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2025年9月3日星期三

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W波段GaN单片功率放大器研制被引量：11: 2016年; 报道了W波段GaN三级放大电路的研制结果。采用电子束直写工艺在AlGaN/GaN HEMT外延结构上制备了栅长100nm的'T'型栅结构。器件直流测试最大电流密度为1.3A/mm,最大跨导为430mS/mm;小信号测试外推其fT和fmax分别为90GHz及210GHz。采用该器件设计了三级放大电路,在75~110GHz频段内最大小信号增益为21dB。该单片在90GHz处的最大输出功率可达1.117W,PAE为13%,功率增益为11dB,输出功率密度为2.33 W/mm。; 吴少兵高建峰王维波章军云; 关键词：GAN高电子迁移率晶体管 W波段电子束直写功率放大器

AlGaAs/GaAs PIN超宽带微波毫米波单刀三掷开关: 2022年; 研制了基于异质结AlGaAs/GaAs PIN二极管的超宽带微波毫米波开关单片。通过异质结外延材料结构的设计和MOCVD生长技术、高台面PIN开关电路制备工艺技术、超宽带模型管S参数测试与电路设计,制作了一款0.05~50 GHz的超宽带PIN单刀三掷开关。测试结果表明:该微波毫米波开关在0.05~18 GHz频带内插入损耗为0.5~0.75 dB,隔离度大于41 dB;18~50 GHz频带内插入损耗为0.75~1.2 dB,隔离度大于27 dB;具有低插入损耗和高隔离度的开关切换特性。; 章军云齐志央凌志健尹志军王溯源李信王学鹏陈堂胜; 关键词：铝镓砷砷化镓 PIN二极管毫米波

用248nm光刻机制作150nm GaAs PHEMT器件性能及可靠性评估: 2016年; 介绍了基于光刻机的150 nm T型栅Ga As PHEMT工艺,其中重点介绍了使用的shrink关键工艺步骤。利用新工艺在某100 mm Ga As工艺线上进行流片,并通过直流测试、loadpull测试、微波小信号测试以及环境试验、极限电压测试、高温步进试验,获得新工艺下制作的Ga As PHEMT的各项性能指标及可靠性。最后制作得到的器件在性能和通过直接光刻得到的PHEMT在性能和可靠性上基本在一个水平上,但是想要通过shrink工艺得到线宽更细的栅长需要进一步努力。; 郭啸章军云林罡; 关键词：砷化镓赝配高电子迁移率晶体管可靠性 T型栅

电流密度对碳化硅电镀镍的影响: 2022年; 以SiC片为基体,分别在直流(DC)电源和脉冲(PC)电源下电镀Ni。研究了电流密度对Ni镀层表面形貌、粗糙度、显微硬度以及SiC和Ni镀层刻蚀选择性的影响。结果表明,随直流电流密度增大,Ni镀层的表面形貌先变好后变差,表面粗糙度先减小后增大,显微硬度和SiC/Ni刻蚀选择比逐渐减小。随脉冲电流密度增大,Ni镀层的表面形貌和粗糙度的变化趋势与直流电镀时相近,但显微硬度和SiC/Ni刻蚀选择比均逐渐增大。当电流密度较大时,在相同电流密度下脉冲电镀Ni层的各项性能均优于直流电镀Ni层。在1.4 A/dm^(2)的平均电流密度下脉冲电镀可获得综合性能较优的Ni镀层。; 李彭瑞任春江章军云陈堂胜; 关键词：碳化硅电镀镍电流密度刻蚀选择性

光刻机镜头漏光对光刻工艺的影响被引量：1: 2023年; 通过GaAs单片微波集成电路(MMIC)光刻工艺,试验得到不同掩模版透光区占空比下光刻机镜头的漏光率,分析了漏光率对曝光能量宽裕度以及光刻胶形状的影响。通过试验测量得出,掩模版透光区占空比的增加会导致曝光镜头的漏光率升高,进一步使得光刻工艺的能量宽裕度变小。同时,过高的漏光率会造成显影后图形的光刻胶损失,使光刻胶图形的对比度变差,从而严重影响GaAs MMIC光刻工艺的图形质量,造成器件性能退化,降低产品良率。; 梁宗文石浩王雯洁王溯源章军云; 关键词：掩模版

