范垂祯
- 作品数：65 被引量：42H指数：3
- 供职机构：中国科学院兰州物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家科技部专项基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术理学金属学及工艺更多>>
- Ti／Al多层金属薄膜AES深度剖析的目标因子分析
- 1995年
- 目标因子分析法（ＴＦＡ）是一种对多元系统进行统计分析的计算数学方法。结合这种方法对Ｔｉ／Ａｌ多层金属薄膜的俄歇电子谱（ＡＥＳ）深度剖析结果进行了仔细的分析，获得了Ｔｉ、Ａｌ、Ｏ、Ｓｉ各元素的化合状态的深度分布情况，并与Ｘ射线光电子谱（ＸＰＳ）分析结果相一致．
- 谢舒平郭云杨得全范垂祯
- 关键词：钛铝
- 表面成分AES和XPS定量分析中的离子溅射修正
- 1994年
- 低能离子溅射是表面分析中清洁固体表面和深度剖面分析的主要手段之一。由于离子溅射改变了固体表面化学成分，引起表面成分的再分布，使俄歇电子谱、X射线光电子谱以及二次离子质谱等表面分析手段，对溅射后固体表面成分的定量分析结果与实际结果有较大的差别。本文以离子溅射合金表面成分达到平行时择优溅射、离子轰击诱导偏析和增强扩散效应之间动态平衡状态的假设为基础，得到了一个与择优溅射、离子轰击诱导偏析和增强扩散修正因子有关的离子溅射修正因子的分析表达式，并将其应用于Ag－Pd合金的离子溅射定量修正计算，发现计算结果能够与实验结果较好地吻合。解释了合金离子溅射修正因子随离子参数的变化。
- 杨得全范垂祯
- 关键词：溅射离子溅射
- 基体效应对二次离子质谱相对灵敏度因子影响的研究被引量：1
- 1998年
- 众所周知，二次离子质谱定量分析的最大困难之一就是其体效应的影响。由于二次离子质谱发射机理较为复杂，从理论上描述和分析基体效应仍有较大难度。本文基于对不同基人本中相对灵敏度因子值的分析，提出了一种描述基体效应的物理量－基体效应因子。分析结果说明，在Ｏ２＾＋离子入射下，基体效应因子与基体的平均原子序数、平均电负性及其基体元素的氧化物平均生成热之间的密切的关系。依据作者曾提出的“结合断键－局域热平衡”
- 杨得全范垂祯
- 关键词：二次离子质谱SIMS
- 高纯碲镉汞配料、封装过程中污染对原材料纯度的影响
- 1993年
- 首先对目前国内 Te、Cd、和 Hg 高纯材料在大气环境下配料、在油扩散泵真空系统下封装两个过程中由于原材料表面的自然氧化、吸附、原材料小颗粒或粉末之间贮存的气源等污染对原材料纯度的影响进行了分析计算和讨论。简单的估算表明,二次污染可使材料纯度低于6个9(用6N 表示)。采用清洁真空系统后配料封装,即使真空度不高(或充保护气体),二次污染的杂质浓度仍可低于10^(-9)量级。其次对739厂的 Te、Cd(标称7N)原材料以及机电部第1411研究所提供的 CMT(Cd_xHg_(1-x)Te)晶片分别进行了配料、封装的初步模拟实验和表面污染的实验分析。实验结果说明,配料和封装过程对材料 Te 的二次污染(主要是吸附和返油)影响不大;但对 Cd 材料污染十分严重,分析计算表明,碳、氧污染引起的杂质浓度较高。实验结果支持了第一部分中的计算结果。
- 杨得全范垂祯
- 关键词：提纯真空
- Hg_(1-x)Cd_xTe材料AES定量分析中的电子束和离子束效应
- 1999年
