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孔岑

作品数：54 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 52篇中文专利

领域

  • 15篇电子电信

主题

  • 17篇刻蚀
  • 15篇势垒
  • 14篇GAN_HE...
  • 11篇金属
  • 10篇电阻
  • 9篇势垒层
  • 7篇欧姆接触
  • 6篇晶体管
  • 5篇氮化镓
  • 5篇电路
  • 5篇异质结
  • 5篇集成电路
  • 5篇GAN
  • 4篇导通
  • 4篇导通电阻
  • 4篇电感
  • 4篇选择比
  • 4篇异质结材料
  • 4篇微电感
  • 4篇微电子

机构

  • 52篇中国电子科技...

作者

  • 52篇孔岑
  • 50篇周建军
  • 20篇孔月婵
  • 19篇陈堂胜
  • 15篇张凯
  • 15篇郁鑫鑫
  • 6篇李辉
  • 4篇陆海燕
  • 3篇郁元卫
  • 2篇陈效建
  • 2篇陈辰
  • 2篇张斌
  • 1篇程伟
  • 1篇柏松
  • 1篇赵岩
  • 1篇吴立枢
  • 1篇廖蕾

年份

  • 2篇2025
  • 2篇2023
  • 3篇2022
  • 3篇2021
  • 7篇2020
  • 3篇2019
  • 5篇2018
  • 5篇2017
  • 4篇2016
  • 7篇2015
  • 4篇2014
  • 4篇2013
  • 1篇2012
  • 1篇2011
  • 1篇2010
共 54 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种GaN HEMT上低温欧姆接触的制备方法
本发明涉及的是一种基于微电子工艺，一种GaN HEMT上低温欧姆接触的制备方法，具体实施步骤包括：(1)生长介质层；(2)制作欧姆接触窗口；(3)制作欧姆接触通孔；(4)制作扩散层；(5)生长介质层；(6)扩散；(7)刻...
孔岑周建军孔月婵郁鑫鑫郁元卫
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一种基于矢网测试的氮化镓器件载流子浓度分布分析方法
本发明涉及一种基于矢网测试的氮化镓器件载流子浓度分布分析方法，通过矢网测试器件在不同偏压下的散射参数，通过特定截止等特定状态下数据对器件去嵌，表征出器件本征散射参数，提取低频单频点状态下栅源电容及电压变化规律，进而提取出...
陆海燕孔岑周建军陈堂胜
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一种基于二次氧化法的GaN E/D集成器件制备方法
本发明公开了一种基于二次氧化法的GaN E/D集成器件的制备方法，基于传统耗尽型AlGaN（AlInN）/AlN/GaN异质结构，采用氧化方法精确控制势垒层厚度，一次氧化使势垒层减薄到原来厚度的一半，沟道中仍保持高浓度二...
孔月婵周建军孔岑
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一种GaN基肖特基二极管及其制备方法
本发明涉及一种GaN基肖特基二极管及其制备方法，属于半导体器件技术领域。GaN基肖特基二极管包括衬底、缓冲层、沟道层、势垒层、p‑GaN帽层、绝缘介质、电极以及钝化层。所述电极中阴极是在势垒层上沉积低功函数金属并退火而形...
王登贵周建军陈韬孔岑孔月婵陈堂胜
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一种软磁磁芯螺旋微电感的制作方法
本发明涉及的是一种软磁磁芯螺旋微电感的制作方法，其特征在于集成NiFe-AlO<Sub>x</Sub>软磁磁芯螺旋电感，工艺步骤包括1）制备电感下层金属；2）制备第一层苯并环丁烯BCB介质层；3）制备NiFe-AlO<S...
孔岑周建军李辉陈效建
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基于自对准倾角注入工艺的垂直GaN功率器件及其制备方法
本发明公开了一种基于自对准倾角注入工艺的垂直GaN功率器件及其制备方法，器件由下往上包括漏金属电极、低阻衬底、低掺杂沟道层和高掺杂沟道层；高掺杂沟道层上表面为源金属电极，源金属电极周围为栅金属电极，源金属电极与栅金属电极...
胡壮壮王登贵孔岑周建军张凯孔月婵陈堂胜
一种抗辐照GaN基高电子迁移率晶体管及其制备方法
本发明公开了一种抗辐照GaN基高电子迁移率晶体管及其制备方法，晶体管结构包含衬底、缓冲层、沟道层、势垒层、源极、漏极、栅极、第一钝化层和第二钝化层。本发明针对常规GaN HEMT经过高能粒子辐照后器件性能退化明显的问题，...
王登贵周建军孔岑张凯戚永乐陈堂胜
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一种基于再生长技术降低GaN HEMT器件欧姆接触电阻的方法及GaN HEMT器件
本发明涉及的是一种基于微电子工艺，一种基于再生长技术降低GaN HEMT器件欧姆接触电阻的方法，具体实施步骤包括(1)生长高阻缓冲层/超晶格结构；(2)生长SiO<Sub>2</Sub>；(3)定义欧姆接触区域；(4)制...
周建军孔月婵孔岑郁鑫鑫张凯郁元卫
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一种基于p-GaN结构的三维增强型高电子迁移率晶体管及其制造方法
本发明涉及一种基于p‑GaN结构的三维增强型高电子迁移率晶体管及其制造方法，其结构自下而上依次包括衬底、缓冲层、GaN基三维鳍片、栅极、源极和漏极，其特征在于，还包括内置高阻GaN区，它位于所述栅极的下方与GaN基三维鳍...
张凯朱广润孔岑周建军陈堂胜
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一种自对准栅GaN HEMT器件及其制备方法
本发明是一种自对准栅GaN HEMT器件及其制备方法，其结构包括GaN HEMT的沟道层、势垒层、源漏金属、Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>介质、离子注入隔离区和栅金属；其制备方法，1）在洁净的Ga...
周建军孔岑陈堂胜
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