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文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇理学

主题

  • 1篇电流传输特性
  • 1篇信号
  • 1篇信号处理
  • 1篇信号处理器
  • 1篇设计实现
  • 1篇数字信号
  • 1篇数字信号处理
  • 1篇数字信号处理...
  • 1篇灵活性
  • 1篇逻辑器件
  • 1篇可编程逻辑
  • 1篇可编程逻辑器...
  • 1篇可编程器件
  • 1篇编程
  • 1篇编程器
  • 1篇N型
  • 1篇N型硅
  • 1篇RTN
  • 1篇SIO
  • 1篇DSP功能

机构

  • 2篇华南理工大学

作者

  • 2篇张恒
  • 1篇冯文修
  • 1篇李斌
  • 1篇田浦延
  • 1篇陈蒲生
  • 1篇郑学仁

传媒

  • 1篇华南理工大学...
  • 1篇中国集成电路

年份

  • 1篇2003
  • 1篇2002
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
可编程器件实现DSP功能的评述
2002年
本文将可编程逻辑器件与DSP处理器和ASIC器件进行对比,通过一些实例,说明用可编程器件实现DSP功能所具有的优势,同时又提出了一些需要解决的问题,并指出了今后的发展方向。
张恒郑学仁李斌
关键词:可编程逻辑器件可编程器件数字信号处理器设计实现灵活性
从n型硅到RTN超薄SiO_2膜的电流传输特性
2003年
用卤素钨灯作辐射热源 ,对超薄 (1 0nm )SiO2 膜进行快速热氮化 (RTN) ,制备了SiOxNy 超薄栅介质膜 ,并制作了Al/n Si/SiOxNy/Al结构电容样品 .研究了不同样品中n型Si到快速热氮化超薄SiO2 膜的电流传输特性及其随氮化时间的变化 .结果表明 :低场时的漏电流很小 ;进入隧穿电场时 ,I E曲线遵循Fowler Nordheim (F N)规律 ;在更高的电场时 ,主要出现两种情形 ,其一是I E曲线一直遵循F N规律直至介质膜发生击穿 ,其二是I E曲线下移 ,偏离F N关系 ,直至介质膜发生击穿 .研究表明 ,I E曲线随氮化时间增加而上移 .
冯文修张恒陈蒲生田浦延
关键词:电流传输特性
共1页<1>
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