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彭江强
作品数:
2
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供职机构:
湘潭大学材料与光电物理学院
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相关领域:
一般工业技术
建筑科学
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合作作者
徐桥
湘潭大学材料与光电物理学院
郭建
湘潭大学材料与光电物理学院
丁书龙
湘潭大学材料与光电物理学院
谭绪卫
湘潭大学材料与光电物理学院
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年份
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2011
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CVD法制备Mg掺杂纳米ZnO及其电阻开关效应
随着纳米技术的发展,出现了一系列应用前景广泛的半导体化合物材料。氧化锌(ZnO)属于Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体,是一种宽禁带直接带隙材料,在室温下其禁带宽度约为3.37 eV,激子结合能高达60 meV,呈六方形纤锌矿结构,具...
彭江强
关键词:
化学气相沉积法
ZNO
禁带宽度
文献传递
Mg掺杂ZnO微纳米棒与球的制备及生长机制
2011年
采用化学气相沉积法(CVD)在导电玻璃衬底上制备了Mg掺杂的ZnO微纳米棒、微纳米球,实验过程不需要催化剂.X射线衍射仪(XRD)分析结果表明制备的Mg掺杂ZnO微纳米棒仍具有六方铅锌矿结构.利用扫描电子显微镜(SEM)观测,750℃恒温、载入氩气流速为100 mL/min的样品,有微纳米棒、微纳米球的生成.能谱图(EDS)和光致发光谱测试表明微纳米棒中有Mg的掺入.
郭建
谭绪卫
丁书龙
徐桥
彭江强
关键词:
化学气相沉积法
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