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孙红

作品数：2 被引量：7H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇专利

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇单级
  • 1篇单晶
  • 1篇电池
  • 1篇锗单晶
  • 1篇砷化镓
  • 1篇太阳电池
  • 1篇聚光
  • 1篇聚光装置
  • 1篇减反射膜
  • 1篇费米能级
  • 1篇分子束
  • 1篇分子束外延
  • 1篇分子束外延生...
  • 1篇锌
  • 1篇EL2

机构

  • 2篇中国科学院

作者

  • 2篇孙红
  • 1篇林兰英
  • 1篇梁平
  • 1篇胡颖
  • 1篇万寿科
  • 1篇王占国
  • 1篇陈诺夫
  • 1篇杨锡权
  • 1篇白一鸣
  • 1篇王晓东

传媒

  • 1篇Journa...

年份

  • 1篇2007
  • 1篇1994
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
n<Sup>+</Sup>/p型GaAs太阳电池表面高透射率窗口层的制备方法
一种n<Sup>+</Sup>/p型砷化镓太阳电池表面高透射率窗口层锌硒硫的制备方法，包括如下步骤：以p型砷化镓或锗单晶片为衬底；利用金属有机化合物气相沉积法、分子束外延生长技术，生长n<Sup>+</Sup>/p型太阳...
白一鸣陈诺夫梁平孙红胡颖王晓东
文献传递
EL2光淬灭过程中光电导增强现象原因新探被引量：7
1994年
本文用光电导的实验方法对ＬＥＣＳＩ－ＧａＡｓ单晶中ＥＬ２能级的光淬灭过程进行了研究．通过对实验结果的分析，提出了一种解释ＥＬ２淬灭过程中ＥＰＣ现象起因的模型：光照前因补偿受主而已经电离的一部分ＥＬ２中心在近红外光照射下可通过从价带和其它深能级得到电子而被淬灭，使材料的费米能级下降，在价带中留下大量寿命很长的空穴，使光电导出现再上升．我们还发现ＥＰＣ的饱和值与材料的电子补偿度及热稳定性有一定的联系．
徐波王占国万寿科孙红张辉杨锡权林兰英
关键词：费米能级砷化镓单级
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