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唐国洪

作品数：27 被引量：23H指数：2
供职机构：东南大学更多>>
发文基金：江苏省自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 15篇期刊文章
  • 4篇专利
  • 3篇会议论文

领域

  • 14篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 7篇功率器件
  • 5篇新型功率器件
  • 5篇MCT
  • 4篇键合
  • 4篇硅片
  • 4篇感器
  • 4篇传感
  • 4篇传感器
  • 3篇电路
  • 3篇直接键合
  • 3篇晶闸管
  • 3篇硅片直接键合
  • 3篇二极管
  • 2篇电子器件
  • 2篇短路
  • 2篇短路点
  • 2篇真空微电子
  • 2篇微电子器件
  • 2篇雷电
  • 2篇雷电浪涌

机构

  • 22篇东南大学

作者

  • 22篇唐国洪
  • 19篇陈德英
  • 2篇周健
  • 1篇陈德英
  • 1篇吴伟
  • 1篇童勤义
  • 1篇陈大金

传媒

  • 9篇电子器件
  • 3篇半导体技术
  • 2篇第二届全国敏...
  • 1篇仪器仪表与分...
  • 1篇微电子学与计...
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇中国电工技术...

年份

  • 1篇1997
  • 6篇1996
  • 6篇1995
  • 3篇1994
  • 1篇1993
  • 2篇1991
  • 2篇1989
  • 1篇1985
共 27 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
高可靠氢敏化学传感器
高可靠氢敏化学传感器是一种用于测试溶液pH值的传感器，采用在N型硅补底上制作场效应管的结构，其介质采用双层结构的氢敏感薄膜，源、漏区的金属电极在衬底背面引出，背面金属电极与源、漏之间由利用铝热迁移形成的P<Sup>+</...
陈德英唐国洪
文献传递
一种低/高压 MOS 接口电路
1989年
一、前言近年来,高压、功率运用中,MOS 管的应用日益广泛。这是因为它具有高的输入阻抗,好的热稳定性及极少的存储效应。特别是它作为电流器件时,可以并联应用而带来不少方便而引人注目。我室自1985年鉴定了“低/高压 MOS 接口电路”后,一方面自己组织小批量生产。
陈德英唐国洪
关键词：接口电路MOS电路
SDB／MCT新型功率器件的研究被引量：2
1995年
本文探讨了新型功率器件ＭＣＴ（ＭＯＳ控制晶闸管）的电参数设计和工艺设计，通过计算机模拟，采用ＳＤＢ（硅片直接键合）材料，在实验室制成了ＮＭＣＴ样品。测试结果表明，在－１２Ｖ的栅偏压下能在５μｓ内关断４２Ａ／ｃｍ２的阳极电流。
唐国洪陈德英周健
关键词：功率器件硅片直接键合MCT
离子敏PH传感器的研究被引量：2
1995年
本文介绍了一种采用硅键合ＳＯＩ材料作衬底的离子敏场效应管（ＩＳＦＥＴ）型ＰＨ传感器。这种结构减小了衬底泄漏电流，改善了ＰＨ传感器的温漂特性和时漂特性。本文提出的结构为ＰＨ传感器的实用化开发了新的途径。
唐国洪陈德英
关键词：传感器
ISFET的设计制造和封装技术
1995年
本文介绍了ＩＳＦＥＴ（离子敏场效应管）的结构原理、设计考虑、制造工艺和封装技术，提出了背接触封装结构，提高了ＩＳＦＥＴ型ＰＨ传感器的可靠性和使用寿命。
唐国洪陈德英
关键词：离子敏场效应管封装技术
固体放电三极管
固体放电三极管是一种用于防止雷电浪涌损坏电子设备和器件的保护器，它由制作在同一衬底上的两个固体放电二极管构成，衬底一面的两个电极联接成接地极，另一面两电极分别引出，每个二极管都由n型硅衬底的双面制作硼扩散区和磷扩散区构成...
唐国洪陈德英
文献传递
PMOS低高压转换电路
一种新型的PMOS低高压转换电路。;本电路在结构上采用P阱作漂移区，故无需附加任何工艺步骤，就可以与P阱Si栅等平面CMOS工艺兼容；在工艺上采用P阱Si栅等平面工艺，实现本发明高压PMOS器件的集成，也可以使常规P阱C...
唐国洪
文献传递
智能pH值传感器测试仪
周益唐国洪陈德英
关键词：PH值智能传感器自动测量仪测试电路
新型功率器件ＭＣＴ的研究
唐国洪陈德英
关键词：晶闸管计算机模拟
场发射金属尖阴极阵列的制备
1996年
本文采用ＳｉＯ２作锥尖的塑模，再利用塑模制备出场发射金属尖阴极阵列，并给出ＳＥＭ金属尖照片，分析了工艺因素对金属尖的影响。
陈德英唐国洪
关键词：场发射真空微电子器件
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