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刘建成

作品数:181 被引量:128H指数:6
供职机构:中国原子能科学研究院更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家杰出青年科学基金更多>>
相关领域:理学核科学技术电子电信自动化与计算机技术更多>>

文献类型

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领域

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主题

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  • 11篇入射
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  • 10篇探测器
  • 10篇激发函数
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  • 9篇角分布
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  • 7篇光阑
  • 7篇耗散
  • 7篇耗散反应
  • 7篇存储器
  • 6篇SRAM

机构

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作者

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传媒

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年份

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  • 5篇2011
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  • 1篇2009
  • 4篇2008
  • 4篇2007
  • 7篇2006
181 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
F-19+Nb-93耗散反应产物的激发函数重复性测量
王琦田文栋李松林李志常路秀琴赵葵符长波刘建成江中和姜华胡桂青
Strasbourg的一个实验小组无意中发现,在入射能量相同的两次激发函数测量中,弹靶系统19F+89Y的反应截面及其涨落似乎不重复。到底是实验结果有问题还是发现了新的现象?为此,在北京原子能院的HI-13串列静电加速器...
关键词:
关键词:耗散反应激发函数
北京HI-13串列加速器上单粒子效应辐射装置简介
在北京HI-13串列加速器上建立了微电子器件单粒子效应地面模拟辐照试验装置.利用Q3D磁谱仪的高分辨特性和散焦特性,获得了强度均匀分布、注量率可调的单能重离子束流,开展了大量星用器件抗单粒子效应性能评估试验研究.为了深入...
郭刚许谨诚李志常路秀琴郭继宇陈泉沈东军刘建成惠宁
关键词:加速器单粒子效应
文献传递
^(19)F+^(27)Al反应产物的角分布、角分散与耗散机制被引量:3
2005年
完成了114MeV19F+27Al深部非弹性碰撞产物的角分布测量.分析了反应产物B,C,N,O,F,Ne,Na,Mg和Al的实验室系角分布,讨论了反应形成的中间双核系统随时间演化过程中角分布所表现出的耗散特点.从实验上提取了反应产物各元素的角分散参数并作了角分散参数的理论拟合,讨论了角分散参数的物理意义以及角分散参数与耗散反应产物的电荷数Z之间的依赖关系.
董玉川王琦李松林段利敏吴和宇徐华根陈若富徐瑚珊韩建龙李志常路秀琴赵葵周平刘建成Sergey Yu Kun
关键词:耗散反应角分布^27AL核反应
加速器单粒子效应样品温度测控系统研制及实验应用被引量:3
2015年
为满足国内半导体器件单粒子效应(SEE)截面与温度的关系研究需求,本文基于北京HI-13串列加速器SEE辐照实验终端研制了样品温度测控系统,实现了90~450K范围内实验样品温度的测量和控制,系统控制精度好于±1K。为验证系统可靠性,使用该系统研究了SRAM单粒子翻转(SEU)截面随温度的变化关系,在215~353 K范围内测量了SRAM翻转截面随温度的变化曲线。结果表明,SRAM SEU截面随温度的升高而增加,与理论预期结果一致。
