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王淑芬

作品数:2 被引量:1H指数:1
供职机构:昆明物理研究所更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇探测器
  • 2篇碲镉汞
  • 2篇模拟计算
  • 2篇环孔P-N结
  • 2篇光伏探测器
  • 2篇暗电流
  • 2篇HGCDTE

机构

  • 2篇昆明物理研究...

作者

  • 2篇毛京湘
  • 2篇李欣
  • 2篇王淑芬
  • 2篇赵晋云

传媒

  • 1篇红外与激光工...

年份

  • 2篇2007
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
HgCdTe环孔p-n结光伏探测器暗电流机制
p-n 结 I-V 特性是红外光伏探测器的一个重要指标,它直接决定了探测器的动态电阻和热噪声,决定了探测器的性能。实验主要对离子刻蚀环孔 p-n 结 HgCdTe 长波光伏探测器进行变温 I-V 特性测试分析。通过对测试...
李欣王淑芬毛京湘赵晋云
关键词:暗电流碲镉汞光伏探测器模拟计算
文献传递
HgCdTe环孔p-n结光伏探测器暗电流机制被引量:1
2007年
P-n结I-V特性是红外光伏探测器的一个重要指标,它直接决定了探测器的动态电阻和热噪声,决定了探测器的性能.实验主要对离子刻蚀环孔P-n结HgCdTe长波光伏探测器进行变温,I-V特性测试分析.通过对测试实验数据拟合,从理论上计算了探测器在不同温度及不同偏压下的暗电流,得到一些相关的材料和器件性能参数.希望利用分析计算结果了解工艺中存在的问题,对改进工艺及提高器件性能提供理论依据.
李欣王淑芬毛京湘赵晋云
关键词:暗电流碲镉汞光伏探测器模拟计算
共1页<1>
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