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文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇理学

主题

  • 1篇电特性
  • 1篇硬质
  • 1篇硬质涂层
  • 1篇铁电
  • 1篇涂层
  • 1篇晶体
  • 1篇晶体结构
  • 1篇抗氧化
  • 1篇抗氧化性
  • 1篇光电
  • 1篇光电特性
  • 1篇PLZT
  • 1篇TI
  • 1篇TIALN涂...
  • 1篇CU
  • 1篇X

机构

  • 3篇兰州大学
  • 1篇中国科学院兰...

作者

  • 3篇王君
  • 3篇苗彬彬
  • 3篇闫鹏勋
  • 3篇陈江涛
  • 1篇李冠斌
  • 1篇张飞

传媒

  • 3篇人工晶体学报

年份

  • 2篇2007
  • 1篇2006
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
铁电PLZT薄膜的最新研究进展被引量:13
2006年
锆钛酸铅镧(Pb1-xLax(Zr1-yTiy)1-x/4O3)铁电材料是一种具有优越铁电、介电、压电和热释电性能的材料,在微电子领域有着广泛的应用前景。本文概括介绍了Pb1-xLax(Zr1-yTiy)1-x/4O3薄膜的研究意义、基本结构、制备方法、研究现状和应用展望;并对现阶段薄膜研究过程中的一些问题做了简要叙述。
苗彬彬王君陈江涛闫鹏勋
关键词:PLZT光电特性
Cu_3N薄膜及其研究现状
2007年
Cu3N薄膜是近10年来研究的热点材料之一。Cu3N是立方反ReO3结构,理想立方反ReO3结构的一个晶胞中Cu原子占据立方边的中心位置而N原子占据立方晶胞的八个顶点,此结构的体心位置有一较大间隙,Cu原子以及其他原子如Pd、碱金属原子等很有可能进入此位置导致Cu3N的电学性能、光学性能等发生很大的变化,这使得该材料具有很大的潜在应用价值。Cu3N的晶格常数为0.3815nm,密度5.84g/cm3,分子量204.63,颜色呈黑绿色或红褐色,空间点群Pm3m。Cu3N薄膜在室温下相当稳定并且热分解温度较低(300℃左右),热分解前后薄膜的光学反射率有较大差别,这可使Cu3N薄膜用作一次性光记录材料。此外,Cu3N薄膜还可用作在S i片上沉积金属Cu线的缓冲层、低磁阻隧道结的阻挡层、自组装材料的模板等。
王君陈江涛苗彬彬闫鹏勋
(Ti_(1-x)Al_x)N硬质涂层的研究进展被引量:9
2007年
TiAlN作为一种三元复合纳米涂层材料,具有非常好的性能。该涂层克服了TiN涂层所存在的一些缺陷,其硬度远远高于TiN涂层,最高可达47GPa,并且具有很好的热稳定性,在700℃高温下仍很稳定,而TiN涂层在500℃时就已被氧化。TiAlN涂层还具有抗磨损,摩擦系数小,热膨胀系数及热传导系数低等特性,这些特性与涂层中Al含量的多少有关,Al含量的改变会导致涂层微观结构的改变,从而使其性能发生变化。氮分压和基底温度对TiAlN涂层的性质有着极其重要影响。本文结合国内外对TiAlN涂层的最新研究进展,对TiAlN涂层的应用,制备方法,结构,抗氧化性及硬度作了简要论述。
张飞闫鹏勋陈江涛苗彬彬李冠斌王君
关键词:TIALN涂层晶体结构抗氧化性
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