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张得玺

作品数:4 被引量:6H指数:2
供职机构:西北核技术研究所更多>>
相关领域:电子电信兵器科学与技术化学工程核科学技术更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇化学工程
  • 1篇核科学技术
  • 1篇理学
  • 1篇兵器科学与技...

主题

  • 2篇功率
  • 2篇高功率微波
  • 2篇高功率
  • 1篇乙烯
  • 1篇增强型
  • 1篇四氟乙烯
  • 1篇陶瓷
  • 1篇模拟装置
  • 1篇介质
  • 1篇晶体管
  • 1篇聚四氟乙烯
  • 1篇开关器件
  • 1篇击穿
  • 1篇功率开关
  • 1篇功率开关器件
  • 1篇国家点火装置
  • 1篇分子材料
  • 1篇氟乙烯
  • 1篇高分子
  • 1篇高分子材料

机构

  • 4篇西北核技术研...

作者

  • 4篇张得玺
  • 3篇苏党帅
  • 2篇王茜
  • 2篇焦晓静
  • 1篇郭晓强
  • 1篇马锋
  • 1篇刘岩
  • 1篇罗尹虹
  • 1篇陈伟

传媒

  • 1篇材料导报(纳...
  • 1篇现代应用物理
  • 1篇第十一届高功...
  • 1篇第八届中国核...

年份

  • 1篇2018
  • 1篇2011
  • 1篇2009
  • 1篇2008
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
P型栅增强型GaN功率开关器件的中子辐照效应被引量:3
2018年
对采用P型栅增强型技术的GaN功率晶体管进行了反应堆1MeV等效中子辐照效应实验。结果表明,在注量为1.5×10^(15)cm^(-2)的中子辐照后,器件的阈值电压没有发生明显变化;栅压较大时,辐照后的饱和漏电流变小,这与沟道电子迁移率降低和二维电子气2DEG的退化有关;当漏极电压小于200V时,器件的关态漏电流明显增加,表明中子辐照重掺杂P型栅发生的载流子去除效应弱化了P型栅在零栅压下对沟道电子的耗尽,但器件栅极反向泄漏电流在辐照后没有变化,说明其对中子辐照具有一定的免疫能力。
张得玺陈伟罗尹虹刘岩郭晓强
关键词:增强型GAN
几种高功率微波介质窗材料的研究综述被引量:3
2009年
高功率微波介质窗的击穿问题已成为高功率微波武器发展的一个技术瓶颈,选择适当的介质材料、提高窗的抗击穿能力是解决此问题的一条重要途径。总结了国内外主要研究机构使用的高功率微波介质窗材料类型及特性,对各自优缺点进行比较分析,并给出了分析结论。
王茜苏党帅焦晓静张得玺
关键词:高功率微波高分子材料陶瓷聚四氟乙烯
浅谈高功率微波输出窗介质/空气界面的击穿
针对高功率微波(HPM)介质输出窗介质/空气界面的击穿问题.介绍了美国在这方面的研究进展,其中包括实验装置介绍和对影响介质/空气界面击穿的几项重要大气变量(如气压、湿度、紫外线和环境气体成分等)以及其它影响因素(如介质窗...
焦晓静苏党帅张得玺王茜
关键词:高功率微波
文献传递
国家点火装置核武器效应试验能力
美国国防部相关部门对激光产生的X辐射在核武器效应研究中的应用非常关注,并在能源部国家点火装置开展了与核武器效应相关的试验研究,为了进一步认识国家点火装置在核武器效应研究领域的应用价值,介绍了国家点火装置及作为X辐射源的两...
张得玺苏党帅马锋孥碧清
关键词:国家点火装置
文献传递
共1页<1>
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