袁红辉
- 作品数：62 被引量：68H指数：5
- 供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
- 发文基金：湖南省自然科学基金国家自然科学基金上海市科委国际合作基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学化学工程更多>>
- 一种单端输入的CMOS图像传感器设计被引量：3
- 2011年
- 设计了一种应用于红外上转换系统的CMOS读出电路,利用单端放大器的CTIA方式进行读出,克服了传统差分输入放大器管子多、需要米勒补偿电容、版图占用面积大的缺点,有效地减小了电路在像元中占的面积。积分电容采用80 fF,使满阱电子数达到40万个,动态范围大于60 dB。利用相关双采样电路有效地降低了读出噪声,输出总噪声小于0.5 mV。在版图设计中采用了奇偶对称方式,有效地提高了光敏区的占空比。经测试,该电路工作正常,成像清晰,性能良好。
- 袁红辉陈永平陈世军刘强徐星
- 关键词：CTIA图像传感器
- 适用于12bit流水线ADC采样保持电路的设计
- 2010年
- 介绍了一种用于12 bit,20 MS/s流水线模数转换器前端的高性能采样/保持电路。该电路采用全差分结构、底极板采样来消除电荷注入和时钟馈通误差。采用栅压自举开关,并通过对电路中的开关进行组合优化,极大地提高了电路的线性性能。同时,运算放大器采用折叠式增益增强结构,以获得较高的增益和带宽。采用CSMC公司的0.5μm CMOS工艺库,对电路进行了仿真和流片。结果表明,在5 V电源电压下,采样频率为20 MHz,采样精度可达到0.012%,在输入信号为奈奎斯特频率时,无杂散动态范围(SFDR)为76 dB。
- 徐星袁红辉陈世军刘强
- 关键词：采样保持互补型金属氧化物半导体模数转换器自举开关
- 一种低温CMOS建模方法
- 本发明公开了一种低温77K下的CMOS建模方法，本方法采用BSIM3为基础，根据模型参数随温度变化的物理定义，分别在BSIM3模型中选择具有针对性的模型参数，并对其添加统计表达式修正项，根据测试结果确定修正系数的初始值，...
- 袁红辉陈永平陈世军刘强徐星丁毅王欣
- 文献传递
- 长线列CMOS图像传感器的性能优化设计被引量：5
- 2021年
- 设计了一种基于电容反馈跨阻放大器(CTIA)的长线列CMOS图像传感器。为减小器件功耗和面积,采用基于单端四管共源共栅运算放大器。为提高信号读出速率,采用没有体效应的PMOS源跟随器,同时减小PMOS管的宽长比,有效减小了输出总线寄生电容的影响。在版图设计上,采用顶层金属走线,降低寄生电阻和电容,提高了长线列CMOS图像传感器的读出速率和输出线性范围。采用0.35μm 3.3V标准CMOS工艺对传感器进行流片,得到器件像元阵列为5×1 030,像元尺寸为20μm×20μm。测试结果表明:该传感器在积分时间为1ms、读出速率为4MHz的情况下工作稳定,其线性度达到98%,线性动态范围为76dB。
- 徐星陈永平陈世军袁红辉王欣
- 关键词：CMOS图像传感器体效应寄生电容
- 一种用于高速微弱光电信号探测的全定制芯片设计方法
- 本发明公开了一种用于高速微弱光电信号探测的全定制CMOS芯片设计方案。本发明采用全定制的CMOS芯片实现单片集成下的放大处理电路。RGC跨阻放大器作为与探测器互连的前端放大器，用改进型的Cherry-Hooper结构作为...
- 余金金陈永平袁红辉陈世军邓若汉
- 文献传递
- 一种采样速率优化的CMOS探测器读出电路研制
- 为满足高分辨率高速采样可见光成像探测要求,本文设计了一种具有6M采样频率的四采样长线列CMOS探测器。通过减小四采样后的第一级P跟随管宽长比降低总线寄生电容,和减小P跟随负载管偏置电压增加驱动电流,缩小信号延迟,使读出电...
- 袁红辉陈永平黄志伟陈世军陈瑶王欣
- 关键词：低噪声CMOS读出电路
- 文献传递
- 长波光导红外探测器非均匀性校正电路
- 本专利公开了一种长波光导红外探测器非均匀性校正电路，用于红外探测器读出电路中，该校正电路包括电阻结构组件，计数器，比较器和偏置模块，能自适应校正电阻值在200Ω以下的光导型红外探测器的非均匀性。电路通过ADC和DAC的方...
- 钟燕平袁红辉鞠国豪
- 文献传递
- 一种四采样低噪声CMOS光电探测器读出电路被引量：1
- 2019年
- 为满足高采样速率可见光成像探测要求,本文设计了一种具有6 MHz采样频率的四采样长线列CMOS探测器。通过减小四采样后的第一级P跟随管宽长比降低总线寄生电容,和减小P跟随负载管偏置电压增加驱动电流,缩小信号延迟,使读出电路的采样频率由原来的2 MHz增加到6 MHz,有效地提高了长线列可见光CMOS探测器的读出频率。为实现真正相关双采样降低器件等效输入噪声,采用了CTIA积分放大器后接四采样跟随电路。通过测试,该CMOS探测器在积分时间为200 us、光敏面面积为20 um ×18 um的情况下其等效输入噪声电子数50e,与未采用四采样时相比较下降了50%左右。其线性度、输出摆幅、灵敏度等方面都能满足整机系统对CMOS探测器的指标要求。该CMOS探测器的研制为未来超高速高清晰成像探测奠定了重要的理论基础和实用基础。
- 袁红辉陈永平黄志伟陈瑶王欣陈世军
- 关键词：低噪声CMOS读出电路
- 一种新型非制冷红外探测器CMOS读出电路的研制
- 长线列的非制冷红外探测器组件,各元之间的非均匀性是衡量电路设计的关键指标.为了实现长线列非制冷红外探测器的高性能读出,本文设计了一种基于电流镜方式的非制冷红外探测器160线列读出电路,电路由电流镜输入模块、电容负反馈互导...
- 袁红辉翟厚明陈世军陈永平
- 关键词：红外探测器电路结构非线性度
- 高性能CMOS带隙基准电压源及电流源的设计被引量：7
- 2011年
- 介绍了一种高性能CMOS带隙基准电压源及电流源电路,基准电压源使用两个二极管串联结构来减小运放失调影响结果的系数,同时采用大尺寸器件减小运放的失调;采用共源共栅电流镜提供偏置电流来减小沟道长度调制效应带来的影响;在此基准电压源的基础上,利用正温度系数电流与负温度系数电流求和补偿的方法,设计了一种基准电流源。使用CSMC公司0.5μm CMOS工艺模型,利用Spectre工具对其仿真,结果显示:电源电压为5 V,在-40～85℃的温度范围内,基准电压源温度系数为20.4×10-6/℃,直流电源抑制比为1.9 mV/V,电流源温度系数为27.3×10-6/℃,电源抑制比为57 dB。
- 徐星袁红辉陈世军刘强
- 关键词：带隙基准运算放大器电源抑制比温度系数