- 在Hg1-xCdxTe材料的AES分析中 ,由于分析电子束辐照作用 ,可诱导表面Hg原子的脱附和热升华 ,导致短时间内样品表面严重失Hg ,使AES定量分析结果产生很大的误差。实验结果表明 ,在超高真空中分析电子束辐照下局部Hg元素的挥发损失以负指数关系进行。通过选择离子束溅射速率大于电子束蒸发速率 ,并在溅射的同时进行俄歇信号收集 ,则可减小或消除分析电子束对元素Hg的蒸发作用 ,获得稳定的俄歇信号。实验结果还指出 ,溅射离子束的参数会影响元素的相对溅射产额 。
- 杨得全范垂祯
- 关键词：俄歇电子能谱汞镉碲
- 砷化镓中掺硅元素的SIMS定量分析
- 1994年
- 通过对体均匀掺硅和离子注入硅样品的二次离子质谱（ＳＩＭＳ）深度剖面分析，采用均匀体标样法、剖面二次离子强度积分法和ＬＳＳ理论关系计算获得了比较一致的、且与手册值接近的ＧａＡｓ中硅元素相对灵敏度因子值。将相对灵敏度因子法应用于双能量、双剂量硅离子注入ＧａＡｓ样品及分子束外延多层ＧａＡｓ膜渗硅的ＳＩＭＳ定量分折中。从实验结果初步讨论了ＧａＡｓ中氧和碳元素的存在对２８Ｓｉ－、１０３ＳｉＡｓ－二次离子信号强度的影响，２８ＳｉＡｓ－和１０３Ｓｉ－二次离子信号强度的线性关系和可靠性。
- 杨得全范垂祯
- 关键词：砷化镓掺杂硅二次离子质谱
- 金属硅化物的离子溅射修正被引量：2
- 1991年
- 低能离子溅射金属硅化物是制备半导体器件的重要工艺过程。本文总结了文献报道的Cr-Si、Mo-Si、V-Si、Ti-Si、Co-Si和Cu-Si金属硅化物经低能惰性离子轰击后表面成分变化的一些实验现象,用我们提出的理论修正模型计算了离子溅射修正因子,发现得到的理论修正关系能够较好的解释全部实验结果。此外,用本文的理论修正关系讨论了影响离子溅射修正因子的一些因素,给出了溅射修正因子随原子表面升华能的变化曲线,可望用于金属硅化物离子溅射的定量修正。
- 杨得全张韶红范垂祯
- 关键词：修正因子硅化物离子轰击表面偏析离子辐照
- 砷化镓的二次离子质谱定量分析方法
- 1989年
- 化合物半导体由于其复杂的基体效应,给表面定量分析带来了很大困难。如何提高分析精度,对痕量元素作出定量分析,是定量分析的一个难点。近年来,随着半导体集成电路工业的发展和表面分析技术的进一步提高,出现了一些适用于砷化镓及其它半导体材料二次离子质谱定量分析的新方法。这里简要介绍了它们的特点、分析计算步骤和分析精度。根据不同情况,有选择地运用这些方法,可对砷化镓材料的背景杂质浓度及掺杂元素分布进行定量分析,可获得较好的精度,从而实现对材料制备和器件制作等工艺过程的监控。
- 陈宇余镇江范垂祯
- 关键词：砷化镓
- 覆氧或氧离子轰击下固体表面二次正离子发射的研究被引量：2
- 1994年
- 通过对离子轰击下固体表面电离过程重新考虑认为，在固体表面覆氧或氧离子轰击下除表面原子的直接电离外，激发态双原子间电子交换和断键亦起重要作用。在此基础上修正了局部热力学平衡模型，得到了一个包含各类离子内配分函数、电离能、金属－氧原子键断键能以及表面金属原子与氧原子结合份数等参数决定的新电离几率分析表达式。应用该分析表达式解释了金属表面覆氧、氧离子轰击金属、化合物半导体表面二次离子发射中氧增强效应、充氧量对二次离子发射的影响及其基体效应等实验现象。并由此得到了元素相对灵敏度因子的分析表达式，对化合物半导体及一些陶瓷材料表面二次离子质谱分析中元素灵敏度因子随元素电离能变化曲线给予了相应的物理解释。
- 杨得全范垂祯
- 关键词：氧离子轰击
- 平面电极LB膜气体传感器的响应特性被引量：5
- 1997年
- 讨论了典型的平面叉指电极Langmuir-Blodgett（LB）膜气体传感器的气体响应特性，分析了影响气体响应特性的主要因素．分析计算结果指出，对于给定大小的基片，在工艺许可的条件下，可减小电极间距来增大测量电流．
- 杨得全范垂祯
- 关键词：气体传感器响应特性