蔡莉刘建成范辉郭刚史淑廷惠宁王惠王贵良沈东军何安林
关键词:重离子单粒子效应单粒子翻转
65nm三阱CMOS静态随机存储器多位翻转实验研究
2017年
利用4种不同线性能量转换值的重离子对一款65nm三阱CMOS静态随机存储器(SRAM)进行重离子垂直辐照实验,将多位翻转图形、位置和事件数与器件结构布局结合对器件单粒子翻转截面、单粒子事件截面及多位翻转机理进行深入分析。结果表明,单粒子事件截面大于单个存储单元内敏感结点面积,单粒子翻转截面远大于单个存储单元面积。多位翻转事件数和规模的显著增长导致单粒子翻转截面远大于单粒子事件截面,多位翻转成为SRAM单粒子翻转的主要来源。结合器件垂直阱隔离布局及横向寄生双极晶体管位置,分析得到多位翻转主要由PMOS和NMOS晶体管的双极效应引起,且NMOS晶体管的双极效应是器件发生多位翻转的主要原因。
李丽丽郭刚蔡莉池雅庆刘建成史淑廷惠宁韩金华
关键词:静态随机存储器重离子
19F+27Al耗散反应中双核系统的转动
在中国原子能科学研究院的HI-13串列静电加速器上测量了19F+27Al耗散反应产物B,C,N,O,F和Ne的激发函数。入射束流的能量从110.25MeV到118.75MeV,能量步长250keV;同位素靶27Al的厚度...
王琦董玉川李松林段利敏吴和宇徐华根陈若富徐瑚珊韩建龙李志常路秀琴赵葵周平刘建成
关键词:双核系统激发函数
文献传递
低能带电粒子引出的隔离窗结构及装置
一种低能带电粒子引出的隔离窗结构及装置,上述隔离窗结构包括:用于与真空腔室连接的密封件、密封薄膜以及网格状的内衬结构。密封件设置有开口,密封件的外侧为大气环境,密封件的内侧用于形成真空环境。密封薄膜固定于密封件上并遮挡于...
隋丽郭刚孔福全刘建成龚毅豪
文献传递
单粒子效应不同模拟源的等效性实验研究初探被引量:4
2008年
地面模拟单粒子效应(Single event effect,SEE)采用的模拟源主要有加速器(重离子加速器、高能质子加速器)、天然放射源(锎裂变碎片源)和脉冲激光模拟源。本文针对三种不同的模拟源(脉冲激光、重离子、锎源),开展IDT6116 SRAM单粒子效应不同模拟源的等效性实验研究,探索三种不同的模拟源评估器件和集成电路抗单粒子效应敏感性的等效性,并将三种不同的模拟源的实验结果进行分析比对,比对结果表明,三种不同模拟源模拟实验取得的实验结论基本一致。
薛玉雄曹洲杨世宇田恺郭刚刘建成
关键词:单粒子效应脉冲激光重离子
单粒子效应研究中提高LET值的特殊方法被引量:1
2004年
为满足单粒子效应研究对更大的线性能量转移 (LET)值 ( 80MeV·mg- 1 ·cm- 2 以上 )的要求 ,在HI 1 3串列加速器上发展了用于高剥离态离子的加速、引出及 0°束Q3D磁谱仪焦面辐照技术。当用高剥离态 (Q1 =1 5 ,Q2 =2 5 )重离子1 2 7I 45°倾斜入射时 ,已得到的LET值为 86 7MeV·mg- 1 ·cm- 2 ,Si中射程约 2 0 μm。使用谱仪的散焦特性 ,辐照束的强度、均匀性和束斑大小可在大范围内调整 ,注量率为几十至 5× 1 0 5s- 1 ·cm- 2 ,均匀性好于 90 % ,束斑为1 0mm到5 0mm ,其纯度好于 98%。
李志常李淑媛刘建成郭继宇赵葵杨丙凡胡跃明
关键词:串列加速器高剥离态抗辐射加固磁谱仪单粒子效应
恒星中子源^(13)C(α,n)^(16)O反应的研究
2014年
13 C(α,n)16 O是渐进巨星支(AGB)星中慢速中子俘获(s)过程的主中子源反应,而17 O 6.356 MeV1/2+阈下共振对13 C(α,n)16 O反应影响很大。本文使用HI-13串列加速器和Q3D磁谱仪,首次测量了13C(11B,7Li)17 O转移反应角分布,确定了影响13C(α,n)16 O反应最关键、最不确定的17 O(Ex=6.356MeV)阈下共振态的α宽度,从而得出天体物理能区13 C(α,n)16 O反应的天体物理S因子和反应率,澄清了国际上已有S因子数据间高达25倍的巨大分歧。AGB星s过程核合成网络计算表明:新反应率数据导致恒星中铅的丰度增加了25%。
郭冰李志宏M.LugaroJ.Buntain庞丹阳李云居苏俊颜胜权吴志丹白希祥陈永寿杜先超樊启文甘林金孙均A.I.Karakas李二涛李志常连钢刘建成刘鑫施建荣舒能川王宝祥王友宝曾晟柳卫平
关键词:天体物理AGB星
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