２Ｋ时，Ｒｖ５００Ｋ＝３．３×１０３Ｖ／Ｗ．
龚大卫卢学坤卫星杨小平胡际璜盛篪张翔九王迅周涛叶红娟沈学础
关键词：异质结锗硅合金红外探测器
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