马昆鹏
- 作品数：4 被引量：17H指数：1
- 供职机构：华中科技大学更多>>
- 相关领域：电气工程理学更多>>
- 一种具有量子点结构的柔性薄膜太阳能电池及其制备方法
- 本发明提供了一种具有量子点结构的柔性薄膜太阳能电池及其制备方法，依次在柔性衬底上制备SiN薄膜绝缘层、ZnO薄膜缓冲层、Al背电极、NIP型薄膜、AZO薄膜和Al前电极，其中NIP型薄膜中的N层为微晶硅薄膜，I层为含量子...
- 曾祥斌郑雅娟文国知廖武刚马昆鹏陈晓琴
- 文献传递
- 一种具有量子点结构的柔性薄膜太阳能电池及其制备方法
- 本发明提供了一种具有量子点结构的柔性薄膜太阳能电池及其制备方法，依次在柔性衬底上制备SiN薄膜绝缘层、ZnO薄膜缓冲层、Al背电极、NIP型薄膜、AZO薄膜和Al前电极，其中NIP型薄膜中的N层为微晶硅薄膜，I层为含量子...
- 曾祥斌郑雅娟文国知廖武刚马昆鹏陈晓琴
- 包含硅量子点的富硅SiN_x薄膜结构与发光特性被引量：17
- 2013年
- 采用等离子体增强化学气相沉积法,以NH3与SiH4为反应气体,n型单晶硅为衬底,低温(220°C)沉积了富硅氮化硅(SiNx)薄膜.在N2氛围中,于500—1100C范围内对样品进行了热退火处理.采用Raman光谱技术分析了薄膜内硅量子点的结晶情况,结果表明,当退火温度低于950°C时,样品的晶化率低于18%,而当退火温度升为1100°C,晶化率增加至53%,说明大部分硅量子点都由非晶态转变为晶态.实验通过Fourier变换红外吸收(FTIR)光谱检测了样品中各键的键合结构演变,发现Si—N键和Si—H键随退火温度升高向高波数方向移动,说明了薄膜内近化学计量比的氮化硅逐渐形成.实验还通过光致发光(PL)光谱分析了各样品的发光特性,发现各样品中均有5个发光峰,讨论了它们的发光来源,结合Raman光谱与FTIR光谱表明波长位于500—560nm的绿光来源于硅量子点,其他峰则来源于薄膜内的缺陷态.研究了硅量子点的分布和尺寸对发光带移动的影响,并根据PL峰位计算了硅量子点的尺寸,其大小为1.6—3nm,具有良好的限域效应.
- 廖武刚曾祥斌文国知曹陈晨马昆鹏郑雅娟
- 关键词：硅量子点氮化硅薄膜光致发光
- HIT太阳电池工艺技术研究
- 在晶硅电池的研究领域当中，创新结构的HIT(Hetero-junction with intrinsic thin film)太阳电池具有结构简单、制作工艺简单、高效率、高稳定性、低成本等特点。因此，HIT太阳电池吸引着...
- 马昆鹏
- 关键词：非晶硅薄膜
- 文献传递