基于101.6 mm晶圆35 nm InP HEMT工艺的340 GHz低噪声放大器芯片研制: 2024年; 实现了在101.6 mm InP晶圆上制备35 nm的增强型InP高电子迁移率晶体管。通过InAs复合沟道外延结构设计,使得室温二维电子气迁移率面密度乘积达到4.2×10^(16)/(V·s)。采用了铂钛铂金埋栅工艺技术,典型器件最大跨导达到2900 mS/mm,电流增益截止频率达到460 GHz,最高振荡频率为720 GHz。同时研制出340 GHz低噪声放大器芯片,在310~350 GHz内小信号增益22~27 dB,噪声系数在8 dB以下。建立了340 GHz InP低噪声放大器芯片技术平台,为太赫兹低噪声单片微波集成电路的发展奠定基础。; 孙远陈忠飞陆海燕吴少兵任春江王维波章军云; 关键词：电子束直写低噪声放大器

截止频率1.2 THz的GaN肖特基二极管及其三倍频单片集成电路: 2024年; 通过设计不同掺杂浓度和厚度的GaN低掺杂外延层,制造了两款SiC基GaN肖特基势垒二极管(Schott⁃ky barrier diode,SBD)。结果显示在低掺杂层厚度为80 nm,掺杂浓度为8×10^(17)cm^(−3)条件下制备的GaN SBD截止频率高达1.2 THz。基于该SBD管芯制备了平衡式三倍频单片集成电路,室温下三倍频电路在305~330 GHz频段内连续波饱和输出功率大于10 mW,带内最大输出功率达25 mW,最高倍频效率达到3.3%。; 代鲲鹏纪东峰李俊锋李传皓张凯吴少兵章军云; 关键词：三倍频单片集成电路梁式引线

硫化铵表面处理对GaAs HEMT/PHEMT器件性能的改善: 2014年; 利用硫化铵溶液对GaAs HEMT/PHEMT器件进行表面硫化处理,并利用硫酸锌溶液进行固化;相对于传统的氨水表面处理,经过此处理的器件获得了更高的直流脉冲比,并保持相当高的击穿电压。分析表明,这样的改善来源于表面硫化处理对砷化镓表面态能级的抬高。; 韩克锋黄念宁章军云刘世郑高建峰; 关键词：表面态击穿电压脉冲比

增强型Si基GaN HEMT的p-GaN栅特性改善研究: 2025年; 阈值电压和栅极漏电是评价增强型Si基p-GaN栅结构GaN HEMT器件性能的重要参数。热应力和电应力变化会加剧器件栅极附近的电子隧穿效应,促使热电子与器件缺陷相互作用形成界面态,进而导致栅极漏电增大和阈值电压漂移,长时间工作会引起栅极特性退化,阻碍了GaN电力电子器件的大规模工程化应用。本文基于101.6 mm(4英寸)GaN器件工艺平台研制了一款增强型Si基p-GaN栅结构GaN HEMT器件,引入了双层源场板和源接地孔结构设计,并研究了该结构对器件栅极漏电与阈值电压的影响。引入上述结构的器件低温(-50℃)下阈值电压相比高温(155℃)时变化了0.4 V,200 V漏极电应力测试后器件阈值电压相比测试前变化了0.24 V,漏极电压变化时阈值电压变化量为0.2 V,变化量均低于未引入该结构的器件。此外,栅极电压为5 V时,研制的400μm器件栅极漏电为1.4μA,在热应力与电应力测试后的变化量约0.1μA。测试结果表明研制的增强型p-GaN栅结构GaN HEMT能够在复杂环境下安全工作。; 鲍诚王登贵任春江周建军倪志远章军云; 关键词：P-GAN 阈值电压热应力

单片集成GaAs增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管被引量：2: 2009年; 介绍了单片集成GaAs增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺。借助栅金属的热处理过程,形成了热稳定性良好的Pt/Ti/Pt/Au栅。AFM照片结果表明Pt金属膜表面非常平整,2nm厚度膜的粗糙度RMS仅为0.172nm。通过实验,我们还得出第一层Pt金属膜的厚度和退火后的下沉深度比大概为1∶2。制作的增强型/耗尽型PHEMT的阈值电压(定义于1mA/mm)、最大跨导、最大饱和漏电流密度、电流增益截止频率分别是+0.185/-1.22V、381.2/317.5mS/mm、275/480mA/mm、38/34GHz。增强型器件在4英寸圆片上的阈值电压标准差为19mV。; 章军云林罡陈堂胜; 关键词：单片集成增强型阈值电压

章军云

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