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高林春

作品数：75 被引量：15H指数：2
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程医药卫生更多>>

合作作者

文献类型

  • 63篇专利
  • 10篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 21篇电子电信
  • 7篇电气工程
  • 7篇自动化与计算...
  • 3篇医药卫生
  • 3篇理学
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇轻工技术与工...
  • 1篇核科学技术
  • 1篇文化科学

主题

  • 19篇电路
  • 12篇埋氧层
  • 11篇脉冲
  • 10篇静电保护
  • 9篇漏电
  • 8篇单粒子
  • 8篇源区
  • 8篇接触区
  • 8篇可控硅
  • 8篇隔离区
  • 8篇半导体
  • 7篇端口
  • 7篇静电放电
  • 7篇集成电路
  • 6篇单粒子效应
  • 6篇瞬态
  • 6篇自加热
  • 6篇自加热效应
  • 6篇静电
  • 6篇静电防护

机构

  • 75篇中国科学院微...
  • 5篇中国科学院
  • 4篇中国科学院大...
  • 2篇辽宁大学
  • 1篇中国原子能科...
  • 1篇中国工程物理...

作者

  • 75篇高林春
  • 68篇曾传滨
  • 66篇罗家俊
  • 60篇韩郑生
  • 52篇倪涛
  • 42篇李多力
  • 40篇闫薇薇
  • 19篇赵发展
  • 7篇李博
  • 6篇王磊
  • 5篇刘海南
  • 5篇毕津顺
  • 4篇卜建辉
  • 4篇周虹珊
  • 3篇李晓静
  • 2篇刘魁勇
  • 2篇赵洪利
  • 2篇李博
  • 2篇刘刚
  • 1篇王春林

传媒

  • 4篇微电子学与计...
  • 2篇微电子学
  • 1篇半导体技术
  • 1篇物理学报
  • 1篇原子能科学技...
  • 1篇太赫兹科学与...

年份

  • 2篇2025
  • 7篇2024
  • 15篇2023
  • 13篇2022
  • 18篇2021
  • 6篇2020
  • 2篇2019
  • 3篇2018
  • 1篇2017
  • 4篇2015
  • 3篇2014
  • 1篇2012
共 75 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种激光脉冲单粒子效应模拟系统
本发明公开了一种激光脉冲单粒子效应模拟系统，属于集成电路辐射技术领域。该模拟系统包括超快激光脉冲发生系统、测试系统和控制器。该模拟系统利用压电陶瓷旋转台，通过压电陶瓷旋转台的旋转能力实现了激光在被测器件上进行精确扫描，克...
曾传滨高林春毕津顺罗家俊韩郑生
正面入射单光子吸收激光脉冲单粒子效应测试影响因素研究
利用脉冲宽度为15ps的532nm波长激光脉冲单粒子效应测试系统,在0.18μm PDSOI工艺制造的不同器件上测试了激光脉冲单粒子效应.通过实验结果的比对分析,明确了各工艺层、透光缝隙宽度、示波器带宽等对激光脉冲单粒子...
高林春杨娜曾传滨毕津顺刘刚罗家俊韩郑生
关键词：航天工程单粒子效应激光脉冲测试系统
一种可控硅器件
本发明涉及可控硅静电保护技术领域，具体涉及一种可控硅器件。该结构中，N型阱区的上部设有第一空白掺杂区；任一等效结构均包括沿左右方向并排设置的第一N型重掺杂区和第二P型重掺杂区；任一等效结构均对应设置有第二多晶硅；P型阱区...
李晓静曾传滨闫薇薇高林春倪涛单梁王加鑫李多力赵发展罗家俊韩郑生
28 nm超薄体FD-SOI高温特性研究被引量：2
2021年
研究了低阈值电压(LVT)结构的28 nm超薄体全耗尽绝缘体上硅(FD-SOI)MOSFET的高温下特性。在300℃下对器件进行测试,将FD-SOI与部分耗尽(PD)SOI进行参数对比。结合理论分析,证明了高温下超薄体FD-SOI具有比PD-SOI更低的阈值电压漂移率和亚阈值摆幅。在300℃高温下工作时,SOI MOSFET的参数发生退化,阈值电压减小,泄漏电流增加,栅极对沟道电流的控制能力大大减小。超薄体FD-SOI的设计可使器件的高温性能更加稳定,将电路的工作温度提高到300℃。
张颢译曾传滨李晓静李晓静高林春罗家俊
关键词：阈值电压
一种自加热效应的多脉冲测试方法及系统
本发明提供了一种自加热效应的多脉冲测试方法及系统，方法包括：向待测半导体器件连续发送多个冷却不完全的脉冲信号；依次采集各脉冲信号预设时间段对应的电压检测值；预设时段为0～100ns；基于电压检测值确定待测半导体器件的各参...
李逸帆罗家俊韩郑生倪涛王娟娟曾传滨高林春李晓静孙佳星刘海南
一种MOS器件及避免MOS器件寄生晶体管开启的方法
本发明提供一种MOS器件及避免MOS器件寄生晶体管开启的方法，包括：硅衬底、位于硅衬底上方的场氧区、有源区、阱区、体引出区、栅介质层及H型栅条；位于有源区边缘的场注入区；有源区包括源区、漏区以及沟道区，体引出区设置于H型...
高林春曾传滨李晓静闫薇薇李多力单梁钱频张颢译倪涛罗家俊韩郑生
文献传递
一种用作开关的使能电路
本发明涉及集成电路技术领域，尤其涉及一种用作开关的使能电路，包括：使能信号输入处理单元，适于接入使能信号，将使能信号的电压信号转化得到第一电流；第一控制单元，适于在第一电流对应的使能信号电压值变化到不小于预设电路导通电压...
李佳旗高林春曾传滨罗家俊赵文欣
半导体器件热等效模型的确定方法及系统
本发明提供一种半导体器件热等效模型的确定方法及系统，利用表征被测半导体器件的热瞬态响应的热时间常数和热阻参数构建福斯特型的热等效模型，再利用建福斯特型的热等效模型模拟的热瞬态响应信号数据和实测的热瞬态响应信号数据进行拟合...
李逸帆王润坚许立达李雪勤倪涛王娟娟高林春李晓静曾传滨
一种降低半导体器件高温关态漏电的方法及装置
本发明提供了一种降低半导体器件高温关态漏电的方法及装置，方法包括：针对目标器件，获取目标器件在常温下的第一温度转移特性曲线以及目标器件在目标温度下的第二温度转移特性曲线；获取目标器件的亚阈值泄漏截止电流对应的第一栅电压、...
高林春曾传滨李晓静闫薇薇倪涛李多力卜建辉张颢译王可刘海南罗家俊韩郑生
高灵敏度高能粒子离化电荷测试电路
本发明公开了一种高灵敏度高能粒子离化电荷测试电路，包括M个高能粒子捕获模块、M个信号放大模块以及M个信号探测模块，M为不小于2的正整数；所述高能粒子捕获模块包括N个并联的场效应晶体管，所述场效应晶体管用于捕获高能粒子，并...
闫薇薇曾传滨高林春李晓静倪涛李多力罗家俊韩郑生
文献传递
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