田中卓
- 作品数：36 被引量：66H指数：5
- 供职机构：北京科技大学材料科学与工程学院材料物理与化学系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术化学工程金属学及工艺更多>>
- 离子注入法制备β-C_3N_4的研究被引量：3
- 1997年
- <正>超硬材料的研究是材料科学领域的一大重要课题.Cohen等在研究物质的硬度时,得出了一个半经验公式,从而预言了一种碳氮化合物p一qN;可能具有比金刚石还高的硬度~[1-3]
- 顾有松潘礼庆赵敏学常香荣王振军田中卓肖纪美胡仁元
- 关键词：离子注入超硬材料
- 正电子湮灭技术研究多晶形变镍中氢和缺陷的互作用
- 吴奕初田中卓常香荣
- 关键词：镍氢脆湮灭纯金属
- 超硬薄膜β-C_3N_4的制备和表征被引量：5
- 2000年
- 本文采用微波等离子体化学气相沉积 (MPCVD)法 ,用高纯氮气 (99.999% )和甲烷 (99.9% )作反应气体 ,在单晶硅和多晶铂基片上沉积 β -C3N4薄膜。X射线能谱 (EDX)分析了这种晶态C -N膜的化学成分 ,对不同样品的分析结果表明 ,N/C原子比在 1.1～ 2 .0范围内。X射线衍射结构分析结果与计算的α -和 β -C3N4单相X射线的峰位和强度相比较 ,说明它是α -和 β -C3N4的混合物。FT -IR和Raman谱支持C -N共价键的存在。薄膜的体弹性模量达到 349GPa。
- 张永平顾有松常香荣田中卓时东霞张秀芳袁磊
- 关键词：超硬薄膜MPCVD
- MPCVD制备β-C_3N_4薄膜的成分和结构研究
- 2000年
- M .L .Cohcn和A .Y .Liu利用半经验公式和第一性原理计算表明 ,如果C和N能够结合成类似于 β Si3 N4结构的化合物 β C3 N4,由于C N的键长比C C的键长短和键的离子性小 ,它的体弹性模量B约为 483GPa至 42 7GPa ,接近甚至超过金刚石的体弹性模量。这是人类第一次从理论上预言一种超硬性能的新材料 ,β C3 N4的实验合成不仅可以为人类提供一种全新的材料 ,而且能够进一步检验理论预言的正确性。本文采用微波等离子体化学气相沉积法 (MPCVD) ,用高纯氮气 ( 99.999% )和甲烷 ( 99.9% )作反应气体 ,在单晶Si( 1 0 0 )基片上沉积C3 N4薄膜。利用扫描电子显微镜 (SEM)观察薄膜形貌表明 ,薄膜由密排的六棱晶棒组成。X射线能谱 (EDX)分析了这种晶态C N膜的化学成分 ,对不同样品不同区域的分析结果表明 ,N/C比接近于 4/3。X射线衍射 (XRD)结构分析说明该膜主要由 β C3 N4和α C3 N4组成。利用XPS分析说明薄膜为C+ N-极性键结合 ,FT IR和Raman谱支持C N公价键的存在。
- 张永平顾有松常香荣田中卓时东霞张秀芳袁磊
- Fe-N软磁薄膜的结构和性能被引量：1
- 2002年
- 用RF溅射制备厚度为200nm的Fe-N薄膜在250℃,12000A/m磁场下真空热处理后,当N含量在5%~7%(原子百分数)范围内形成a′+a″相时,4πMs可达2.4T,Hc<80A/m,2~10MHz下高频相对导磁率μr=1500,可满足针对10Gb/in2存储密度的GMR/感应式复合读写磁头中写入磁头的需要.Fe-N系薄膜中a′相的形成机理和点阵常数与块状试样按Bain机理形成的a′相有明显的差别,得到了薄膜中a′相的a,c与C_N^a′之间的线性关系式.
