董志远
- 作品数：58 被引量：84H指数：6
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学金属学及工艺电气工程更多>>
- 化合物InP、GaSb和InAs单晶材料的缺陷控制及高质量衬底制备
- 赵有文孙文荣段满龙董志远杨子祥王应利
- 关键词：INP单晶材料化合物
- 文献传递
- 物理气相传输法生长大尺寸AlN晶体及其性质表征被引量：4
- 2007年
- 利用物理气相传输法生长了直径40～50mm、厚约8～10mm的AlN多晶锭，最大晶粒尺寸为5mm,用喇曼散射和阴极荧光谱研究了AlN晶体的结晶质量、缺陷和结构特性．分析了不同温度下AlN晶体的导电特性，并确定在AlN晶体中存在一个激活能约为0．98eV的深能级缺陷．结合这些结果分析了PVT法生长条件对AlN体单晶生长和晶体质量的影响．
- 董志远赵有文魏学成李晋闽
- 关键词：ALN
- 磷化铟中与非化学配比有关的缺陷的研究
- 该论文的主要工作是研究磷化铟材料中与化学配比有关的缺陷的产生和抑制现象,在此基础上揭示了磷化铟材料中一些缺陷的结构属性和形成机理.通过研究纯磷气氛和磷化铁气氛下退火处理后的磷化铟材料中深能级缺陷,首次明确地证明了在符合化...
- 董志远
- 关键词：INP退火
- 动态控制高温炉内压力的方法
- 本发明涉及新材料技术领域，特别是一种在高温升华法生长AlN体单晶的过程中，精确动态地控制高温炉内压力的方法。本方法的具体步骤为：在升温过程中，使压力电子控制器和微压压力变送器处于关闭状态，打开质量流量计并设定一定的流量。...
- 董志远赵有文杨俊段满龙
- 文献传递
- InP中深能级缺陷的产生与抑制现象被引量：7
- 2007年
- 研究了原生和高温退火处理后非掺n型和半绝缘InP单晶材料中产生的缺陷.在磷气氛下退火后,n型和半绝缘InP单晶中均明显产生相当数量的深能级缺陷,而在磷化铁气氛下退火后,InP的缺陷数量明显减少.在退火过程中缺陷的产生与磷和铁的内扩散有直接关系.向内扩散的磷原子和铁原子占据晶格中铟位后,分别产生反位缺陷和铁深受主.实验结果表明,铁通过扩散充分占据了铟位,抑制了铟空位、磷反位等缺陷的形成,而磷气氛下退火后产生的缺陷有铟空位、磷反位等.对InP中的缺陷属性进行了分析.
- 赵有文董志远
- 关键词：磷化铟退火
- 高质量InAs单晶材料的制备及其性质被引量：4
- 2006年
- 利用液封直拉法(LEC)生长了直径50mm〈100〉和〈111〉晶向的InAs单晶.分析研究了n型杂质Sn,S和p型杂质Zn,Mn的分凝特性、晶格硬化作用、掺杂效率等.利用X射线双晶衍射分析了晶体的完整性.对InAs晶片的抛光、化学腐蚀和清洗进行了分析,在此基础上实现了抛光晶片的开盒即用(EPI-READY).
- 赵有文孙文荣段满龙董志远杨子祥吕旭如王应利
- 关键词：砷化铟掺杂抛光
- 籽晶对ZnO单晶化学气相传输生长过程和材料性质的影响
- 董志远赵有文魏学成李晋闽
- 关键词：ZNO
- 文献传递
- 掺硫砷化铟体单晶片、其腐蚀方法及腐蚀剂
- 一种掺硫砷化铟体单晶片、其腐蚀方法及腐蚀剂，该腐蚀剂，包括三氧化铬、氢氟酸和水，其中，三氧化铬、氢氟酸、水的配制比例为(0.5至2)g：(2至10)mL：(0至50)mL。本发明生长条纹的腐蚀剂的原料易于得到且价格低廉，...
- 孙静赵有文谢辉沈桂英董志远刘京明周媛
- 文献传递
- 掺Sb的ZnO单晶的缺陷和性质研究被引量：2
- 2008年
- 采用化学气相传输法生长了掺Sb的ZnO体单晶,生长温度为950℃.与非掺ZnO单晶相比,掺Sb后ZnO单晶仍为n型,其自由电子浓度明显升高.X射线光电子能谱(XPS)测量结果表明,掺入的Sb在ZnO单晶中可能占据了Zn位,或处于间隙位置,形成了施主.利用光致发光谱(PL)测量发现掺Sb后ZnO单晶发出蓝光,该蓝色荧光与浅施主有关.这些结果表明在高温生长条件下,掺Sb后ZnO单晶中产生了高浓度的施主缺陷,因而难以获得p型材料.
- 张瑞张璠赵有文董志远杨俊
- 关键词：ZNO单晶掺杂
- 闭管化学气相传输法生长ZnO单晶方法
- 本发明涉及微电子和光电子用化合物半导体材料制备技术领域，特别是一种闭管化学气相传输法生长ZnO单晶方法。在封闭的石英管内，一端放置高纯ZnO粉作为源，另一端放置籽晶，通过控制源区与生长区的温度分布实现气相传输，生长ZnO...
- 赵有文董志远段满龙魏学成
- 文献传递
