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刘洪亮: 作品数：46 被引量：28H指数：4; 供职机构：北京工业大学材料科学与工程学院新型功能材料教育部重点实验室更多>>; 发文基金：国家自然科学基金北京市教育委员会科技发展计划面上项目北京市自然科学基金更多>>; 相关领域：理学化学工程一般工业技术电子电信更多>>

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纳米SiC复合Mg‑Si‑Sn基热电材料的制备方法: 本发明涉及纳米SiC复合Mg‑Si‑Sn基热电材料的制备方法。首先，采用感应熔炼设备将Mg、Si、Sn块体原料熔炼成铸锭，然后按化学式配比称取的纳米SiC粉末与破碎的铸锭一并装入球磨罐中，采用机械球磨设备在氩气气氛下进行...; 张忻郑亮刘洪亮李松浩周子群张久兴刘燕琴; 文献传递

一种高纯度拓扑绝缘体YbB6单晶体的制备方法: 一种高纯度拓扑绝缘体YbB6单晶体的制备方法属于拓扑绝缘体材料技术领域。目前，高纯度YbB6单晶的制备与研究很少，且制备工艺复杂，单晶体质量较差，纯度低，尺寸小，很难实现实际应...; 张忻刘洪亮王杨李录录江浩张久兴; 文献传递

[Ca24Al28O64]^4＋：4e^-电子化合物的制备及其电输运特性被引量：3: 2018年; 金属氧化物电子化合物[Ca_(24)Al_(28)O_(64)]^(4+):4e^-(C12A7:e^-)因其天然的纳米尺度笼腔结构带来的新奇物理化学特性而在阴极电子源材料、超导和电化学反应等领域有着独特的应用价值.本文系统研究了以CaCO_3和Al_2O_3粉末为原料,采用固相反应-放电等离子烧结-活性金属Ti还原相结合的方法制备C12A7:e^-的工艺条件及其电输运特性.实验结果表明:在封装石英管真空度为10^(-5)Pa,还原温度为1100?C,还原时间为10—30 h条件下,成功制得载流子浓度为约10^(18)—10^(20)cm^(-3)的C12A7:e^-块体材料.第一性原理计算得到的C12A7:e^-能带结构和态密度表明,笼腔内的O^(2-)完全被e-取代后,C12A7:e^-费米能级明显穿过笼腔导带,说明位于笼腔内自由运动的电子使C12A7从绝缘体转变成导体,同时费米面附近的笼腔电子易于从笼腔导带跃迁至框架导带,在电场或热场的作用下电子更容易逸出,这也是C12A7:e^-逸出功低的主要原因.; 冯琦张忻刘洪亮赵吉平江浩肖怡新李凡张久兴; 关键词：第一性原理计算电输运特性

电传导型Ca12Al14O32:2e-电子化合物的制造方法: 电传导型Ca12Al14O32:2e‑电子化合物的制造方法属于钙铝石型无机电子化合物材料技术领域。将CaCO3...; 张忻李凡刘洪亮冯琦张久兴; 文献传递

Mg3Sb2基热电材料的制备方法: Mg3Sb2基热电材料的制备方法，采用感应熔炼结合放电等离子烧结(SPS)技术的方法制备Mg3-xAxSb2-y</Sub...; 张忻周子群刘洪亮李松浩郑亮张久兴刘燕琴; 文献传递

一种电子化合物C12A7:e-单晶体的制备方法: 一种电子化合物C12A7:e‑单晶体的制备方法属于阴极材料技术领域。电子化合物C12A7:e‑因具有低的逸出功而备受关注，但迄今为止关于其单晶体的制备技术及其电子发射研究很少，...; 张久兴江浩张忻刘燕琴刘洪亮; 文献传递

一种稀土六硼化物场发射阵列的制备方法: 一种稀土六硼化物场发射阵列的制备方法属于阴极场发射技术领域。目前，稀土六硼化物场发射阵列的制备极其困难，限制了其在场发射领域的大规模应用。本发明采用激光微纳加工技术在稀土六硼化物表面加工出均匀的尖锥场发射阵列，所述尖锥场...; 张忻刘洪亮肖怡新冯琦张久兴; 文献传递

单晶LaB6阴极材料典型晶面的电子结构和发射性能研究被引量：9: 2018年; 单晶LaB_6是一种理想的热发射和场发射阴极材料,其不同晶面表现出不同的发射性能.采用基于密度泛函理论的第一性原理计算分析了LaB_6单晶的(100),(110),(111),(210),(211)和(310)典型晶面的差分电子密度、能带结构和态密度,并对光学区熔法制备的高质量单晶LaB_6的上述典型晶面的热发射性能进行了测试.理论计算结果表明LaB_6各晶面结构的不同和电子结构的差异导致LaB_6发射性能具有各向异性,晶面内La原子的密度越大、费米能级进入导带越深、费米能级附近态密度越大及其在导带区域的分布宽度越宽、导带在费米能级附近分布越多,晶面的逸出功越低,发射性能越好.热发射测试结果表明,当阴极测试温度为1773 K,测试电压为1 k V时,(100),(110),(111),(210),(211)和(310)晶面的最大发射电流密度分别为42.4,36.4,18.4,32.5,30.5和32.2 A/cm^2,其中(100)晶面具有最佳的发射性能.; 刘洪亮张忻王杨肖怡新张久兴; 关键词：晶面第一性原理

Gd掺杂CeB_6基阴极材料的制备及性能被引量：4: 2016年; 以CeB_6和GdB_6粉末为原料,采用放电等离子烧结技术(SPS)制备了高致密的多元稀土六硼化物Gd_xCe_(1-x)B_6(x=0.0~1.0)多晶块体。系统研究了Gd掺杂对Gd_xCe_(1-x)B_6多晶块体的物相组成、力学性能、电阻率及热发射性能的影响。研究结果表明,在烧结温度为1550℃,烧结压强为50 MPa,保温5 min的工艺条件下,可获得高致密的Gd_xCe_(1-x)B_6单相块体材料。烧结块体的维氏硬度可达24.02 GPa。热电子发射性能测试结果表明,适量的Gd掺杂可以显著提高电子发射性能,其中Gd_(0.1)Ce_(0.9)B_6成分块体具有最佳的热电子发射性能,在1600℃,4 kV外加电压条件下,发射电流密度达到101.57 A·cm^(-2),零场电流密度达到21.94 A·cm^(-2),平均有效逸出功为2.34 eV,优于同一条件下GdB_6和CeB_6块体的热发射性能。; 梁超龙张忻刘洪亮张繁星王杨郑亮张久兴; 关键词：GD掺杂放电等离子烧结

新型氧化物半导体多晶块体的制备方法: 新型氧化物半导体多晶块体的制备方法属于氧化物半导体材料技术领域。本发明以CaCO3粉末和Al2O3粉末为初始原料，采用熔融反应‑放电等离子烧结(SPS)‑...; 张忻冯琦刘洪亮肖怡新赵吉平; 文献传递