- 周剑平李丹顾有松赵春生常香荣李福燊乔利杰田中卓方光旦宋庆山
- 关键词：磁性薄膜软磁薄膜硬盘磁头材料
- C_3N_4硬膜的人工合成和鉴定被引量：12
- 1999年
- 用微波等离子体化学气相沉积法 (MPCVD)在硅和铂衬底上得到高质量的C3 N4薄膜 .计算了α C3 N4和β C3 N4单相X射线谱的峰位和强度 ,沉积膜的X射线谱具有两相的所有强峰 ,证明它是α 和β C3 N4的混合物 .总的N/C比在 1 0～ 2 0之间 .FT IR和Raman谱支持C—N共价键的存在 .体积弹性模量达到 34 9GPa .
- 顾有松张永平常香荣田中卓陈难先时东霞张秀芳袁磊
- 关键词：氮化碳MPCVD硬膜化学气相沉积
- 理论预言的氮化碳超硬膜研究新进展被引量：10
- 1999年
- β－Ｃ３Ｎ４的理论预言发表之后，经过广大科学工作者近１０年的努力，已经取得了一些重要进展．理论上对碳氮化合物的研究已经更为广泛和深入．实验合成方面也取得了长足的进展．文章作者在Ｓｉ、Ｐｔ等基底上初步合成了晶态的β－Ｃ３Ｎ４薄膜，实验分析表明，薄膜主要由α－或β－Ｃ３Ｎ４晶相组成，成分接近理论值，Ｎ／Ｃ原子比接近４／３。
- 顾有松张永平常香荣田中卓时东霞张秀芳袁磊
- 关键词：超硬材料氮化碳晶态
- Fe-N/Ti-N纳米多层膜结构和磁性研究
- 1995年
- 用磁控溅射技术制备了周期性良好的Fe－N／Ti-N纳米多层膜。Ti-N单层的厚度固定为3nm，Fe－N单层的厚度在2．5～11nm之间变化。用振动样品磁强计研究了样品的磁性，用X射线衍射研究了样品的结构。发现在Fe－N层较薄的样品中，饱和磁化强度明显提高，而矫顽力在所有样品中基本相同。
- 王振军常香荣闻立时田中卓肖纪美
- 关键词：纳米多层膜磁控溅射磁性材料
- 纳米晶软磁薄膜Fe-Ti-N的结构、磁学性能和热稳定性研究被引量：1
- 2003年
- 在高溅射功率900 W 下用RF磁控溅射方法制备了厚为630-780nm的Fe-Ti-N薄膜,结果表明:当膜成分(原了分数, ％.下同)在Fe-3.9Ti-8.8N和Fe-3.3Ti-13.5N范围内,薄膜由α’和Ti2N沉淀组成,磁化强度4πMs超过纯铁,最商可达2.38T:而矫顽力Hc下降为89 A/m.可以满足针对1.55 Gb/cm2高存储密度的GMR/感应式复合读写磁头中写入磁头的需要.N原子进入α-Fe使α’具有高饱和磁化强度;Ti的加入,阻止α’→α’+γ’的分解,稳定了强铁磁性相α’.是Fe-Ti-N具有高饱和磁化强度的原因.由于由晶粒度引起的对Hc的影响程度HcD与晶粒度D有以下关系:HcD∝D6,晶粒度控制非常重要.N原了进入α+Fe点阵的八面体间隙,引起极大的畸变,使晶粒碎化.提高溅射功率也使晶粒度下降.两者共同作用,能使晶粒度下降到约14nm,使Hc下降,晶界是择优沉淀地点,在α’晶界上沉淀Ti2N能起钉扎作用,阻止晶界迁移,使纳米晶α’不能长大。
- 李丹顾有松常香荣李福燊乔利杰田中卓方光旦宋庆山
- 关键词：磁学性能热稳定性磁场热处理
- 高纯铝中不同应变速率拉伸的正电子湮没研究
- 1990年
- 一、引言 一般地讲,金属发生变形时,随着形变量的增加,正电子参数增加,小形变量时,参数增加显著;形变量达到一定程度;参数将趋于饱和。Park等在研究高纯铁单晶的变形时发现,正电子寿命与形变量的变化规律随形变方式(拉伸、弯曲、冷轧)而变。
- 吴奕初王明华常香荣田中卓肖纪美何永枢
- 关键词：高纯铝应变速率正电子湮没
