丁瑞钦
- 作品数：55 被引量：134H指数：7
- 供职机构：五邑大学更多>>
- 发文基金：广东省自然科学基金国家自然科学基金国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术机械工程更多>>
- 射频磁控溅射掺氮ZnO薄膜的制备与表征
- 2006年
- 以ZnO为靶材,采用射频磁控溅射法,在衬底温度为450℃、混合气体压强为1.3Pa的条件下,在石英玻璃和抛光单晶硅衬底上沉积了一系列呈六角纤锌矿结构、沿(0002)晶面高度取向生长的ZnO薄膜。利用X射线衍射、四探针、原子力显微镜、吸收光谱和光致荧光光谱等实验分别对薄膜样品的晶体结构、表面形貌和光电特性进行了分析表征。结果表明,氮对ZnO薄膜的缺陷有明显的钝化作用,气体组分、溅射功率是影响ZnO薄膜沿C轴择优取向生长、结构特征和光电性质的重要因素。
- 朱慧群丁瑞钦
- 关键词：射频磁控溅射ZNO薄膜
- 改进物理教学，培养开拓型人才
- 1995年
- 改进物理教学，培养开拓型人才丁瑞钦，李渭清，胡林，关小泉，杨恢东（五邑大学数学物理系江门市５２９０２０）１９９４年１２月９日，在广州举行的“广东省高等学校首届大学生物理实验设计大奖赛决赛”上，我校参赛的两位建工系学生，和中山大学物理系的参赛者并列获得...
- 丁瑞钦李渭清胡林关小泉杨恢东
- 关键词：物理教学开拓型人才物理实验教学物理实验设计光杠杆教师
- 巨磁电阻磁头研究和商品化生产的现状与未来
- 胡社军曾德长王浩顾正飞钟喜春魏兴钊刘正义丁瑞钦
- 关键词：磁头
- 文献传递网络资源链接
- 磷扩散法制备高掺磷P型ZnO薄膜的磁控溅射工艺的探索
- 本文报道在本所前期磷扩散法制备高掺磷P型ZnO薄膜的研究基础上探索出来的较有普遍适用意义的制备这种薄膜的磁控溅射的氧氩质量流量比与衬底温度的匹配关系,以及在满足此种匹配关系条件下所制备的P型ZnO薄膜的物理性质。
- 丁瑞钦
- 关键词：P型ZNO薄膜
- 文献传递
- 制备工艺对p型ZnO薄膜微观结构和电学特性的影响被引量：1
- 2008年
- 本文报道溅射工艺、退火工艺和冷却方式对磷扩散法制备的p型ZnO薄膜的微观结构和电学特性的影响的实验研究。研究结果表明,ZnO薄膜的表面形貌、结晶度、内应力以及电学特性均与制备工艺条件有密切的关系。文章对这些关系的机理做了探讨和分析。
- 丁瑞钦陈毅湛朱慧群黎扬钢丁晓贵杨柳黄鑫钿齐德备谭军
- 关键词：ZNO薄膜微观结构电学特性
- 同质缓冲层对ZnO薄膜光学性质的影响被引量：4
- 2006年
- 利用射频磁控溅射技术,在单晶硅衬底上生长出高质量(0002)晶面取向的ZnO外延薄膜。通过XRD、AFM、吸收光谱、光致荧光发光谱的实验研究,发现加入适当厚度的、低温生长的ZnO同质缓冲层,可有效降低晶格失配和因热膨胀系数不同引起的晶格畸变。在衬底温度200℃、沉积时间5min的ZnO缓冲层上,以450℃衬底温度溅射ZnO薄膜主层,得到的ZnO样品的晶体结构、表面形貌和光学性质均有较明显的改善。
- 朱慧群丁瑞钦蔡继业胡怡
- 关键词：半导体技术射频磁控溅射ZNO薄膜PL谱
- lnP/SiO2纳米颗粒膜的制备与微观结构的研究
- 采用射频磁控共溅射方法,在单晶Si（111）基片上制备了InP/SiO纳米颗粒膜,对制备态样品在高真空中进行InP保护下的退火处理,退火温度范围为310～520℃。分别采用X射线光电子能谱仪、X射线衍射仪、卢瑟福背散射谱...
- 王浩丁瑞钦杨恢东于英敏王宁娟W.Y.CheungW.F.LauS.P.Wong
- 关键词：颗粒膜微观结构射频溅射
- 文献传递
- P型ZnO薄膜的磷扩散制备与表征
- 应用射频磁控溅射的方法,将ZnO薄膜沉积于高磷掺杂的Si衬底上.在沉积和后退火过程中,磷向ZnO薄膜扩散,使ZnO薄膜从本征n型转化为p型.接着,在此p型ZnO薄膜上沉积本征n型ZnO,形成了同质ZnO p-n结.X射线...
- 丁瑞钦朱慧群王忆
- 关键词：硅衬底氧化锌薄膜射频磁控溅射P-N结
- 文献传递
- GaAs/SiO_2纳米晶镶嵌薄膜的拉曼光谱与吸收光谱研究被引量：4
- 2000年
- 采用射频磁控共溅射与高真空退火相结合的方法 ,分别在单晶硅片和光学石英玻璃片上制备了 Ga As/ Si O2 纳米晶镶嵌薄膜样品。激光拉曼光谱的测量结果表明 ,退火态样品 (4 0 0℃ ,6 0 min)的拉曼光谱特征峰呈现宽化和红移 ,红移量为 9.5cm-1,对应薄膜中 Ga As纳米晶粒平均粒径约为 3nm。样品的室温吸收光谱测量结果表明 ,由于受量子限域效应的主导作用 ,与 Ga As块状单晶相比 ,样品光学吸收边呈现出明显的蓝移 ,蓝移量为 1.78e V,而且在吸收光谱上还出现了若干可分辨的吸收峰。
- 王浩杨恢东丁瑞钦
- 关键词：拉曼光谱吸收光谱半导体纳米晶
- 基片温度对RF磁控溅射GaAs/SiO_2纳米颗粒镶嵌薄膜光谱特性的影响被引量：1
- 1998年
- 利用射频（ＲＦ）磁控共溅射技术，以光学石英玻璃为基片，在不同基片温度下制备了系列ＧａＡｓ／ＳｉＯ２半导体纳米颗粒镶嵌薄膜样品。采用岛津光谱仪，对薄膜在２００至２０００ｎｍ波段范围内的透射光谱进行了测量。结果表明，与ＧａＡｓ块体材料相比，薄膜样品吸收边发生明显的蓝移；且随着基片温度的降低，蓝移量增大。而当基片温度达到３００℃时，光谱中出现了明显的吸收峰。量子限域效应是导致这种结果的主要原因。
- 丁瑞钦杨恢东王浩王浩
- 关键词：砷化镓二氧化硅基片温度
- 全文增补中
