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王兆钰

作品数：6 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院金属研究所更多>>
相关领域：理学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇专利
  • 1篇会议论文

领域

  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 4篇生长促进剂
  • 3篇电弧放电法
  • 3篇碳纳米管
  • 3篇纳米
  • 3篇纳米管
  • 2篇单壁
  • 2篇单壁碳纳米管
  • 2篇电场
  • 2篇电场作用
  • 2篇电缆
  • 2篇电缆结构
  • 2篇电子结构
  • 2篇碳管
  • 2篇子结构
  • 2篇纳米尺度效应
  • 2篇纳米电缆
  • 2篇管结构
  • 2篇管束
  • 1篇氮化
  • 1篇氮化硼

机构

  • 6篇中国科学院金...

作者

  • 6篇成会明
  • 6篇刘畅
  • 6篇王兆钰
  • 5篇张艳丽
  • 3篇侯鹏翔
  • 1篇陈志刚
  • 1篇汤代明

年份

  • 1篇2013
  • 2篇2012
  • 1篇2011
  • 1篇2009
  • 1篇2008
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
氧化硅包覆单壁碳纳米管纳米电缆结构的合成方法
本发明涉及纳米电缆的合成技术，特别提供了一种电弧放电法原位合成无定形氧化硅包覆单壁碳纳米管纳米电缆结构的制备方法。采用阴、阳极直流电弧放电的方式原位制备；阳极为由石墨、硅粉、催化剂、生长促进剂压制而成的消耗性阳极，起弧放...
刘畅张艳丽王兆钰成会明
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浮动催化化学气相沉积法制备准一维氮化硼纳米结构
氮化硼(BN)纳米管的结构与碳纳米管相似,可由制备碳纳米管的常用方法如电弧法、激光蒸发法和高温热反应等方法制得。但由于与金属催化剂的浸润性较差等原因,BN纳米管的产量和纯度远低于碳纳米管,这在很大程度上阻碍了准一维BN纳...
汤代明陈志刚王兆钰刘畅成会明
关键词：氮化硼
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氧化硅包覆单壁碳纳米管纳米电缆结构的合成方法
本发明涉及纳米电缆的合成技术，特别提供了一种电弧放电法原位合成无定形氧化硅包覆单壁碳纳米管纳米电缆结构的制备方法。采用阴、阳极直流电弧放电的方式原位制备；阳极为由石墨、硅粉、催化剂、生长促进剂压制而成的消耗性阳极，起弧放...
刘畅张艳丽王兆钰成会明
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一种尖锐端头碳纳米管结构的制备方法
一种尖锐端头碳纳米管结构的制备方法。本发明涉及碳纳米管的制备技术，特别提供了一种电弧放电法合成具有尖锐端头碳纳米管结构的制备方法。采用阴、阳极直流电弧放电的方式制备，阳极为由石墨、硅粉压制而成的消耗性阳极，起弧放电后，石...
刘畅张艳丽侯鹏翔王兆钰成会明
文献传递
一种具有小管束尺寸的单／双壁碳纳米管结构的制备方法
本发明涉及单分散单/双壁碳纳米管的制备技术，具体为一种具有小管束尺寸的单/双壁碳纳米管结构的制备方法。采用原位施加电场—阴、阳极直流电弧放电的方式制备；阳极为由石墨、催化剂、生长促进剂压制而成的消耗性阳极，通过不锈钢板上...
刘畅张艳丽侯鹏翔王兆钰成会明
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一种具有小管束尺寸的单／双壁碳纳米管结构的制备方法
本发明涉及单分散单/双壁碳纳米管的制备技术，具体为一种具有小管束尺寸的单/双壁碳纳米管结构的制备方法。采用原位施加电场—阴、阳极直流电弧放电的方式制备；阳极为由石墨、催化剂、生长促进剂压制而成的消耗性阳极，通过不锈钢板上...
刘畅张艳丽侯鹏翔王兆钰成会明
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